Усиление общим эмиттером

Скачать файл - Усиление общим эмиттером

Транзистор - полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода. Область кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют эмиттером и коллектором. Самой употребляемой схемой включения транзистора является схема включения с общим эмиттером, при которой через базу и эмиттер ток распространяется на коллектор. Биполярный транзистор используют для усиления электрического тока. Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя полупроводника p-n-p или n-p-n и соответственно два p-n —перехода. Каждый слой полупроводника через невыпрямляющий контакт металл-полупроводник подсоединен к внешнему выводу. Средний слой и соответствующий вывод называют базой, один из крайних слоев и соответствующий вывод называют эмиттером, а другой крайний слой и соответствующий вывод — коллектором. Транзистор называют биполярным, так как в процессе протекания электрического тока участвуют носители электричества двух знаков — электроны и дырки. Но в различных типах транзисторов роль электронов и дырок различна. Транзисторы типа n-p-nболее распространены в сравнении с транзисторами типа p-n-p, так как обычно имеют лучшие параметры. Это можно объяснить тем, что основную роль в электрических процессах в транзисторах типа n-p-n играют электроны, а транзисторах типа p-n-p — дырки. Электроны же обладают подвижностью в два-три раза большей, чем дырки. Важно отметить, что реально площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, так как такая несимметрия значительно улучшает свойства транзистора. Между базой и эмиттером транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, подсоединяют источник сигнала, а к коллектору — нагрузку. К эмиттеру транзистора подключают полюсы одинаковых знаков источников питания. Входным током каскада выступает ток базы транзистора, а выходным током — ток коллектора. На примере включения в электрическую цепь биполярного p-n-p транзистора. На практике обходятся одним источником питания, а не двумя. Направление протекания тока по выводам транзистора дано на рисунке. Включение n-p-n транзистора совершенно аналогично включению p-n-p транзистора, однако в данном случае придётся поменять полярность обоих источников питания. Коэффициент усиления каскада равен отношению тока коллектора к току базы и обычно может достигать от десятков до нескольких сотен. Транзистор, включённый по схеме с общим эмиттером, теоретически может дать максимальное усиление сигнала по мощности, относительно других вариантов включения транзистора. Входное сопротивление рассматриваемого каскада, равное отношению напряжения база-эмиттер к току базы, лежит в пределах от сотен до тысяч ом. Это меньше, чем у каскада с транзистором, подсоединённым по схеме с общим коллектором. Флюктуации температуры оказывают значительное влияние на режим работы транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, и поэтому следует применять специальные цепи температурной стабилизации. В связи с тем, что сопротивление коллекторного перехода транзистора в рассмотренном каскаде выше, чем в каскаде с общей базой, то необходимо больше времени на рекомбинацию носителей заряда, а, следовательно, каскад с общим эмиттером обладает худшим частотным свойством. Для усиления сигналов применяется активный режим работы транзистора. При работе транзистора в активном режиме его эмиттерный переход включается в прямом, а коллекторный — в обратном направлениях. Под действием прямого напряжения UЭБ происходит инжекция дырок из эмиттера в базу. Попав в базу n-типа, дырки становятся в ней неосновными носителями заряда и под действием сил диффузии движутся диффундируют к коллекторному р-n-переходу. Часть дырок в базе заполняется рекомбинирует имеющимися в ней свободными электронами. Однако ширина базы небольшая — от нескольких единиц до 10 мкм. Поэтому основная часть дырок достигает коллекторного р-n-перехода и его электрическим полем перебрасывается в коллектор. Очевидно, что ток коллектора IКp не может быть больше тока эмиттера, так как часть дырок рекомбинирует в базе. Так как коллекторный переход включен в обратном направлении часто говорят — смещен в обратном направлении , через него протекает также обратный ток IКБО, образованный неосновными носителями базы дырками и коллектора электронами. Поэтому полный ток коллектора транзистора, включенного по схеме с общей базой. Для восстановления электрической нейтральности базы в нее из внешней цепи поступает такое же количество электронов. Движение электронов из внешней цепи в базу создает в ней рекомбинационный ток IБ. Режимы работы БТ 1. Отсечка — оба перехода закрыты, обратно смещены 2. Насыщения — оба перехода смещены прямо 3. Активный режим — эммитеры прямо, колектор обратно 4 Активно инверсный — эммитеры обратно, колектор прямо. Защита персональных данных ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ. Увлечёшься девушкой-вырастут хвосты, займёшься учебой-вырастут рога - - или читать все Работа в аварийной ситуации I. Поработайте с лекционным материалом по теме занятия I. Поработайте с лекционным материалом по теме занятия. Выучите глоссарий по теме занятия I. Принципы централизации государственного управления. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Работа транзистора в схеме с общим эмиттером Между базой и эмиттером транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, подсоединяют источник сигнала, а к коллектору — нагрузку. Работа транзистора в схеме с общим эмиттером.