Введение в наноэлектронику - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника реферат

Тенденции к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам в современной электронике. Физические основы зондовой нанотехнологии. Методы формирования нанорельефа. Совместное использование лазера и сканирующего электронного микроскопа в нанолитографии.


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
На данный момент электронные и радиоэлектронные средства имеют широкое распространение как в повседневной жизни, так и в профессиональной деятельности. Однако, современная электроника имеет тенденцию к миниатюризации и переходу к нанометровым размерам, где преобладают другие физические законы и явления, которые важно знать для проектирования аппаратуры.
Нанотехнологию можно определить как сумму технологических процессов и методик, основанных на манипуляциях с отдельными атомами и молекулами с целью получения новых материалов, элементов и приборов. Нанотехнология открывает перспективы ее широкого использования в электронике.
Таким образом, необходимо иметь представление об основных методах, применяемых в нанотехнологии, и путях развития данной науки.
Зондовая нанотехнология - совокупность методов и способов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы, материала на уровне отдельных атомов, молекул и элементов нанометровых размеров с помощью острийного зонда с одновременной визуализацией и контролем процесса.
В основе зондовой нанотехнологии лежат уникальные приборы с зондом - сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) и атомно-силовой микроскоп (АСМ).
Сущность зондовой технологии на базе туннельного микроскопа заключается как в визуализации поверхности и объектов на ней, так и в формировании, модификации этой поверхности в нанометровой области.
Процессы нанотехнологии на основе зондовых методов базируются на ряде физико-химических явлений и эффектов.
Эффект полевой эмиссии. Автоэлектронная эмиссия представляет собой явление испускания электронов проводящими телами под действием внешнего электрического поля высокой напряженности.
На границе металл-вакуум существует потенциальный барьер , где - заряд электрона, - работа выхода электрона. При приложении к нему внешнего поля высота потенциального барьера снижается и протяженность барьера уменьшается. Согласно туннельному эффекту, электроны просачиваются сквозь барьер, создавая ток автоэлектронной эмиссии. Величина плотности этого тока отражена в формуле (1).
где - плотность тока автоэлектронной эмиссии, А;
Пондемоторные силы. Под пондемоторными силами понимают механические силы, возникающие в проводниках с током. В рассматриваемом случае проводниками с током являются зонд и область растекания тока в подложке. На поверхность под зондом действует пондемоторная сила, которая оценивается как отрицательное давление, нормальное к поверхности. Создаваемое механическое напряжение оценивается формулой (2).
- относительная диэлектрическая проницаемость среды между зондом и подложкой;
Поляризационные эффекты и модификация среды в зазоре. В области между зондом и подложкой возникает поляризация молекул среды и их перестройка. Формируются проводящие молекулярные мостики из адсорбированных молекул. Величина электрического поля, при которой образуются проводящие мостики, вычисляется по формуле (3).
где - напряженность электрического поля, при которой образуются проводящие мостики;
Полевое испарение. При высоких значениях напряженности электрического поля наблюдается явление испарения ионов, связанное с массопереносом в виде потока положительных ионов.
Локальные потоки тепла. Сверхплотные значения тока (вплоть до ) вызывают на подложке локальный разогрев, который может привести к локальным структурным изменениям вещества.
1.2 Контактное формирование нанорельефа
Контактное формирование нанорельефа представляет собой технологический процесс формирования заданного микрорельефа поверхности. Оно основано на воздействии зонда (СТМ или АСМ) на поверхность подложки при их механическом воздействии.
Для выравнивания поверхности подложки разработана методика использования адсорбата газа, находящегося на поверхностях зонда и подложки. При пластической деформации подложки в процессе касания зонда происходит выдавливание адсорбата из области соприкосновения. Время выдавливания оценивается величиной порядка 0,5 мс. Время выдавливания адсорбата увеличивается при наличии пленок окислов на поверхности электродов.
Гладкие подложки удается получить путем сканирования при вертикальной модуляции зонда на частоте порядка 1 кГц.
Другой способ заключается в локальном тепловыделении при прохождении больших плотностей тока через поверхность подложки.
1.4 Локальная глубинная модификация поверхности
Технологическая схема локальной глубинной модификации представлена на рисунке 1.
Рисунок 1 - Локальная глубинная модификация
Здесь к поверхности полупроводниковой подложки 2, защищенной окисным слоем 1 толщиной , подводится зонд 3 с радиусом закругления . Электрическое поле напряжения проникает в подложку на глубину . Под поверхностью на глубине формируется область пластической модификации радиусом .
Максимальная глубина залегания определяется по формуле (5), при этом соответствующее пороговое напряжение рассчитывается по формуле (6).
где - максимальная глубина залегания деформации, м;
- диэлектрическая проницаемость полупроводника;
- концентрация равномерно распределенных ионизированных примесей, ;
- диэлектрическая проницаемость пленки.
Рисунок 2 - Массоперенос отдельного атома
На подложке из газовой среды адсорбируются необходимые атомы. При поднесении зонда к этому атому его траектория искажается, благодаря чему легко получить информацию о топологии поверхности. Если приблизить острие к адсорбированному атому, то зонд за счет ванн-дер-ваальсовских сил может захватить атом. Данный атом можно оставить в любой точке поверхности, изменив приложенное к острию напряжение.
- токовая эффективность массопереноса;
Локальное анодное окисление представляет собой технологический процесс трансформации проводящих подложек путем их окисления в диэлектрические структуры с одновременной визуализацией и контролем формирующихся структур.
Рисунок 3 - Схема процесса локального анодного окисления: 1 - проводящее покрытие кантилевера; 2 - слой адсорбата; 3 - анодный оксид; 4 - собственный оксид материала; 5 - окисляемая пленка
В обычных атмосферных условиях поверхности покрыты пленкой из нескольких монослоев адсорбата. В процессе стимулирования током зонда атомного силового микроскопа под зондом образуется мениск. Под острием формируется наноячейка, в которой происходит окисление поверхности подложки. Толщина образующегося оксида зависит от приложенного потенциала и длительности процесса.
Масс-спектрометр является физическим прибором, служащим для разделения ионизированных частиц (атомов, молекул, кластеров) по их массам и зарядам путем воздействия электрическим и магнитным полями. При анализе определяется масса отдельных ионов и относительное их содержание, или спектр масс.
При масс-спректроскопии исследуемое вещество вводится за пределами вакуумной системы, затем в вакуумной системе оно ионизируется и формируется в пучок. Далее в масс-анализаторе происходит сепарация ионов из ионного пучка по величине и фокусировка ионов в небольшом телесном угле. Приемник ионов измеряет ионный ток и преобразует в электрический сигнал, далее этот сигнал усиливается и регистрируется с одновременной фиксацией как ионного тока, так и информации о массе ионов.
Различают статический и динамический типы масс-анализаторов.
В масс-анализаторе статического типа для сепарации ионов используются практически неизменные электрические и магнитные поля. В зависимости от значения ионы движутся по собственным траекториям, что демонстрирует рисунок 4.
Рисунок 4 - Схема статического масс-спектрометра с однородным магнитным полем: - ионный источник; - приемная щель; - область однородного магнитного поля, перпендикулярного к плоскости рисунка; - радиус центральной траектории ионов
В масс-анализаторе динамического типа для разделения ионов используется принцип контроля времени пролета одного расстояния атомами различной массы.
В радиочастотном масс-анализаторе используется принцип синхронизации прохождения сеточных каскадов для ионов определенной массы. Ионы других масс в этих каскадах либо тормозятся полем, либо не получают максимального ускорения, необходимого для прохождения сеток и попадания на коллектор. Радиочастотный масс-анализатор схематически изображен на рисунке 5.
Рисунок 5 - Схема радиочастотного масс-анализатора: 1, 2, 3 - сетки; - расстояние между сетками
Масса ионов, попадающих на коллектор определяется соотношением (8).
В квадрупольном масс-анализаторе также используется высокочастотное поле для сепарации ионов. На рисунке 6 изображена схема такого анализатора.
Рисунок 6 - Схема квадрупольного масс-анализатора: 1 - ввод пучка ионов; 2 - выходное отверстие; 3 - траектория электронов
Данный анализатор состоит из квадрупольного конденсатора, на две обкладки которого подается постоянное напряжение, а на две другие - ВЧ-напряжение.
На коллектор в данном случае попадают только те ионы, масса которых удовлетворяют условию (9), ионы других масс колеблются в поле и амплитуда их колебаний становится такой, что они достигают обкладок квадрупольного конденсатора и нейтрализуются.
Существуют также магниторезонансный, ионно-циклотронный резонансный масс-анализаторы.
Оже-спектроскопия является электронной спектроскопией, в основе которой лежат измерения энергий и интенсивностей токов оже-электронов, эмитированных атомами, молекулами и твердыми телами в результате оже-эффекта.
Пусть при взаимодействии атома с электроном ионизируется энергетический уровень из уровней , , , заполненных частично или полностью. В результате взаимодействия на уровне K образуется вакансия. Данное состояние для атома энергетически невыгодно, поэтому уровень может быть заполнен переходом электрона с более высокого уровня , при этом выделяется квант энергии, который может быть передан электрону на уровне . Если данной энергии достаточно для ионизации уровня, то будет испущен электрон. Данный электрон называется оже-электрон. Энергия оже-электрона зависит только от энергетического уровня, занимаемого ранее. Таким образом, по энергии оже-электрона можно определить его принадлежность определенному веществу.
Метод оже-спректроскопии, как правило, совмещают со сканирующим электронным микроскопом. В таком методе возможна визуализация участка поверхности одновременно с анализом ее состава.
Метод ионной масс-спектроскопии основан на бомбардировке поверхности пучком первичных ионов с последующим анализом выбитых ионов.
Различают несколько методик ионной масс-спектроскопии. Одной из методик, например, спектроскопия обратного резерфордовского рассеяния. В результате ионной бомбардировки выбиваются атомы и молекулы, находящиеся либо в возбужденном состоянии, либо в виде отрицательных или положительных ионов. При этом энергия бомбардирующих ионов находится в пределах 1 кэВ. Анализ вторичных ионов проводится в энергоанализаторе путем измерения .
Масс-спектроскопия вторично отраженных ионов позволяет распознать компонентный состав мишени, толщину слоев мишени.
Методика вторично-ионной масс-спектроскопии предполагает бомбардировку поверхности пучком тяжелых ионов с энергиями несколько кэВ. При этом из поверхности выбиваются либо атомы и молекулы в виде нейтральных частиц, находящихся в возбужденном состоянии, либо ионы. Данным методом можно определить концентрации присутствующих на исследуемой поверхности элементов.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия представляет собой метод исследования химического состава поверхности, основанный на анализе энергии электронов, вылетающих под действием рентгеновских фотонов.
Падающий электрон с энергией , где - частота колебаний, ионизирует соответствующую электронную оболочку исследуемого вещества. После в энергоанализаторе определяется кинетическая энергия эмитированного электрона, с помощью которой можно определить энергию связи и соответственно состав мишени.
Методы фотоэлектронной спектроскопии целесообразно использовать для определения типов наночастиц на поверхности твердого тела. Для этого нужно сравнить экспериментально наблюдаемые линии с рассчитанными энергиями связи уровней.
К методу рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) примыкает метод ультрафиолетовой электронной спектроскопии (УФЭС). В этом методе используются более низкие значения энергии фотонов для возбуждения электронов твердого тела. Метод УФЭС применяют для изучения зонной структуры поверхности.
Радиоспектроскопия представляет собой метод исследования резонансных спектров поглощения различных веществ в диапазоне радиоволн с целью получения информации о внутренней структуре твердых, жидких и газообразных тел, а также качественного и количественного химического анализа, определения структуры примесей и дефектов.
В методе радиоспектроскопии для получения спектров исследуемое вещество помещают в объемный резонатор и подвергают воздействию соответствующей компоненты электромагнитного поля.
Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) - метод радиоскопического исследования парамагнитного вещества, парамагнетизм которого обусловлен спинами электронов, на основе явления резонансного поглощения излучения радиочастотного диапазона ( Гц). Источником возникновения магнитного момента служит неспаренный спин или отличный от нуля суммарный спин электронов. В постоянном магнитном поле возникает система магнитных подуровней, между которыми возможны переходы с известными интервалами энергий. При выполнении условия (10) для одного электрона наступает резонанс.
где - фактор спектроскопического расщепления;
С помощью методики ЭПР возможно наблюдение сверхтонкого расщепление спектра за счет взаимодействия спина электрона со спином ядра. ЭПР используется для изучения поверхности твердых тел, фазовых переходов, неупорядоченных систем, структурных дефектов, межслойных образований, процессов рекомбинации.
Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) - метод радиоскопического исследования вещества при резонансном поглощении электромагнитной энергии, обусловленном ядерным парамагнетизмом.
ЯМР наблюдается в сильном магнитном поле при одновременном воздействии на образец слабого перпендикулярного радиочастотного магнитного поля . При взаимодействии постоянного магнитного поля с магнитным моментом ядра возникает прецессия ядра с резонансной частотой. Резонанс обнаруживается поглощением электромагнитной энергии и возникновением ЭДС в катушке, окружающей образец.
Методы ЯМР используются для изучения структуры и состава химических соединений, при исследовании динамики и механизмов химических реакций.
Ядерный квадрупольный резонанс (ЯКР) - метод радиоскопического исследования вещества при резонансном поглощении электромагнитной энергии атомными ядрами, уровни которых расщеплены вследствие взаимодействия электрического квадрупольного момента ядра с градиентами электрического поля внутри кристалла.
Рентгеновский структурный анализ представляет собой метод исследования атомного строения вещества по распределению в пространстве интенсивности рассеянного исследуемым образцом рентгеновского излучения.
В соответствии с теорией, развитой М. Лауэ и У. Брэггом, атомы в узлах кристаллической решетки представляют собой диагональные гармонические осцилляторы, колеблющиеся под действием рентгеновского пучка и когерентно переизлучающие волну рентгеновского излучения. Вторичные волны интерферируют, усиливая интенсивность излучения в одних направлениях и гася его в других. Полученная картина зависит от рассеивающей способности атомов, которая определяется электронной плотностью и пропорциональна атомному номеру элемента.
Метод Дебая-Шеррера. Данный метод исследования поликристаллов основан на использовании дифракции монохроматического рентгеновского излучения.
3.2 Анализ поверхности электронным пучком
Методы анализа поверхности, использующие электронные пучки, делятся на методы дифракции медленных электронов (ДМЭ) и отраженных быстрых электронов (ДОБЭ).
Под медленными электронами понимают электроны, энергии которых лежат в пределах сотой эВ, а значение того же порядка, что и у рентгеновского излучения. Электроны с энергией в десятки кэВ соответствуют длине волны г-излучения и называются быстрыми.
В отличие от рентгеновских лучей, которые рассеиваются на электронной плотности атомов, рассеивание электронов определяется их взаимодействием с электрическими полями атомов, которые создаются положительно заряженными ядрами и электронными оболочками атомов. Таким образом, рассеивание электронов зависит от атомного строения вещества.
Метод ДОБЭ основан на исследовании дифракции пучка быстрых электронов, падающих под скользящим углом на поверхность.
Метод ДМЭ основан на дифракции электронов до сотен эВ и предназначен для исследования структуры поверхностных слоев монокристаллов.
Пучок электронов направляется в мишень и дифрагирует на поверхности кристалла. Электронные лучи, рассеянные обратно, движутся в пространстве между кристаллом и сеткой. Далее электроны проходят через сетки, на которые подаются электрические потенциалы. Сетки способны задержать неупруго рассеянные на образце электроны и ускорить упруго рассеянные электроны, направив в экран.
Схема установки для исследования методов ДМЭ представлена на рисунке 7.
Рисунок 7 - Установка для исследования структуры на поверхности методом ДМЭ: , , - сетки
Принцип действия сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) заключается в измерении электронного тока за счет квантово-механического туннелирования электронов. С этой целью используется проводящий зонд, который подводится к исследуемой поверхности на расстояние возникновения туннельного тока.
При приложении напряжения на промежутке острие-образец возникает туннельный ток, который поддерживается постоянным за счет цепи обратной связи. Одновременно в системе обратной связи формируется разностный сигнал, который усиливается и подается на исполнительный элемент. На основе полученного сигнала исполнительный элемент приближает или отодвигает острие от поверхности, нивелируя разностный сигнал.
Острие движется над образцом вдоль, например, оси х. Величина сигнала на исполнительном элементе, пропорциональная рельефу поверхности, записывается в память компьютера. Так получается строчная развертка.
Затем острие возвращается в исходную точку, переходит на следующую строку по координате у, и процесс сканирования повторяется до заполнения кадра строками. В этом случае говорят о кадровой развертке.
Записанный при строчном и кадровом сканировании сигнал обратной связи обрабатывается компьютером, а изображение строится с помощью средств компьютерной графики.
В методе контактной атомно-силовой микроскопии острие зонда непосредственно соприкасается с поверхностью. В этом случае силы притяжения и отталкивания, действующие от образца, компенсируются силой упругости консоли.
В основе методе микроскопии электростатических сил (МЭС) лежит принцип электростатического взаимодействия между кантилевером и образцом.
Просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ) являются универсальными приборами многоцелевого назначения, использующие волновые свойства движущихся электронов.
Растровые оже-электронные микроскопы (РОЭМ) позволяют исследовать свойства оже-электронов и выявить распределение химических элементов в поверхностном слое объекта.
В процессе измерений поляризованный свет направляют на исследуемую поверхность. Отраженный свет будет нести информацию о состоянии поверхности. Анализ отраженного света производится с помощью системы оптических и фотоэлементов.
Методы исследования поверхности можно разделить на 2 группы: нулевые и ненулевые методы.
4.1 Теоретические и технологические проблемы скейлинга
Уменьшение геометрических параметров МДП-транзисторной структуры способствует улучшению электрических параметров и позволяет увеличить степень интеграции. Для линий межсоединений скейлинг параметров токоведущих дорожек приводит к резкому ухудшению токопереноса и последующей их деградации.
Рисунок 8 - Структура КНИ-транзистора (а) и TeraHertz -транзистора (б)
Для TeraHertz-транзисторов характерна низкая емкость перехода, высокая стойкость к облучению, высокое быстродействие и низкая потребляемая мощность. Приподнятые области истока/стока обеспечивают снижение паразитного сопротивления. Формирование же слоя оксида под всей структурой транзистора позволяет снизить токи утечки на два-четыре порядка.
Рисунок 9 - Структура FinFET -транзистора
Затвор формирует два самосовмещающихся канала, расположенных с двух сторон кремниевого тела. Передняя выступающая часть тела представляет собой исток, задняя - сток. Каналы индуцируются напряжением на затворах вдоль обеих сторон пластины.
Ток в транзисторе протекает в плоскости, параллельной плоскости тела. Активная ширина прибора равна высоте тела - высоте плавника. Это тело можно увеличивать путем параллельного включения многих столбиков, формирующих исток и сток. Таким образом, формируется активная область транзистора.
Чтобы обеспечить условия полного обеднения подложки носителями, необходимо подобрать соответствующее соотношение ширины и высоты тела транзистора - кремниевой вставки. Оптимальным считается равенство ширины и высоты тела-вставки и длины затвора транзистора .
Конструкторы нанотранзисторов фирмы Intel предложили трехмерную структуру транзистора с тройным затвором (Tri-Gate transistor. Особенностью такой конструкции является объемность электродов транзистора, а также управление током в определенной части кремниевой подложки "своим" затвором. В этом случае удается эффективно увеличить площадь транзистора, доступную для прохождения сигнала. Тройной затвор выполняется на ультратонком слое полностью обедненного кремния. В результате обеспечиваются малый ток утечки, высокое быстродействие в процессах переключения и значительно сокращается потребляемая мощность. Данный транзистор представлен на рисунке 10.
Рисунок 10 - Структура Tri - Gate транзистора
Зонные диаграммы гетеропереходов имеют разрывы зон, которые можно использовать для ограничения движения носителей заряда в направлении, перпендикулярном плоскости гетероперехода. В гетеропереходах носители заряда ведут себя по-разному в зависимости от направления движения, поэтому в направлении, перпендикулярном слою, энергетический спектр носителей заряда имеет дискретный характер, и имеет место размерное квантование. В двух других направлениях спектр носит непрерывный характер, и сохраняется зонная структура.
Технология полупроводниковых гетероструктур позволяет создавать системы с пониженной размерностью. Если движение носителей заряда ограничено в одном направлении, то формируется квантовая яма, в которой образуется двумерный электронный газ. Если ограничение движения носителей происходит в двух направлениях, то формируется квантовая нить. Нуль-мерная квантовая точка формируется в случае ограничения движения носителей по трем направлениям.
Гетеропереход формируется из широкозонного полупроводника и более узкозонного. На их границе происходит разрыв энергетического уровня. В качестве подзатворного диэлектрика используется широкозонный полупроводник, который вследствие искривления энергетических зон становится обедненным электронами. Канал представляет собой потенциальную яму, образованную в узкозонном проводнике на границе с более широкозонным.
Рисунок 13 - Структура HEMT -транзистора
Разработаны n-канальные и р-канальные НЕМТ-транзисторы, для которых создается потенциальная яма для дырок в узкозонном слое.
4.8 Резонансно-туннельные транзисторы
При долинном напряжении туннелирования не происходит потому, что в потенциальной яме нет совпадающих по энергии уровней.
4.9 Гетероструктурный транзистор на квантовых точках
Рисунок 14 - Структура модулированно-легированного т ранзистора с квантовыми точками: 1 - нелегированный слой Ga As; 2 - д(Si)- слой; 3, 4 - InAs
Такие гетероструктуры растят по модели Странски-Крастанова, согласно которой эпитаксиальный слой формируется на подложке с другими параметрами решетки. Квантовые точки возникают в слое, если его толщина превышает некоторое критическое значение.
Подвижность и концентрация электронов в двумерном газе уменьшаются из-за наличия квантовых точек. Это означает, что квантовыми точками захватывается меньшее число электронов.
Транспорт электронов в гетероструктурах с квантовыми точками имеет две компоненты. Одна компонента формируется подвижными электронами из двумерного газа и соответствует насыщению их дрейфовой скорости, другая обусловлена электронами, локализованными в квантовых ямах. Вторая компонента дает вклад в электронный транспорт только в сильных электрических полях.
В транзисторах на квантовых точках концентрация участвующих в транспорте электронов в сильных полях не зависит от напряжения на затворе. Пороговое же напряжение, необходимое для эмиссии электронов из квантовых точек, уменьшается, когда напряжение на затворе становится отрицательным.
Если в МОП-транзисторных структурах происходит запирание транзистора при отрицательных напряжениях на затворе, то в транзисторах на квантовых точках ток стока в области малых напряжений на стоке имеет тенденцию увеличения.
4.10 Нанотранзисторы на основе углеродных нанотрубок
Рисунок 15 - Схема нанотранзистора на углеродной нанотрубке
Транзисторы на нанотрубках выгодно отличаются от всех вышерассмотренных типов меньшими размерами и меньшим энергопотреблением.
Транзисторы выполняются на кремниевой подложке, покрытой слоем окисла.
5.1 Эффект одноэлектронного туннелирования
Туннельный переход формируется на основе двух проводников малого поперечного сечения, между которыми располагается тонкий слой диэлектрика. С помощью такой конструкции (туннельного перехода) можно управлять движением отдельных электронов.
Рассмотрим туннельный переход между двумя металлическими контактами и тонким слоем диэлектрика между ними. Такая конструкция, по сути, является плоским конденсатором. Вследствие нанометровых размеров туннельных переходов электрический заряд в емкости перехода квантуется. В этом случае при определенных условиях можно блокировать процесс туннелирования электронов.
Основы сканирующей зондовой микроскопии. История изобретения атомно-силового микроскопа. Основные технические сложности при создании микроскопа. Конструкция атомно-силового микроскопа, преимущества в сравнении с растровым электронным микроскопом. курсовая работа [231,8 K], добавлен 09.01.2012
История изобретения и эволюции микроскопа. Сканирующие зондовые микроскопы, их классификация по способу организации обратной связи. Принцип работы сканирующего туннельного, атомно-силового микроскопа. Особенности ближнепольной оптической микроскопии. презентация [3,1 M], добавлен 29.05.2014
Механика и принципы методов исследования поверхности твердого тела: вторичная электронная эмиссия; масс-спектрометрия. Принципы работы растрового электронного микроскопа. Разработка алгоритма расчетов секторных магнитов с однородным магнитным полем. дипломная работа [7,6 M], добавлен 22.02.2012
Сравнительные характеристики световых и электронных микроскопов. Растровая электронная микроскопия. Преимущества и недостатки сканирующей зондовой микроскопии по отношению к другим методам диагностики поверхности. Применение атомно-силового микроскопа. курсовая работа [1,2 M], добавлен 10.01.2014
Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем. курсовая работа [1,7 M], добавлен 15.06.2013
Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры. лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014
Теоретические основы проектирования полосового фильтра на сосредоточенных элементах. Метаматериалы и их использование в электронике. Типы элементов частотно-селективных поверхностей. Настройка резонансной частоты добавлением промежуточного слоя пластин. дипломная работа [1,7 M], добавлен 17.10.2016
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .

© 2000 — 2021



Введение в наноэлектронику реферат. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Контрольная Работа 1 По Алгебре 8 Класс
Контрольная работа по теме Творчество Н.В. Гоголя
Реферат по теме Миеломная болезнь
Сочинение На Тему Смысл Названия Бедная Лиза
Контрольная Работа Текстовые Задачи 2 Класс
Моро Контрольные Работы 4 Класс Гдз
Реферат по теме Развитие децентрализованного теплоснабжения
Сочинение Самые Интересные События Летних Каникул
Реферат Церкви И Монастыри Омска
Сочинение Образ Ростовой
Реферат по теме Кризис политической системы СССР в период 1986-1991 годов
Контрольная работа по теме Международные финансы
Реферат по теме Нелинейное программирование
Реферат: Социальные условия становления письменности и возникновение первых школ в Киевской Руси
Контрольная работа по теме Разрешение споров между организациями разных стран
Реферат: Вольтер и эпоха возрождения. Скачать бесплатно и без регистрации
Дипломная работа по теме Отказ от наследства
Сочинение: Если бы я стала мэром
Правосудие Эссе
Диссертация Германия
Требования, предъявляемые к криминологической информации - Государство и право контрольная работа
Британский истеблишмент и правые радикалы в 30-е годы XX века - История и исторические личности реферат
Представительство в суде - Государство и право курсовая работа