Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника контрольная работа

Главная

Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв

Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Контрольна робота з розрахункових завдань по дисципліні «Комп'ютерна електроніка».
Метою виконання розрахункових робіт є необхідність практичного застосування отриманих теоретичних знань про властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів, принципах побудови найпростіших електронних пристроїв, самостійне вивчення властивостей приладів і способів розрахунку схем, одержання навичок роботи з довідковою літературою, а також перевірка ступеня оволодіння матеріалом курсу.
Для успішного рішення задач необхідно вивчити влаштування, принцип роботи, параметри, вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів. Необхідно знати режими роботи і властивості основних схем включення цих приладів. Цей матеріал викладений у [1, 2, 4]. Необхідні також знання основних законів для електричних ланцюгів: закони Ома, Кірхгофа.
Для схеми, приведеної на мал. 1, б і форми зміни вхідних сигналів відповідно до діаграми № 1, зобразити часову діаграму зміни вихідної напруги, якщо UВХ1 = U1, UВХ2 = U2, напруга живлення ключа Е = 40В, R = 3,2 кОм, RН = 2 кОм. Приймаємо амплітудне значення напруги U1 U1M = 0,5; ЕК = 20 В.
Для оцінки стану діодів визначимо напругу на анодах діодів
Параметри діода в даному випадку відповідають ідеальній моделі
але при визначенні вихідної напруги необхідно врахувати вплив внутрішнього опору джерел сигналу. В результаті необхідно переходити до еквівалентної схеми, розглядаючи дільник R, RН як джерело сигналу з внутрішнім опором
Для подальшого рішення задачі необхідно зобразити часову діаграму зміни напруг у схемі з врахуванням заданих і розрахованих значень напруг (мал. 2).
Малюнок 2- Ілюстрація до рішенню задачі
На часовому інтервалі 0 - t1 відкритий діод VD1 і вихідну напругу розраховуємо по формулі:
UВИХ = UВХ1 RЕКВ /(RВН1 + RЕКВ) + ЕЕКВ RВН1/(RВН1 + RЕКВ) = 1,1В.
На часовій ділянці t1 - t2 відкритий діод VD2 і для зображення вихідної напруги на діаграмі визначимо його значення аналогічно попередньому випадкові, використовуючи числове значення UВХ2 у точці t1 (визначаємо в масштабі по діаграмі) і замінивши RВН1 на RВН2. В результаті одержуємо значення UВИХ = 6,45 В. На інтервалі t2 - t3 обидва діоди закриті і UВИХ = ЕЕКВ.
З моменту часу t3 знову відкривається діод VD1 і напруга на виході UВИХ = 1,1В.
Розрахувати підсилювальний каскад на БТ за схемою 2 (Мал.5).


Малюнок 5 - Схема підсилювального каскаду на БТ
У вихідних даних до розрахункової роботи заданий тип транзистора ГТ402А, амплітуда вихідної напруги UВИХМ = 5В, опір навантаження RН = 4 кОм, нижня частота смуги пропускання каскаду fН = 300 Гц, коефіцієнт частотних викривлень на цій частоті МН = 3 Дб.
Провідність транзистора p-n-p, тому використовуємо в схемі джерело живлення негативної полярності. Виписуємо з довідника наступні параметри транзистора:
- приймаємо UКР ? 1.2 UВИХМ = 1.2*5 = 6 В;
- розраховуємо амплітудне значення струму колектора :
IКм = UВИХМ/ RН + UВИХМ/ RК = 6.25 мА;
- приймаємо IКР ? 1.2 IКм = 7.5 мА. Перевіряємо умову 2IКР< IКМАХ;
- розраховуємо напругу живлення підсилювального каскаду, склавши для вихідного ланцюга рівняння згідно з 2-м законом Кірхгофа
Відкіля ЕК = (IКР RК + UКР)/0.8 = 16.875 В.
Приймаємо стандартне значення ЕК = 18 В.
IБР = IКР/ h21ЭСР = 7.5/55 = 0.136 мА
- розраховуємо інші опори резисторів підсилювального каскаду:
RЕ = 0.2ЕК/ IКР = 3.6/7.5 = 0,48 кОм,
R1 = (ЕК - 0.2ЕК)/(IД + IБР) = 8,37 кОм;
- визначаємо параметри підсилювального каскаду. Для цього з табл. 1 виписуємо значення параметрів транзистора
Вхідний опір каскаду RВХ = R1¦R2¦ h11Е = 0.67 кОм,
вихідний опір RВИХ = RК¦(1/ h22Е) = 0.99 кОм.
КU = (h21ЭСР RВИХ)/( RВХ + RГ)*RН/( RВИХ + RН) = 50.57;
Коефіцієнт корисної дії підсилювального каскаду
де РВИХ =(UВИХМ)2/(2RН) = 3.12 мВт,
РСПОЖ = ЕК(IКР + IД) = 159.5 мВт. Тоді з = 1.9%.
- в зв'язку з тим, що в схемі відсутній блокувальний конденсатор, на резисторі RЕ відбувається послідовний ВЗЗ по струму, отже, необхідно перерахувати параметри каскаду з урахуванням дії ВЗЗ з коефіцієнтом передачі
RВИХВЗЗ = RВИХ + RЕ(1 + гКU) = 13.12 кОм,
- розрахуємо ємності розділових конденсаторів. Для цієї мети розподілимо значення коефіцієнта частотних викривлень рівномірно по конденсаторах, тобто приймемо
Переведемо отримане значення у відносні одиниці:
Тоді С1 = 106/[2рfН(RГ + RВХ)v(МН2 - 1)] = 0.69 мкФ,
С2 = 106/[2рfН(RВИХ + RН)v(МН2 - 1)] = 0.166 мкФ.
Таблиця 1. Орієнтовні значення параметрів h11Э и h22Е транзисторів
Розрахувати підсилювальний каскад, виконаний на ПТ за схемою №8 (Мал. 6).
У вихідних даних до розрахункової роботи заданий тип транзистора КП302Б, амплітуда вихідної напруги UВИХМ = 3В, опір навантаження RН = 10кОм, нижня частота смуги пропускання каскаду fН = 50Гц, коефіцієнт частотних викривлень на цій частоті МН = 3Дб.
Малюнок 6 - Схема підсилювального каскаду на ПТ
Виписуємо довідкові дані транзистора:
початковий струм стоку IСПОЧ = 18 мА,
крутизна характеристики S ? 7 мА/В,
диференційний опір каналу RСІДИФ ? 120кОм (визначаємо по ВАХ транзистора), визначаємо коефіцієнт підсилення по напрузі транзистора К = SRСІДИФ = 840; транзистор з каналом n-типу, що відповідає зображенню на схемі (Мал.6).
Розрахунок каскаду робимо в наступному порядку:
- задаємося напругою спокою транзистора UСР ? 1.2UВИХ= 3.6 В;
- задаємося величиною опору резистора RС = 3 кОм;
- визначаємо амплітудне значення струму стоку транзистора
IСм = UВИХМ/ RН + UВИХМ/ RС = 1,3 мА;
- задаємося струмом спокою транзистора:
Перевіряємо виконання умови IСР < 0.5 IСПОЧ.
- визначаємо значення UЗР = UВІДС v(1 - IСР/ IСПОЧ) = 6.6В;
- використовуючи 2-й закон Кірхгофа, визначаємо необхідну напругу живлення підсилювального каскаду
одержуємо ЕС = (UСР + IСР RС + UЗР)/0.9 = 18 В;
- визначаємо параметри підсилювального каскаду:
вихідний опір RВИХ = RС¦RСИДИФ = 2.9 кОм ,
коефіцієнт підсилення по напрузі КU = S RВЫХ* RН/(RН + RВИХ) = 15.7,
коефіцієнт корисної дії підсилювального каскаду
з = РВИХ/ РСПОЖ, де РВИХ =(UВИХМ)2/(2RН) = 0.45 мВт,
РСПОЖ = ЕСIСР = 36 мВт. Тоді з = 1.2 %.
- розрахуємо ємності розділових конденсаторів, прийнявши значення внутрішнього опору джерела сигналу RГ = 500 Ом. Для цієї мети розподілимо значення коефіцієнта частотних викривлень рівномірно по конденсаторах, тобто приймемо МН1ДБ = МН2ДБ = 1.5 Дб.
Переведемо отримане значення у відносні одиниці:
Тоді С1 = 106/[2рfН(RГ + RВХ)v(МН2 - 1)] = 0.025 мкФ,
С2 = 106/[2рfН(RВИХ + RН)v(МН2 - 1)] = 0.38 мкФ.
Ємності блокувальних конденсаторів визначаємо в такий спосіб: СФ = 10/(2рfНRФ) = 35.4 мкФ,
1. Гусєв В.Г., Гусєв Ю.М. Електроніка.-М.:Высш.шк., 1991.-622с.
2. Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Електроніка і микросхемотехника. Ч.1.Електронні пристрої інформаційної автоматики: Підручник/Під общ.ред.А.А.Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-303 с.
3. Скаржепа В.А. і ін. Електроніка і микросхемотехника: Лабораторний практикум/Під общ.ред.А.А.Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-279 с.
4. Основи електроніки і мікроелектроніки/Б.С.Гершунский.-3-і изд.,перераб. і доп.-К.: Вища шк., 1987.- 422 с.
5. Галкін В.И. і ін. Напівпровідникові прилади:Транзистори широкого застосування: Довідник/В.И.Галкін, А.Л.Булычев, П.И.Лямін.- Мн.: Бєларусь, 1995.-383 с.
6. Скаржепа В.А., Сенько В.И. Електроніка і микросхемотехника: Сб. задач / Під общ.ред. А.А.Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-232 с.
7. Чекулаев М.А. Збірник задач і вправ по імпульсній техніці: Учеб. Посібник для учнів радиотехн. спец. технікумів. - М.: Высш. шк., 1986. - 280 с.
8. Розрахунок електронних схем. Приклади і задачі: Учеб. посібник для вузів по спец. электрон. техніки / Г.И. Изъюрова, Г.В. Корольов, В.А. Терехов і ін. - М.: Высш. шк., 1987. - 335 с.
Призначення підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Методика розрахунку параметрів та кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів. Особливості лінійних електронних осциляторних схем, активні RC–фільтри нижніх частот и RC–генератори. курсовая работа [1,7 M], добавлен 31.07.2010
Характеристика електронних пристроїв перехоплення інформації. Класифікація загальних методів і засобів пошуку електронних пристроїв перехоплення інформації. Порядок проведення занять з пошуку закладних пристроїв. Захист акустичної та мовної інформації. дипломная работа [315,0 K], добавлен 13.08.2011
Теорія надійності електронних апаратів. Безвідмовність, ремонтопридатність, довговічність і здатність до зберігання – властивості електронних апаратів в залежності від призначення та умов експлуатації. Основні закони розподілу часу безвідмовної роботи. реферат [213,7 K], добавлен 03.05.2011
Поняття і основні вимоги до приймально-передавальних систем в радіотехнічних засобах озброєння. Принципи побудови багатокаскадних передавальних пристроїв. Ескізні розрахунки структурної схеми радіолокаційного передавача. Вибір потужних НВЧ транзисторів. курсовая работа [53,7 K], добавлен 23.10.2010
Конструкція і технічні характеристики електронних реле покажчиків поворотів. Визначення переліку пошкоджень і несправних станів передавача: відхилення часових параметрів вихідного сигналу, постійне горіння сигнальних ламп в режимах маневрування. реферат [51,1 K], добавлен 25.09.2010
Класифікація частотнопараметрованих пристроїв, які застосовуються на автомобілі. Послідовність виконання їх перевірки та діагностування. Схеми підключень щодо перевірки електронних пристроїв та блоків керування. Тестування реле блокування стартера. контрольная работа [64,8 K], добавлен 27.09.2010
Вплив конструктивних рішень, вибору режимів роботи та матеріалів елементів електронних апаратів на підвищення надійності, впровадження мікроелектроніки. Узгодження конструкції пристроїв з можливостями технологічного процесу як основний параметр якості. реферат [63,1 K], добавлен 01.05.2011
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .

© 2000 — 2021



Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв контрольная работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Реферат по теме Прогрессивные системы исполнения уголовных наказаний
Итоговое Сочинение Какие Произведения Искусства Становятся Бессмертными
Таким Образом Кинологический Клуб Призван Курсовая Работа
Спортивная Аэробика Как Вид Спорта Реферат
Шпаргалка: Шпаргалка по Праву Евросоюза
Реферат по теме Кодекс цивільного захисту України: основні характеристики
Дипломная работа по теме Охрана труда женщин и молодежи
Курсовая работа по теме Социализация личности сущность, этапы, содержание
Контрольная работа по теме ЦБРФ, формы кредита
Реферат На Тему Витамины История Открытия
Реферат по теме Химический состав, строение и функции отдельных органоидов клетки
Воздействие Аэс На Окружающую Среду Реферат
Реферат по теме Электронная подпись в системе документооборота
Реферат по теме Алгоритм решения изобретательских задач
Контрольная работа по теме Понятие договора поставки в гражданском праве России
Итоговое Сочинение 2022 Человек И Общество
Реферат Обработка Исключений
Сочинение Зачем Людям Имена
Подписать Реферат Образец
Литературные Аргументы Для Сочинения 9.3
Место и роль телевидения в современном обществе - Журналистика, издательское дело и СМИ курсовая работа
Понятие преступления - Государство и право реферат
Организация ситуативного обучения английскому языку в условиях средней общеобразовательной школы - Иностранные языки и языкознание дипломная работа