Тиристор т10 25 схема для исследования вах
Тиристор т10 25 схема для исследования вахСкачать файл - Тиристор т10 25 схема для исследования вах
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель ключ. Также тиристоры применяются в ключевых устройствах, например, силового электропривода. Вольт-амперная характеристика ВАХ тиристора нелинейна и показывает, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком лавинообразно и осуществляется внешним воздействием на прибор: После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала. Тиристор остаётся в открытом состоянии до тех пор, пока протекающий через него ток превышает некоторую величину, называемую током удержания. Устройство тиристоров показано на рис. Тиристор состоит из четырёх полупроводников слоёв , соединённых последовательно и отличающихся типами проводимости: Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором изменение его состояния. Прибор, не содержащий управляющих электродов, называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор, содержащий один управляющий электрод, называют триодным тиристором или тринистором \\\\\\\\\\\\\\\[1\\\\\\\\\\\\\\\] иногда просто тиристором , хотя это не совсем правильно. В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: У последних ВАХ симметрична, поэтому соответствующие приборы называются симметричными. Симметричные приборы изготавливаются из пяти слоёв полупроводников. Симметричный тринистор называется также симистором или триаком от англ. Следует заметить, что вместо симметричных динисторов , часто применяются их схемотехнические аналоги \\\\\\\\\\\\\\\[2\\\\\\\\\\\\\\\] , в том числе и интегральные, обладающие обычно лучшими параметрами. Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры не могут быть переведены в закрытое состояние что отражено в их названии с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения. Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении с управляющими электродами или без них , приведена на рис. Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам. В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение , отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом см. В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3 в зависимости от степени легирования различных областей. Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины W n1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением толщина обеднённой области при пробое меньше W n1 либо проколом обеднённый слой распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2. При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно смещён только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к переходу J2, инжектируются неосновные носители , которые уменьшают сопротивление перехода J2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растёт медленно, что соответствует участку на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как сопротивление перехода J2 всё ещё очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в область J2. При некотором значении напряжения порядка десятков или сотен вольт , называется напряжением переключения V BF точка 1 на ВАХ , процесс приобретает лавинообразный характер, тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью включается , и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи. Для объяснения характеристик прибора в режиме прямого запирания используется двухтранзисторная модель. Тиристор можно рассматривать как соединение p-n-p транзистора с n-p-n транзистором, причём коллектор каждого из них соединён с базой другого, как показано на рис. Центральный p-n переход действует как коллектор дырок , инжектируемых переходом J1, и электронов , инжектируемых переходом J3. Аналогичные соотношения можно получить для n-p-n транзистора при изменении направления токов на противоположное. В результате, когда общий коэффициент усиления в замкнутой петле превысит 1, оказывается возможным лавинообразный процесс увеличения тока через структуру, при этом напряжение на приборе становится равным порядка 1 В и ток ограничен только сопротивлением внешней цепи. Этот ток также протекает через коллектор n-p-n транзистора. Это уравнение описывает статическую характеристику прибора в диапазоне напряжений вплоть до пробоя. После пробоя прибор работает как p-i-n-диод. При таких условиях включение прибора не происходит, так как в качестве эмиттера носителей заряда работает только центральный p-n переход и лавинообразный процесс нарастания тока становится невозможным. Ширина обеднённых слоёв и энергетические зонные диаграммы в равновесии, в режимах прямого запирания и прямой проводимости показаны на рис. При нулевом напряжении на приборе обеднённая область каждого перехода и контактные потенциалы определяются только профилем распределения примесей. Падение напряжения между анодом и катодом равно алгебраической сумме падений напряжения на переходах: Благодаря регенеративному характеру этих процессов прибор в конце концов перейдёт в открытое состояние. После включения тиристора протекающий через него ток должен быть ограничен внешним сопротивлением нагрузки, в противном случае при достаточно высоком токе тиристор выйдет из строя. Во включённом состоянии переход J2 смещён в прямом направлении рис. Двухтранзисторная модель используется не только для изучения и описания процессов, происходящих в тиристоре. Включение p-n-p и n-p-n реальных транзисторов по приведённой схеме является схемотехническим аналогом тиристора и иногда используется в электронной аппаратуре. Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом направлении. Механизм данного эффекта обусловлен наличием паразитной ёмкости анод-управляющий электрод. Данный эффект ограничивает использование тиристоров в высокочастотных схемах, хотя иногда применяется для управления тиристором. По проводимости и количеству выводов \\\\\\\\\\\\\\\[3\\\\\\\\\\\\\\\] \\\\\\\\\\\\\\\[4\\\\\\\\\\\\\\\] \\\\\\\\\\\\\\\[5\\\\\\\\\\\\\\\]:. Принципиальных различий между динистором и тринистором нет, однако если открытие динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора, то в тринисторе напряжение открытия может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом, и конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода. Переключение в закрытое состояние обычных тиристоров производят либо снижением тока через тиристор до значения I h , либо изменением полярности напряжения между катодом и анодом. Запираемые тиристоры, в отличие от обычных тиристоров, под воздействием тока управляющего электрода могут переходить из закрытого состояния в открытое состояние, и наоборот. Чтобы закрыть запираемый тиристор, необходимо через управляющий электрод пропустить ток противоположной полярности, чем полярность, которая вызывала его открытие. Симистор симметричный тиристор представляет собой полупроводниковый прибор, по своей структуре является аналогом встречно-параллельного включения двух тиристоров. Способен пропускать электрический ток в обоих направлениях. Также следует помнить, что не все тиристоры допускают приложение обратного напряжения, сравнимого с допустимым прямым напряжением. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Обозначения условные в графических схемах. Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер. Диод Светодиод Фотодиод Полупроводниковый лазер Диод Шоттки Стабилитрон Стабистор Варикап Вариконд Магнитодиод Диодный мост Лавинный диод Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна Транзистор Биполярный транзистор Полевой транзистор КМОП-транзистор Однопереходный транзистор Фототранзистор Составной транзистор Баллистический транзистор Интегральная схема Цифровая интегральная схема Аналоговая интегральная схема Аналого-цифровая интегральная схема Гибридная интегральная схема Тиристор Симистор Динистор Фототиристор Оптрон Резисторная оптопара Датчик Холла. Электронная лампа Электровакуумный диод Триод Маячковая лампа Тетрод Лучевой тетрод Пентод Гексод Гептод Пентагрид Октод Нонод Механотрон Клистрон Магнетрон Амплитрон Платинотрон Электронно-лучевая трубка Лампа бегущей волны Лампа обратной волны Тиратрон Кенотрон Игнитрон. Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Микрофон Громкоговоритель Тензорезистор Пьезокерамический излучатель. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Статьи со ссылками на Викисловарь. Навигация Персональные инструменты Вы не представились системе Обсуждение Вклад Создать учётную запись Войти. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править вики-текст История. В других проектах Викисклад. Эта страница последний раз была отредактирована 1 июня в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Свяжитесь с нами Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Разработчики Соглашение о cookie Мобильная версия.
Как работают мощные силовые тиристоры
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель ключ. Также тиристоры применяются в ключевых устройствах, например, силового электропривода. Вольт-амперная характеристика ВАХ тиристора нелинейна и показывает, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком лавинообразно и осуществляется внешним воздействием на прибор: После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала. Тиристор остаётся в открытом состоянии до тех пор, пока протекающий через него ток превышает некоторую величину, называемую током удержания. Устройство тиристоров показано на рис. Тиристор состоит из четырёх полупроводников слоёв , соединённых последовательно и отличающихся типами проводимости: Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором изменение его состояния. Прибор, не содержащий управляющих электродов, называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор, содержащий один управляющий электрод, называют триодным тиристором или тринистором \\\\\\\\\\\\\\\\[1\\\\\\\\\\\\\\\\] иногда просто тиристором , хотя это не совсем правильно. В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: У последних ВАХ симметрична, поэтому соответствующие приборы называются симметричными. Симметричные приборы изготавливаются из пяти слоёв полупроводников. Симметричный тринистор называется также симистором или триаком от англ. Следует заметить, что вместо симметричных динисторов , часто применяются их схемотехнические аналоги \\\\\\\\\\\\\\\\[2\\\\\\\\\\\\\\\\] , в том числе и интегральные, обладающие обычно лучшими параметрами. Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры не могут быть переведены в закрытое состояние что отражено в их названии с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения. Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении с управляющими электродами или без них , приведена на рис. Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам. В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение , отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом см. В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3 в зависимости от степени легирования различных областей. Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины W n1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением толщина обеднённой области при пробое меньше W n1 либо проколом обеднённый слой распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2. При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно смещён только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к переходу J2, инжектируются неосновные носители , которые уменьшают сопротивление перехода J2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растёт медленно, что соответствует участку на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как сопротивление перехода J2 всё ещё очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в область J2. При некотором значении напряжения порядка десятков или сотен вольт , называется напряжением переключения V BF точка 1 на ВАХ , процесс приобретает лавинообразный характер, тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью включается , и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи. Для объяснения характеристик прибора в режиме прямого запирания используется двухтранзисторная модель. Тиристор можно рассматривать как соединение p-n-p транзистора с n-p-n транзистором, причём коллектор каждого из них соединён с базой другого, как показано на рис. Центральный p-n переход действует как коллектор дырок , инжектируемых переходом J1, и электронов , инжектируемых переходом J3. Аналогичные соотношения можно получить для n-p-n транзистора при изменении направления токов на противоположное. В результате, когда общий коэффициент усиления в замкнутой петле превысит 1, оказывается возможным лавинообразный процесс увеличения тока через структуру, при этом напряжение на приборе становится равным порядка 1 В и ток ограничен только сопротивлением внешней цепи. Этот ток также протекает через коллектор n-p-n транзистора. Это уравнение описывает статическую характеристику прибора в диапазоне напряжений вплоть до пробоя. После пробоя прибор работает как p-i-n-диод. При таких условиях включение прибора не происходит, так как в качестве эмиттера носителей заряда работает только центральный p-n переход и лавинообразный процесс нарастания тока становится невозможным. Ширина обеднённых слоёв и энергетические зонные диаграммы в равновесии, в режимах прямого запирания и прямой проводимости показаны на рис. При нулевом напряжении на приборе обеднённая область каждого перехода и контактные потенциалы определяются только профилем распределения примесей. Падение напряжения между анодом и катодом равно алгебраической сумме падений напряжения на переходах: Благодаря регенеративному характеру этих процессов прибор в конце концов перейдёт в открытое состояние. После включения тиристора протекающий через него ток должен быть ограничен внешним сопротивлением нагрузки, в противном случае при достаточно высоком токе тиристор выйдет из строя. Во включённом состоянии переход J2 смещён в прямом направлении рис. Двухтранзисторная модель используется не только для изучения и описания процессов, происходящих в тиристоре. Включение p-n-p и n-p-n реальных транзисторов по приведённой схеме является схемотехническим аналогом тиристора и иногда используется в электронной аппаратуре. Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом направлении. Механизм данного эффекта обусловлен наличием паразитной ёмкости анод-управляющий электрод. Данный эффект ограничивает использование тиристоров в высокочастотных схемах, хотя иногда применяется для управления тиристором. По проводимости и количеству выводов \\\\\\\\\\\\\\\\[3\\\\\\\\\\\\\\\\] \\\\\\\\\\\\\\\\[4\\\\\\\\\\\\\\\\] \\\\\\\\\\\\\\\\[5\\\\\\\\\\\\\\\\]:. Принципиальных различий между динистором и тринистором нет, однако если открытие динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора, то в тринисторе напряжение открытия может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом, и конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода. Переключение в закрытое состояние обычных тиристоров производят либо снижением тока через тиристор до значения I h , либо изменением полярности напряжения между катодом и анодом. Запираемые тиристоры, в отличие от обычных тиристоров, под воздействием тока управляющего электрода могут переходить из закрытого состояния в открытое состояние, и наоборот. Чтобы закрыть запираемый тиристор, необходимо через управляющий электрод пропустить ток противоположной полярности, чем полярность, которая вызывала его открытие. Симистор симметричный тиристор представляет собой полупроводниковый прибор, по своей структуре является аналогом встречно-параллельного включения двух тиристоров. Способен пропускать электрический ток в обоих направлениях. Также следует помнить, что не все тиристоры допускают приложение обратного напряжения, сравнимого с допустимым прямым напряжением. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Обозначения условные в графических схемах. Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер. Диод Светодиод Фотодиод Полупроводниковый лазер Диод Шоттки Стабилитрон Стабистор Варикап Вариконд Магнитодиод Диодный мост Лавинный диод Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна Транзистор Биполярный транзистор Полевой транзистор КМОП-транзистор Однопереходный транзистор Фототранзистор Составной транзистор Баллистический транзистор Интегральная схема Цифровая интегральная схема Аналоговая интегральная схема Аналого-цифровая интегральная схема Гибридная интегральная схема Тиристор Симистор Динистор Фототиристор Оптрон Резисторная оптопара Датчик Холла. Электронная лампа Электровакуумный диод Триод Маячковая лампа Тетрод Лучевой тетрод Пентод Гексод Гептод Пентагрид Октод Нонод Механотрон Клистрон Магнетрон Амплитрон Платинотрон Электронно-лучевая трубка Лампа бегущей волны Лампа обратной волны Тиратрон Кенотрон Игнитрон. Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Микрофон Громкоговоритель Тензорезистор Пьезокерамический излучатель. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Статьи со ссылками на Викисловарь. Навигация Персональные инструменты Вы не представились системе Обсуждение Вклад Создать учётную запись Войти. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править вики-текст История. В других проектах Викисклад. Эта страница последний раз была отредактирована 1 июня в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Свяжитесь с нами Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Разработчики Соглашение о cookie Мобильная версия.
Тиристор силовой Т10-25-10
Service Temporarily Unavailable
Презентация на тему виды гимнастики
Вяжущее ощущение во рту причины