Резистивные пленки молибдена - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника курсовая работа

Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Министерство образования и науки РФ
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Кафедра физической электроники (ФЭ)
Пояснительная записка к курсовой работе
по дисциплине «Тонкие пленки в микроэлектронике»
Тонкие плёнки металлов, диэлектриков и полупроводников широко применяются во многих областях техники и прежде всего в микроэлектронике. Они являются основой плёночных интегральных схем, применяются при изготовлении полупроводниковых интегральных схем и запоминающих устройств на основе магнитных плёнок.
Физические процессы в тонких плёнках протекают иначе, чем в массивных материалах и даже в толстых плёнках. В результате плёночные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Удельное сопротивление резистивных плёнок значительно выше, а температурный коэффициент сопротивления может отличаться не только по величине, но и по знаку. Во многом отличительные характеристики плёночных элементов определяются наличием структурных дефектов плёнок, возникающих на этапах их зарождения и роста.
Молибден - тугоплавкий металл, принадлежащий к переходным элементам с ОЦК решеткой, обладает высокой прочностью межатомной связи, высокой температурой плавления 2620 оС, минимальным значением коэффициента линейного расширения. Теплопроводность молибдена в несколько раз превосходит теплопроводность обычных жаропрочных сплавов, что исключает возникновение в нем термических напряжений при быстром нагреве и охлаждении. Молибден устойчив к воздействию на него кислот, щелочей, а также стоек во многих расплавленных металлах и жидких стеклах.
В данной курсовой работе рассматриваются резистивные пленки молибдена, полученные ионным распылением.
1. Основные понятия роста тонких пленок
Для нанесения тонких пленок с помощью физических методов, основанных на образовании потока атомных частиц (отдельных атомов, молекул или ионов) из напыляемых материалов, и последующей их конденсации на поверхность подложки необходимы специальные вакуумные камеры, т.е. камеры, изолированные от атмосферы, с малой концентрацией остаточных газов. Поэтому физические методы нанесения тонких пленок называют вакуумными.
В технологии получения тонких пленок вакуумными методами различают три этапа:
1) испарение вещества с целью получения пара - атомарного потока;
2) перенос пара в вакуумном пространстве;
3) конденсация пара на подложке и образование пленочной структуры.
В тонкопленочной технологии для нанесения тонких пленок наибольшее применение нашли следующие методы: термическое вакуумное напыление, катодное распыление, ионно-плазменное напыление и магнетронное распыление. Общими требованиями, предъявляемыми к каждому из этих методов, являются воспроизводимость свойств и параметров получаемых пленок и обеспечение надежного сцепления (адгезии) пленок с подложками и другими пленками.
В данной курсовой работе рассматривается метод катодного распыления, выбран этот метод исходя из того что в данном методе имеется возможность распыления тугоплавких металлов, а также данный метод обеспечивает хорошую равномерность осаждения покрытий.
Ионно-плазменное распыление - это процесс распыления мишени, выполненной из требуемого материала, высокоэнергетическими ионами инертных газов. Распыленные ионами атомы материала мишени, осаждаясь на подложке, формируют пленку материала. Ионно-плазменное распыление можно реализовать путем распыления материала катода в плазме газового разряда ионизированными молекулами разряженного газа (катодное распыление), либо путем распыления мишени в высоком вакууме сформированным пучком ионов (ионное распыление).
Распыление ионной бомбардировкой, как и испарение в вакууме, позволяет получать проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые и магнитные пленки, но, по сравнению с термическим вакуумным напылением, имеет ряд преимуществ.
Катодное распыление основано на явлении разрушения катода при бомбардировке его ионизированными молекулами разряженного газа. Атомы, вылетающие с поверхности катода при его разрушении, распространяются в окружающем пространстве и осаждаются на приемной поверхности, которой является подложка. Схема процесса катодного распыления изображена на рисунке (3.1). В рабочей камере 1 установлена двухэлектродная система, состоящая из "холодного" катода 2, изготовленного из материала, подвергаемого распылению, и анода 4, на котором располагается подложка 5. Между катодом и анодом расположена заслонка (на рисунке не показана), которая так же, как и при термическом напылении, предназначена для перекрывания потока распыляемого вещества по мере надобности. Из рабочей камеры откачивается воздух, после чего в камеру напускается рабочий газ, давление которого устанавливается равным 1-10 Па [2].
Рисунок 1.1 - Схема процесса катодного распыления: 1 - рабочая камера; 2 - катод; 3 - экран; 4 - анод; 5 - подложка; 6 - натекатель
Физическая сущность катодного распыления состоит в следующем. Между двумя электродами (анодом и катодом), находящимися в газе при небольшом давлении (1 - 10 Па), при подаче постоянного напряжения, порядка 2 - 5 кВ возникает тлеющий разряд, сопровождающейся эмиссией электронов из катода. В основной области тлеющего разряда - темном катодном пространстве, где сосредоточено максимальное электрическое поле, происходит ускорение электронов до энергии ионизации газа, что необходимо для поддерживания разряда. Ионы газа ускоряются в прикатодной области и бомбардируют катод. Энергии бомбардируемых ионов не достаточно для выбивания атомов из катода; они только увеличивают частоту колебаний атомов. Эти колебания передаются более эффективно по направлению наиболее плотно упакованных атомных рядов кристаллической решетки, в том числе и по направлению поверхности катода. В результате наложения многих колебаний поверхностный атом может получить от соседних атомов энергию, достаточную для преодоления силы связи. В этом случае атом вылетает с поверхности катода. Одновременно в результате бомбардировки происходит эмиссия электронов из катода.
Расположение подложки в пространстве между анодом и катодом оказывает большое влияние на условия осаждения пленок. Чем больше расстояние от катода до подложки, тем большее число распыленных атомов не доходит до подложки вследствие столкновения с молекулами газа, тем меньше скорость осаждения. Однако при приближении подложки к области темного катодного пространства распыление катода начинает замедляться в результате задержки ионов подложки. Кроме того, на нее будут попадать электроны с большой энергиями, что неблагоприятно влияет на свойства пленок. Оптимальным является расстояние от катода до подложки, вдвое превышающее ширину темного катодного пространства (10 - 20 см).
Различают физическое и реактивное катодное распыление. При физическом распылении отсутствует химическая реакция; в качестве рабочего газа используют аргон. Реактивное распыление основано на введении дополнительного (реактивного) газа, который взаимодействуя с конденсируемыми атомами на подложке, способствует получению пленок с различными свойствами.
Системы для нанесения пленок катодным распылением, в которых мишень из распыляемого материала является катодом, а держатель подложек - анодом, называются двухэлектродными или диодными, которые являются самыми простыми из систем распыления.
К преимуществам катодного распыления следует также отнести возможность получения пленок с улучшенными адгезионными свойствами (по сравнению с термическим напылением), что объясняется благоприятными условиями для образования промежуточного оксидного слоя и ведения процесса при низком давлении.
Основными недостатками катодного распыления являются сложность контроля процессов распыления и управления ими, низкая скорость роста пленок, а также наличие в пленках большого количества молекул остаточных газов.
1.3 Механизм конденсации атомов на подложке
Согласно теории Френкеля, атомы пучка, ударяясь о поверхность подложки, остаются на ней в течение некоторого отрезка времени, двигаясь по ней подобно двумерному газу, а затем могут вновь испариться с подложки. При движении по поверхности адсорбированные атомы встречаются с другими адсорбированными атомами и образуют преимущественно группы из двух атомов - димеры (дублеты). Так как этот процесс связан с выделением энергии кристаллизации, то обратное испарение димеров затруднено, следовательно, происходит процесс образования зародышей кристаллизации. Димеры имеют большую продолжительность жизни на поверхности подложки. Так же из теории Френкеля следует, что существует критический поток поступления атомов на подложку, который зависит от температуры подложки. Если поток распыленных частиц меньше критического потока, то механизм осаждения будет невозможен. Рассмотренный механизм конденсации, при котором димеры являются центрами кристаллизации, получил название механизма конденсации пар-кристалл (П-К).
Н.Н. Семенов предложил другой механизм конденсации пар - жидкость - кристалл (П-Ж (К)). Он рассматривал оседающие и мигрирующие по подложке атомы как двумерный пар, переходящий при насыщении в двумерную жидкость, которая в дальнейшем кристаллизуется.
Наблюдения процесса конденсации подтвердили существование двух механизмов конденсации пар - жидкость (П-Ж) и пар - жидкость - кристалл (П-Ж (К)). Температура, ограничивающая пар - кристалл от пар - жидкость - кристалл, равна двум третьим температуры плавления осаждаемого материала.
Есть предположение о существовании еще одной критической температуры подложки равной одной трети температуры осаждаемого вещества. При температурах подложки выше этой температуры конденсация осуществляется по механизму П-К, а при температурах ниже этой температуры конденсация осуществляется по механизму пар - жидкость аморфная фаза (П-Ж (А)). Этот механизм характеризуется образованием метастабильных кристаллических и аморфных пленок, которые можно рассматривать как переохлажденную жидкость. Существование этого механизма обусловлено низкой миграционной способностью атомов на подложке при низкой температуре, а так же сложным типом сил связи в решетке.
1.4 Распределение сконденсированных атомов на подложке
Перемещение адсорбированных частиц по поверхности определяется потенциальным полем подложки и осуществляется скачками через потенциальные барьеры. Поверхностная подвижность адсорбированных частиц должна способствовать равномерному их распределению. Вместе с тем между адсорбированными частицами всегда возникает взаимодействие, так как, по крайней мере, имеется поляризационное притяжение, которое обуславливает собирание адсорбированных частиц в группы. Образуются скопления адсорбированных частиц. Обе вышеуказанные тенденции, действующие противоположно, определяют в каждом отдельном случае степень неравномерности покрытия подложки адсорбированными частицами. Взаимодействия с потенциальным полем подложки, атомы закрепляются в наиболее глубоких потенциальных минимумах. Увеличения числа осажденных атомов приводит к образованию скоплений, в которых атомы располагаются на расстояниях, кратных периоду решетки подложки. При этом в зависимости от соотношения сил взаимодействия между адсорбированными атомами и их взаимодействия с атомами подложки размеры скоплений могут быть различными. При слабом взаимодействии между атомами в скоплении возникают группы больших размеров, в предельном случае приводящие к образованию моноатомных слоев. В противном случае, когда взаимодействие между адсорбированными атомами более сильное, чем их связь с атомами подложки, образуются мелкие скопления, которые затем переходят в зародыши.
Основным условием образования зародыша является наличие скопления определенного размера. При данной температуре подложки и концентрации адсорбированных атомов существует такое скопление их, добавление к которому еще одного атома вызывает их стягивание, спонтанное превращение в зародыш. Такое поведение вызвано конкурирующим взаимодействием адсорбированных атомов друг с другом и с подложкой. Силы связи адсорбированных атомов с подложкой стремятся удержать их в скоплении, в то время как силы взаимодействия между атомами, образующими скопления, стремятся собрать их в кристаллическую решетку с межатомными расстояниями, характерными для структуры данного материала. По мере роста числа атомов в скоплении увеличивается суммарная сила, стремящаяся стянуть скопление в зародыш. Уменьшение расстояний между атомами повышает силы взаимодействия, что приводит к лавинообразному развитию процесса стягивания скопления и мгновенному образованию зародыша. Таким образом, первым условием образования зародыша является наличие скопления определенного размера, называемого критическим, начиная с которого происходит развитие процесса зародышеобразования. Зародыш критического размера может образоваться: а) в паровой фазе; б) на подложке, когда зародыш докритического размера, падая на подложку, сталкивается с адатомами, образуя зародыш закритического размера; в) за счет поверхностной диффузии адатомов по подложке.
Возникший критический зародыш является неустойчивым образованием, поскольку отрыв хотя бы одного атома приводит к распаду зародыша, а добавление к нему атомов приводит к дальнейшему росту и упрочнению его.
Процесс зародышеобразования описывается двумя основными теориями, основанной на капиллярной и атомной моделях, которые отличаются друг от друга в подходе к вычислению энергии образования зародышей. Эти теории получили название термодинамической и статической соответственно.
Статистическая теория описывает процесс зародышеобразования используя известные характеристики межатомного взаимодействия. Она хорошо описывает зародышеобразование материалов для которых характерны малые критические зародыши, т.е. материалы с большой свободной энергией конденсации в массивном кристалле и зародышеобразование при высоких пересыщениях.
1.5 Рост зародышей и формирование сплошных пленок
При достижении зародышем размера больше критического вероятность его роста становится больше чем вероятность распада. Исследование процесса образования и роста пленок показали, что в начальный момент на подложке возникает большое количество зародышей, причем появление их является внезапным и практически одновременным, а дальнейшая поверхностная плотность частиц меняется несущественно. С увеличением размера частиц при образовании контактов между ними возникает взаимодействие между зародышами, приводящие к их слиянию. Дальнейшее увеличение количества сконденсированного материала приводит к образованию единой сетки из срастающихся частиц. Между частицами сохраняются каналы равной ширины. Зарастание этих каналов приводит к образованию сплошной пленки.
Рисунок 1.2 - Схема зарастания подложки полусферическими зародышами
Образование сплошной пленки определяется механизмом зарождения центров (зародышей) и последующим ростом. Соотношение между долей объема вещества превратившегося из газообразной или жидкой фазы в твердую и временем превращения t определяет кинетику процесса зарождения и роста пленки. Пленка считается сплошной, если коэффициент заполнения n равен 0.99, если коэффициент заполнения меньше 0,99 и величина зазора между островками положительна, то пленка считается островковой. Зародыши, образовавшиеся в случайных точках подложки, к моменту срастания в сплошную пленку достигают некоторой высоты, соответствующей средней толщине сплошной пленки (рисунок 1.2) [1].
Молибден относится к тугоплавким металлам, ковкий и пластичный металл, является переходным элементом. Механические свойства, как и у большинства металлов, определяются чистотой металла и предшествующей механической и термической обработкой (чем чище металл, тем он мягче). Наличие примесей увеличивает твердость и хрупкость металла. Обладает крайне низким коэффициентом теплового расширения.
Внешний вид металлического молибдена зависит от способа его получения. Компактированный (спеченный) молибден без обработки (в виде слитков, штабика и заготовок под прокатку молибдена) - довольно темный металл, допускаются следы окисления. Молибден в виде проката бывает различных цветов: от темного, почти черного, до серебристого (зеркального). Все зависит от обработки металла. Молибденовый прокат обрабатывают путем: точения, шлифования, химической очистки (травления) и электрополировки. Молибденовый порошок имеет темно-серый цвет.
Молибден используется для легирования сталей, как компонент жаропрочных и коррозионностойких сплавов.
Молибден -- один из немногих легирующих элементов, способных одновременно повысить прочностные, вязкие свойства стали и коррозионную стойкость. Обычно при легировании одновременно с увеличением прочности растет и хрупкость металла.
Удельное сопротивление и температурный коэффициент массивного образца. Они равны:
Эффективность катодного распыления характеризуется коэффициентом катодного распыления S, который равен числу атомов, распыленных под воздействием одного иона, и определяется формулой
Движущийся на катод (мишень) ион газа массой М1 передает свою энергию Е атомам решетки в серии последовательных столкновений. Если при столкновении атому мишени массой М2 передается энергия, превосходящая энергию связи атомов в решетке (энергию смещения) Есм, он покидает свое равновесное положение, превращаясь в первично смещенный атом. Смещенный атом, в свою очередь, сталкивается с окружающими атомами решетки, производя вторичные смещения, и так далее. Этот процесс длится до тех пор, пока энергия атома не уменьшится до уровня, ниже которого передача энергии, большей Есм, становится невозможной. Затем атомы продолжают сталкиваться, но уже не смещают атомы и замедляются до энергии сублимации Есуб и затем принимают участие в тепловом движении атомов решетки.
Максимальная энергия, которую может ион передать атому при лобовом соударении, равна
Смещенный атом характеризуется средней энергией , величина которой зависит от вида взаимодействия. Если смещенный атом получит энергию больше Есм и импульс энергии будет направлен в сторону поверхности, то он может покинуть эту поверхность и стать распыленным атомом. Энергию смещения можно оценить, зная энергию сублимации для материала мишени Есуб. При сублимации происходит удаление атомов с поверхности, где действует только половина связей. Для удаления атома из объема мишени уже необходима энергия 2Есуб. При столкновениях атом не только выбивается из занимаемого положения, но и внедряется в решетку, смещая другие атомы. Для удаления таких атомов необходима энергия не меньше 4Есуб. Следовательно, процесс выбивания атомов из поверхности и их выброс в вакуум будет иметь место, если смещенные атомы получают энергию более 4Есуб.
По теории Пиза: столкновения, приводящие к распылению, удобно разделить по их энергии на три категории. Когда энергия иона невелика (Е<), он не может проникнуть сквозь электронную оболочку атома, и столкновения можно рассматривать, как соударения абсолютно упругих твердых шаров. При больших энергиях (Е>) бомбардирующий ион свободно проходит сквозь электронную оболочку атома и смещает ядро (неэкранированные кулоновские столкновения). При средних энергиях (<Е<) происходят экранированные кулоновские соударения ядер. Значения предельных энергий определяются
где- энергия связи электрона в атоме водорода (13,5 эВ);
- атомные номера иона и атома мишени.
Взаимодействие между атомными частицами описывается с помощью законов квантовой механики. В определенных пределах взаимодействие между двумя атомами можно рассматривать с точки зрения классической механики. Н. Бор определил a как радиус экранирования ядра орбитальными электронами
где- первый боровский радиус атома водорода.
С учетом всех составляющих коэффициент распыления в теории Пиза определяется
где- поперечное сечение столкновения иона с атомами твердого тела, при котором атому передается энергия, превышающая Есм;
- средняя энергия смещенных атомов;
При выводе уравнения 2.5 предполагается нормальное падение ионов на мишень и выполнение условия
Величина и зависят от типа соударений. В области столкновений атомов типа твердых шаров общее поперечное сечение столкновения , и равны [2]
Принимая, что атомы в металле ионизованы однократно, то концентрация электронов определяется по выражению
В качестве атмосферы, в которой будем производить распыление, возьмем аргон. Аргон по массе иона относится к категории легких ионов. Максимум коэффициента распыления достигается уже при нескольких тысячах электронвольт, поскольку легкие ионы гораздо легче проникают вглубь материала в отличие, например от криптона.
Для аргона масса иона составляет 40, а атомный номер равен 18. Для молибдена масса иона равна 95.94, а атомный номер 42.
Для последующих расчетов использовались следующие данные:
No = 6.36·1028- атомная плотность Мо;
Есуб = 6.9 эВ - энергия сублимации;
Для начала по формуле (2.2) посчитаем максимальную энергию:
По формуле (2.5) посчитаем радиус экранирования ядра:
По формуле (2.3) и (2.4) рассчитаем предельные энергии и :
Так как т.е. энергия иона невелика, он не может проникнуть сквозь электронную оболочку атома, и столкновения можно рассматривать как соударения абсолютно упругих твердых шаров.
По формуле (2.7) и (2.8) общее поперечное сечение столкновения и поперечное сечение столкновения иона с атомами :
По формуле (2.9) посчитаем среднюю энергию смещенных атомов:
С учетом всех составляющих рассчитаем коэффициент распыления по формуле (2.6):
2.2 Ра счет потоков атомов на подложку
Зная величину коэффициента распыления, поток распыленных частиц с единицы площади мишени определяется
Для следующего расчета использовались величины:
h= 7 cм - расстояние от подложки до мишени;
По формуле (2.11) рассчитаем поток распыленных частиц:
Поток распыленных частиц, достигающих поверхности подложки зависит от конфигурации распылительной системы, и составляет 25-50%. Для дисковой мишени и круглой подложки, расположенных параллельно друг другу, получена следующая формула для потока осажденных частиц:
h- расстояние от мишени до подложки.
По формуле (2.11) рассчитаем поток осажденных частиц:
Критическую плотность потока пара, поступающего на подложку, определяется по формуле:
где х0 - собственная частота колебания атома;
Едес - энергия связи атома с поверхностью (энергия десорбции);
ДЕ - энергия связи атомов между собой;
Собственная частота колебания атомов равна 1013 с-1. По [2] определяем радиус действия атома 0.13 нм и энергию десорбции 0.65 эВ. Энергия связи атомов между собой определяется следующим выражением
Зная температуру плавления молибдена, определим границы механизмов конденсации атомов.
Температура Т1 ограничивающая П-К-механизм от П-Ж(К) равна
где - температура плавления молибдена равная 2893 К.
Температура Т2 ограничивающая ПК-механизм от П-Ж(А) равна
Сравнивая границы механизмов можно сделать вывод, что в нашем случае при температуре подложки 300 К конденсация атомов будет проходить по механизму П-Ж(А).
Далее определяем критический поток по формуле (2.13):
Следовательно, выполняется следующее неравенство Qкрdкр)
3. Расчет компонент определяющих у дельное сопротивление резистора
3.1 Расчет удельного сопротивле ния с учетом размерного эффекта
Для начала рассчитаем требуемое удельное сопротивление для пленки толщиной 0.04 мкм (R=500 Ом/кв):
При изготовлении резисторов требуются пленки с высоким удельным сопротивлением, малым температурным коэффициентом сопротивления и высокой временной стабильностью. Для того чтобы получить высокое сопротивление используют пленки малой толщины их сопротивление увеличивается за счет размерного эффекта. Рассчитаем электропроводность, удельное сопротивление, температурный коэффициент, среднюю длину свободного пробега с учетом размерного эффекта. Для расчета необходимо знать некоторые величины:
- удельное сопротивление массивного образца;
- температурный коэффициент массивного образца;
U = 0.7; W=0.8 - коэффициенты зеркального рассеяния.
Определим концентрацию электронов n по выражению:
Определим электропроводность для массивного образца по формуле:
С учетом всех составляющих определим длину свободного пробега по формуле:
Так как , то длину свободного пробега с учетом размерного эффекта считаем по формуле:
Рассчитаем температурный коэффициент сопротивления с учетом размерного эффекта:
По формуле (2.26), используя длину свободного пробега с учетом размерного эффекта , рассчитаем электропроводность:
Отсюда найдем удельное сопротивление с учетом размерного эффекта:
3.2 Расчет удельного сопротивления обусловленного тепловым движением атомов
3.3 Определение удельного сопротивления обусловленного рассеяни ем электронов на атомах примеси
где x - число электронов, с которыми может взаимодействовать атом;
n - плотность адсорбированных атомов;
Плотность адсорбированных атомов найдем по формуле:
где р - давление в рабочей камере во время напыления р =10 Па,
Eдес-энергия десорбции аргона 0.21 эВ.
Nпл=N-N·20% (т.к. плотность пленки обычно на (10-20)% меньше плотности массивного материала)
Nпл = 6.39·1028-6.39·1028·0.2= 5.1·1028 (атом/м3)
Определим Ду - изменение электропроводности по формуле (3.4):
Рассчитаем удельное сопротивление по формуле (3.3):
3.4 Расчет удельного со противления островка
3.5 Расчет удельного сопротивления зазора
Электроны туннелируют из одного островка в другой, и сопротивление структуры определяется как сумма двух последовательно соединенных сопротивлений - островка и межостровкового зазора.
Рассчитаем электропроводность, используя :
Зная размер островка пленки a=300 мкм необходимо определить величину зазора между островками. Величина потенциального барьера определяется из формулы (3.3):
Коэффициент прозрачности барьера вычисляется по формуле:
- работа выхода электрона из металла островка;
Определим ширину энергетического уровня:
Используя рассчитанные величины из формулы (3.3) и (3.4) найдем значение ширины потенциального барьера b:
Следующий шаг - рассчитаем удельное сопротивление обусловленное влиянием дефектов пленки. Оно определяется как сумма двух сопротивлений - островка и межостровкового зазора.
Учитывая, что удельное сопротивление есть результат рассеяния электронов на различного рода дефектах, установлено, что удельное сопротивление данного образца представляет собой арифметическую сумму отдельных факторов, вносимых всеми источниками сопротивлений:
Рассчитав все необходимые величины, построим зависимость удельного сопротивления от температуры по формуле:
В результате работы был произведен расчет механизма формирования резистивных пленок молибдена. Пленки были получены методом ионного распыления, в результате получили численные данные следующих параметров:
Рассчитан коэффициент распыления для молибдена:
Рассчитан поток распыленных и осажденных частиц:
Рассчитана критическая плотность потока атома:
Условие выполняется, поэтому процесс формирования пленки возможен.
Определена критическая толщина, соответствующая наименьшей толщине сплошной пленки:
Рассчитан радиус критического зародыша:
Рассчитана свободная энергия, образования критического зародыша:
Рассчитана скорость зародышеобразования:
Также было рассчитано минимальное время для напыления и величина зазора b=3.2
Далее рассчитывались компоненты удельного сопротивления для структуры пленки.
С учетом размерного эффекта удельное сопротивление и температурный коэффициент сопротивления:
Для требуемого сопротивления R=500 (Ом) и толщины 0.04 (мкм) были рассчитаны удельные сопротивления островка и зазора:
Удельное сопротивление, обусловленное тепловым движением атомов:
Удельное сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на атомах примеси:
Удельное сопротивление, обусловленное влиянием дефектов пленки:
Определено полное удельное сопротивление нашего образца:
Для островка размером 300
Резистивные пленки молибдена курсовая работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Реферат: Whitman Vs Dickinson Essay Research Paper Whitman
Курсовая работа по теме Антропогенний забруднення водного середовища
Небольшое Сочинение На Тему Образ Обломова
Курсовая работа по теме Внешняя среда предпринимательской деятельности
Необычные Названия К Эссе О Счастье
Реферат: KaitS Case Essay Research Paper After Kait
Сочинение Мой Субботний День
Контрольная Работа На Тему Концепция В Географии
Написание Кандидатской Диссертации С Чего Начать
Курсовая работа: Виконання господарських зобов’язань
Описание Школьного Спортзала Сочинение
Реферат: Протоколы TCP/IP
Курсовая работа по теме Интеллектуальная готовность к обучению в начальной школе дошкольников, посещающих ДОУ компенсирующег...
Курсовая работа: Социо-культурная деятельнось с людьми пожилого возраста
Реферат: Интернет-страхование. Скачать бесплатно и без регистрации
Реферат: Судебное решение
Реферат по теме Деформируемые алюминиевые сплавы
Курсовая работа по теме Лечебно-профилактические мероприятия при метеоризме у кроликов
Автореферат Диссертации По Педагогике 13.00 01
Реферат: Max To The Max Essay Research Paper
Единая сеть электросвязи РФ. Модель взаимодействия открытых систем - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника реферат
Переклад термінів з галузі будівельної техніки - Иностранные языки и языкознание дипломная работа
В.О. Ключевский об эпохе Ивана Грозного - История и исторические личности реферат