Таблица значений эффективной массы
Таблица значений эффективной массыСкачать файл - Таблица значений эффективной массы
Вследствие того что в кристалле на электрон действует периодическое поле решетки, он приобретает некоторые свойства, в корне отличающие его от классической частицы \\\\\\\\\\\\\\\[60, 82\\\\\\\\\\\\\\\]. Пусть на вещество наложено внешнее электрическое поле E , тогда сила, действующая на электрон,. Скорость движения электрона равна групповой скорости распространения волн. За время dt внешняя сила F совершает работу по перемещению электрона. Подставим сюда из формулы 9. Эта формула выражает второй закон Ньютона. Под действием внешней силы F , возникающей при наложении поля, электрон движется в среднем так, как двигался бы под действием этой силы свободный электрон некоторой массы , определяемой соотношением. Эффективная масса не является массой в ее обычном понимании. Она не определяет ни гравитационных, ни инерционных свойств электрона. По величине она может быть как больше, так и меньше массы свободного электрона, а по знаку — как положительной, так и отрицательной. Пусть в первой зоне Бриллюэна находится один свободный электрон, который в отсутствие внешнего поля располагается на дне зоны. Приложим к кристаллу внешнее поле , под действием которого электрон будет ускоряться, его кинетическая энергия будет расти, что приведет к его переходу на более высокие энергетические уровни зоны. Зависимость от волнового числа: Наличие анизотропии кристаллов обуславливает анизотропию динамических свойств электронов при их движении. Вследствие этого эффективная масса является величиной тензорной. Чаще всего анизотропия проявляется в двух направлениях, и поверхности постоянной энергии имеют вид эллипсоидов вращения. Эффективная масса электронов вблизи дна зоны проводимости для ряда полупроводников. Для дырок валентной зоны анизотропия кристалла в меньшей мере влияет на динамические характеристики, поскольку дырки являются способом описания коллективного движения электронов в неполностью заполненной валентной зоне. Характеристические параметры для изоэнергетической поверхности вблизи вершины валентной зоны и эффективная масса дырок для ряда полупроводников при К. Движение электрона в периодическом поле кристалла под действием внешнего поля. Эффективная масса электрона Вследствие того что в кристалле на электрон действует периодическое поле решетки, он приобретает некоторые свойства, в корне отличающие его от классической частицы \\\\\\\\\\\\\\\[60, 82\\\\\\\\\\\\\\\]. Скорость движения электрона равна групповой скорости распространения волн , 9.
Эффективная масса
Вследствие того что в кристалле на электрон действует периодическое поле решетки, он приобретает некоторые свойства, в корне отличающие его от классической частицы \\\\\\\\\\\\\\\\[60, 82\\\\\\\\\\\\\\\\]. Пусть на вещество наложено внешнее электрическое поле E , тогда сила, действующая на электрон,. Скорость движения электрона равна групповой скорости распространения волн. За время dt внешняя сила F совершает работу по перемещению электрона. Подставим сюда из формулы 9. Эта формула выражает второй закон Ньютона. Под действием внешней силы F , возникающей при наложении поля, электрон движется в среднем так, как двигался бы под действием этой силы свободный электрон некоторой массы , определяемой соотношением. Эффективная масса не является массой в ее обычном понимании. Она не определяет ни гравитационных, ни инерционных свойств электрона. По величине она может быть как больше, так и меньше массы свободного электрона, а по знаку — как положительной, так и отрицательной. Пусть в первой зоне Бриллюэна находится один свободный электрон, который в отсутствие внешнего поля располагается на дне зоны. Приложим к кристаллу внешнее поле , под действием которого электрон будет ускоряться, его кинетическая энергия будет расти, что приведет к его переходу на более высокие энергетические уровни зоны. Зависимость от волнового числа: Наличие анизотропии кристаллов обуславливает анизотропию динамических свойств электронов при их движении. Вследствие этого эффективная масса является величиной тензорной. Чаще всего анизотропия проявляется в двух направлениях, и поверхности постоянной энергии имеют вид эллипсоидов вращения. Эффективная масса электронов вблизи дна зоны проводимости для ряда полупроводников. Для дырок валентной зоны анизотропия кристалла в меньшей мере влияет на динамические характеристики, поскольку дырки являются способом описания коллективного движения электронов в неполностью заполненной валентной зоне. Характеристические параметры для изоэнергетической поверхности вблизи вершины валентной зоны и эффективная масса дырок для ряда полупроводников при К. Движение электрона в периодическом поле кристалла под действием внешнего поля. Эффективная масса электрона Вследствие того что в кристалле на электрон действует периодическое поле решетки, он приобретает некоторые свойства, в корне отличающие его от классической частицы \\\\\\\\\\\\\\\\[60, 82\\\\\\\\\\\\\\\\]. Скорость движения электрона равна групповой скорости распространения волн , 9.
Эффективная масса
Как отключить автоматическое обновление на андроиде
Эффективная масса
Характеристика образовательной деятельности ребенка направляемого на мсэ