Vliyanie Radiatsii
👓 Chukov Georgiy,Gromov DmitriyVliyanie Radiatsii
✅ Blagodarya postoyannomu sovershenstvovaniyu iskhodnykh materialov i tekhnologicheskikh protsessov kharakteristiki poluprovodnikovykh priborov i mikroskhem dostigayut vse bolee vysokikh urovney. Shirokoe ispolzovanie poluprovodnikovykh geterostruktur dlya sozdaniya priborov tverdotelnoy SVCh elektroniki yavlyaetsya kharakternoy osobennostyu sovremennogo etapa razvitiya tekhnologicheskikh bazisov SVCh priborov i integralnykh skhem. Odnim iz naibolee perspektivnykh napravleniy razrabotki SVCh geterostrukturnykh elementov yavlyaetsya primenenie nitridov galliya pri sozdanii polevykh tranzistorov s vysokoy podvizhnostyu elektronov v kanale na osnove geterostruktury AlGaNGaN. Sleduet otmetit, chto germaniy, nakhodivshiysya dostatochno dolgoe vremya za bortom mikroelektroniki, v nastoyashchee vremya v sostave geterostruktury SiGe yavlyaetsya perspektivnym materialom dlya sozdaniya SVCh priborov. Tselyu dannoy raboty yavlyaetsya obobshchenie rezultatov, poluchennykh pri issledovanii vliyaniya ioniziruyushchikh izlucheniy na kharakteristiki sovremennykh i perspektivnykh izdeliy tverdotelnoy SVCh elektroniki na osnove poluprovodnikovykh geterostruktur AlGaNGaN i SiGe.
Также:
C. F. Abdy Williams «The Story of Organ Music»T.L. de Victoria «Regina caeli, laetare»
J. Schop «Sollt' ich meinem Gott nicht singen?»
Мера в урбанистике
F. Mögele «Loreley»