Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника контрольная работа
Главная
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
посмотреть текст работы
скачать работу можно здесь
полная информация о работе
весь список подобных работ
Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
(Государственный Технический Университет)
Контрольное домашнее задание по дисциплине
«Определение параметров полупроводниковых приборов по их
статическим вольтамперным характеристикам»
1. Назначение полупроводникового прибора
2. Электрические параметры полупроводникового прибора
3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора
4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора
5.Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
1. Назначение полупроводникового прибора
Выпрямительным диодом (или выпрямителем) называют компонент электрической цепи, преобразующий переменный ток в постоянный. Обычно это полупроводниковый диод, оказывающий высокое сопротивление току, текущему в одном направлении, и низкое сопротивление току, текущему в одном направлении, и низкое сопротивление току, текущему в обратном направлении.
Д202 - сплавной кремниевый диод, предназначенный для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Конструктивно оформлен в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Полупроводниковым стабилитроном называется полупроводниковый кремневый диод, нормальным режимом работы которого является режим электрического пробоя. Вольтамперная характеристика полупроводниковых кремневых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который характеризуется тем, что при изменении тока в больших приделах, величина напряжения на диоде остаётся практически постоянной.
Это свойство использовано для создания приборов осуществляющих стабилизацию напряжения.
Д808 - стабилитрон кремниевый сплавной малой мощности. Предназначен для стабилизации напряжения 7…14 В в диапазоне токов стабилизации 3…33 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитронане более 1 г.
Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, состоящий изтрех областей с различными типами проводимости и двумя взаимодействующими р-n переходами.
Основное назначение транзистора - усиление или переключение электрических сигналов. В зависимости от чередования областей полупроводниковых слоев различают n-p-n и p-n-p транзисторы.
Транзистор ГТ108 - германиевый сплавной малой мощности. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.
2 Электрические параметры полупроводникового прибора
- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 400 мА не более 1В;
- Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более500 мкА;
- Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА:
при Т = +25°С…………………………………………….……..7 - 8,5 В;
при Т = -60°С……………………………………………………6 - 8,5 В;
при Т = +125°С………………………………………………….7 - 9,5 В;
- Температурный коэффициент напряжения стабилизации, не более:
в диапазоне температур +30...+125°С………………….……0,07%/°С;
в диапазоне температур -60…+70°С……………………………1%/°С;
- Временная нестабильность напряжения стабилизации
при Iст = 5 мА…......................................................................................±1%;
- Уход напряжения стабилизации через 5 с после включения, не более:
за первые 5 мин…………………………………………………....170 мВ;
за последующие 10 мин…………………………………………….20 мВ;
- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, Т = -60 и +25°С,
не более……………………………………………………………..1 В;
- Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более………….0,1 мкА;
- Дифференциальное сопротивление, не более:
при Iст = 1 мА………………………………………………………12 Ом;
при Iст = 5 мА и Т = +25°С………………………………………….6 Ом;
при Iст = 5 мА и Т = + 125°С………………………………………15 Ом;
- Емкость перехода…………………………………………………400 пФ;
- Тепловое сопротивление……………………………………0,36 °С/мВт;
- Обратное сопротивление при Uобр = 1 В……………………...1 МОм;
- Гарантийная наработка не менее………………………………...5000 ч;
- Срок хранения…………………………………………………….8,5 лет.
- Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой при Uкб=5 В, Iэ= 1 мА не менее:
ГТ108А……………………………………………...……………..0,5 МГц;
ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г …………………………...……………...1МГц;
- Напряжение насыщения коллектор эмиттер при Iк=50мА
Iб=5 мА не более……………………………………………………......3 В;
Статистический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=1 мА:
ГТ108А……………………………………………………….20 - 50;
ГТ108Б………………………………………………………..35 - 80;
ГТ108В…………………………………………………....…...60 -130;
ГТ108Г………………………………………………………110 - 250;
ГТ108А………………………………………………………..20 - 100;
ГТ108Б…………………………………………………………...35 - 160;
ГТ108В……………………………………………………....…...60 - 260;
ГТ108Г…………………………………………………………….110 - 500;
ГТ108А…………………………………………………………….15 - 50;
ГТ108Б……………………………………………………………..20 - 80;
ГТ108В……………………………………………………....…...40 - 130;
ГТ108Г……………………………………………………………...70 - 250;
- Обратный ток коллектора при Uкб=5В не более:
При Т=293К……………………………………………………….10 мкА;
При Т=328К………………………………………………………250мкА;
- Обратный ток эмиттера при Uкб=5 В не более…………………15 мкА;
- Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=1 МГц не более…..50 пФ;
- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, Iэ=1 мА,
f=465 кГц не более…………………………………………………..…5 нс.
3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора
- Постоянное (импульсное) обратное напряжение ………………100 В;
при наличии теплоотводящего шасси площадью 40 см 2 ….…....400 мА;
без теплоотводящего шасси……………………………………....100 мА;
без снижения электрических режимов…………………………...20 кГц;
при снижении величины выпрямленного тока на 10%...................30 кГц;
при снижении величины выпрямленного тока на 30% …………50 кГц;
- Температура окружающей среды………………………… -60...+125°С;
- Температура корпуса…………………………………………... +135°С;
- Температура перехода…………………………………………. +150°С;
- Относительная влажность при 40°С до…………………………...98%;
- Давление окружающего воздуха……………………..7х10 2 - 2х10 5 Па;
- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до…………………………7,5g;
- Постоянные и ударные ускорения до…………………………….150g;
- Отсутствие механических резонансов при перегрузках 6-10g
на частотах………………………………………………………10-60 Гц;
- Гарантийная наработка не менее……………………………..5000 ч;
- Минимальный ток стабилизации…………………………………..3 мА;
при Т < +50 °С……………………………………………………….33 мА;
при Т = +125 °С (+100 °С)…………………………………………...8 мА;
- Постоянный прямой ток…………………………………………...50 мА;
при Т < +50 °С………………………………………………….280 мВт;
при Т = + 125 °С (+100 °С)………………………………………..70 мВт;
- Температура окружающей среды………………………..-60 ...+125°С;
- Давление окружающего воздуха……………………2,7х10 4 - 3х10 5 Па;
- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до……………….10 g (до 7,5g);
- Многократные удары с ускорением до……………… ………...100g;
- Постоянные ускорения до……………………………...100g (до 20g);
- Вибрация на фиксированной частоте с ускорением до…………...12g.
- Постоянное напряжение коллектор-база…………………….………5В;
- Импульсное напряжение коллектор-база при фи ? 5мкс……….…80В;
- Полное тепловое сопротивление……………………….……..0,8 К/мВт;
- Постоянный ток коллектора……………………………………….50 мА;
- Температура перехода………………………………………………353К;
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=293К……………………………………………………..75 мВт;
при Т=328К……………………………………………………...33,3 мВт;
- Температура окружающей среды………………………от 228 до 328 К.
4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора
Рисунок 1. - Вольтамперная характеристика диода
Рисунок 2. - Вольтамперная характеристика стабилитрон
Рисунок 3. - Входные и выходные характеристики транзистора
5. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
S - крутизна вольтамперной характеристики;
R i - внутреннее сопротивление по переменному току;
R 0 - внутреннее сопротивление по постоянному току;
h 11 - входное сопротивление при коротком замыкании во входной цепи;
h 12 - коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;
h 21 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании в выходной цепи;
h 22 - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;
R Д - дифференциальное сопротивление;
R 0 - сопротивление по постоянному току;
Iст.макс, Iст.мин - максимальный и минимальный ток стабилизации;
1. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - Издание 3.
2. Катаранов Б.А., Палаженко А.В., Сиротинский И.Л. Электроника. Учебное пособие к практическим занятиям. - Изд. СВИ РВ, 1996 г.
3. Справочник для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981г.
4. http://smps.h18.ru/directory.html
5. http://oldradio.tesla.hu/szetszedtem/443orosz-tapegyseg/d808.pdf
6. http://www.155la3.ru/datafiles/d202.pdf
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление. курсовая работа [2,1 M], добавлен 21.11.2014
Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади. курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010
Определение параметров транзистора по его статическим характеристикам. Построение комбинационной логической схемы на электромагнитных реле. Разработка электрических схем параллельного и последовательного суммирующих счётчиков. Состояние триггеров. курсовая работа [290,5 K], добавлен 13.01.2016
Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления. лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013
Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода. лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013
Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером. контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014
Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры. контрольная работа [694,5 K], добавлен 22.03.2015
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .
© 2000 — 2021
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам контрольная работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Государственная регистрация сделок с землей
Контрольная Работа На Тему Налог На Добавленную Стоимость, Выездная Налоговая Проверка
Реферат по теме The Consequences of the Soviet-Afghan War
Курсовая работа по теме Мілдью винограду та заходи захисту від епіфітотій
Статья: Философия. Ее роль в жизни общества
Англ Яз 7 Класс Ваулина Контрольные Работы
План Работы Реферата
Псориаз Реферат Скачать
Доклад: Государственное управление
Заключение Сочинения Гроза
Курсовая работа по теме Избирательные комиссии
Береги Здоровье Смолоду Эссе
Глава 2 Банкротство Предприятия Курсовая
Методика Преподавания Русского Языка Курсовая Работа
Курсовая Работа По Педагогике 2022 Год
Экспериментальный Метод Реферат
Курсовая работа: Федерации зарубежных стран
Учебное пособие: Методические указания по выполнению контрольных работ для студентов заочной формы обучения всех специальностей Чебоксары
Традиция Это Прогресс В Минувшем Эссе
Приемная И Патронатная Семья Реферат
Третья государственная дума - Государство и право реферат
Смерч как стихийное бедствие - Безопасность жизнедеятельности и охрана труда презентация
Лингвистический анализ китайских терминов родства - Иностранные языки и языкознание курсовая работа