Типы схем озу
Типы схем озуСтатическая память
=== Скачать файл ===
Динамическая оперативная память
3. Запоминающие устройства
Схемы, в которых в качестве запоминающей ячейки используется параллельный регистр называются статическим оперативным запоминающим устройством - статическим ОЗУ RAM - random access memory - память с произвольным доступом , так как информация в нем сохраняется все время, пока к микросхеме ОЗУ подключено питание. В отличие от статической ОЗУ в микросхемах динамического ОЗУ постоянно требуется регенерировать их содержимое, иначе информация будет испорчена. В современной компьютерной системе используется память различного типа: Главное требование к памяти:. Ячейка ОЗУ строилась на базе транзисторного каскада, который мог содержать до 10 транзисторов. Быстродействие у статической памяти было высокое, поскольку время переключения транзисторов из одного состояния в другое очень мало. Однако, такое количество транзисторов в расчете на одну ячейку памяти занимало довольно большой физический объем, т. Второй неприятной особенностью статического массива памяти стал тот факт, что транзисторы потребляют относительно большой уровень энергии, что также накладывает свои ограничения на максимальный объем памяти. Указанных выше недостатков лишена динамическая память , ячейка которой состоит из конденсатора и управляющего транзистора. Когда конденсатор заряжен - это одно логическое состояние, когда разряжен - другое. Двух состояний вполне достаточно, поскольку компьютерная система работает с двоичным кодом сигнал либо есть - логическая '1', либо сигнала нет - логический '0'. Конденсатор и транзистор занимают места гораздо меньше, чем несколько транзисторов. Энергопотребление такого тандема тоже гораздо ниже. Но, с быстродействием возникают проблемы. Но, поскольку, основополагающим требованием для оперативной памяти является ее объем современные модули памяти имеют объем в несколько Гб , то динамическая память оказалась предпочтительней, несмотря на то, что она работает медленнее и имеет сложную схему управляющего контроллера. Основой ячейки памяти в ЗУ статического типа является триггер. В качестве базовых элементов для реализации триггера могут использоваться как биполярные транзисторы, так и полевые. Однако первые не нашли широкого применения в силу большой потребляемой мощности построенных на их основе микросхем памяти. Поэтому оптимальным является использование полевых транзисторов. Для отпирания такого транзистора напряжение на его затворе относительно истока должно быть меньше нуля: В микросхемах ОЗУ присутствуют две операции: Для записи и чтения информации можно использовать различные шины данных как это делается в сигнальных процессорах , но чаще используется одна и та же шина данных. Это позволяет экономить внешние выводы микросхем, подключаемых к этой шине и легко осуществлять коммутацию сигналов между различными устройствами. Структурная схема статического ОЗУ приведена на рисунке 2. Вход и выход ОЗУ в этой схеме объединены при помощи шинного формирователя. Естественно, что схемы реальных ОЗУ будут отличаться от приведенной на этом рисунке. Тем не менее, приведенная схема позволяет понять как работает реальное ОЗУ. Условно-графическое обозначение ОЗУ на принципиальных схемах приведено на рисунке 3. Сигнал записи WR позволяет записать логические уровни, присутствующие на информационных входах во внутреннюю ячейку ОЗУ RAM. Сигнал чтения RD позволяет выдать содержимое внутренней ячейки памяти на информационные выходы микросхемы. В приведенной на рисунке 1 схеме невозможно одновременно производить операцию записи и чтения, но обычно это и не нужно. Конкретная ячейка ОЗУ выбирается при помощи двоичного кода - адреса ячейки. Объем памяти ОЗУ RAM зависит от количества ячеек, содержащихся в ней или, что то же самое, от количества адресных проводов. Количество ячеек в ОЗУ можно определить по количеству адресных проводов, возводя 2 в степень, равную количеству адресных выводов в микросхеме:. Вывод выбора кристалла CS микросхем ОЗУ позволяет объединять несколько микросхем для увеличения объема памяти ОЗУ. Такая схема приведена на рисунке 3. Статические ОЗУ требуют для своего построения большой площади кристалла, поэтому их ёмкость относительно невелика. Статические ОЗУ применяются для построения микроконтроллерных схем из-за простоты построения принципиальной схемы и возможности работать на сколь угодно низких частотах, вплоть до постоянного тока. Кроме того статические ОЗУ применяются для построения КЭШ-памяти в универсальных компьютерах из-за высокого быстродействия статического ОЗУ. Этот сайт создан на Jimdo! Зарегистрируйтесь бесплатно на https: Цифровая схемотехника Студентам Лекции - МДК История ЭВМ 1 Классификация и основные параметры цифровых микросхем 2 Характеристики цифровых сигналов 3 Напряжения и величины сигналов различных логик 4 Логические элементы и способы построения логических элементов 5 Асинхронные RS триггеры 6 Синхронные RS триггеры 7 D триггеры 8 T триггеры 9 Двухступенчатые триггеры 10 JK триггеры 11 Счётчики электрических импульсов 12 Суммирующие и вычитающие счетчики 13 Счётчики с произвольным коэффициентом пересчёта 14 Делители частоты 15 Регистры. Классификационные признаки регистров 16 Регистры сдвига 17 Шифраторы 18 Дешифраторы 19 Мультплексоры 20 Демультиплексоры 21 Кодопреобразователи 22 Коды Грея 23 Аналоговые компараторы 24 Цифровые компараторы 25 Одноразрядный полусумматор. Полные сумматоры 26 Сумматор параллельного действия 27 Сумматор последовательного действия 28 Программируемые логические матрицы 29 Виды памяти и её параметры 30 Устройство памяти компьютера 31 Настройка памяти ПК 32 Типы постоянных запоминающих устройств 33 Оперативное запоминающее устройство 34 Элементная база ОЗУ 35 Динамическая память 36 Статическая память 37 Сверхоперативная память регистровая 38 Флеш память 39 Аналого-цифровые преобразователи 39 Квантование и кодирование информации 40 Цифро-аналоговые преобразователи 41 Маркировка микросхем 41 Маркировка радиодетатей 42 Производство микросхем 42 Производство транзисторов 43 Микроконтроллеры и их применение 45 Сопряжение МК с периферийными устройствами. Виды развязок 48 Микроконтроллеры Микроконтроллеры и область применения. Структура и основные характеристики МК 49 Порты МК АТ16 50 ПО для программирования МК 56 Микроконтроллерное управление шаговыми и серводвигателями 57 Обмен данными по интерфейсам МК Atmega 58 МК в робототехнике и робот Монитринг деятельности студента Самостоятельная работа Домашние задания Практические занятия Здоровье сбережение Варианты самостоятельных работ Online тестирование Новинки техники и технологий Литература Для проектирования. Главное требование к памяти: Поэтому, для нормальной работы динамической памяти требуется периодическая регенерация памяти подзаряд конденсаторов , что усложняет электрическую схему работы динамической памяти. Количество ячеек в ОЗУ можно определить по количеству адресных проводов, возводя 2 в степень, равную количеству адресных выводов в микросхеме: О компании Защита данных Карта сайта. Jimdo Этот сайт создан на Jimdo!
Классификация рефлексов физиология таблица
Характеристика хрящевых и костных рыб таблица
Линейный график производства работ пример
Пополнение карты сбербанка через яндекс деньги
Служба по контракту ростовская область
Приказ министерства образования и науки рф 15
Кораблик для завоза своими руками