Тетрахлорид Кремния Химические Свойства
⚡ 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻
Тетрахлорид Кремния Химические Свойства
Четыреххлористый кремний — простейшее соединение кремния с хлором. Существуют также многочисленные галогениды общей формулы Si„X2„+2, в которых атомы кремния связаны друг с другом в виде цепей. При максимальной длине цепи, содержащей 25 атомов кремния, Si2sCl52 имеет вид бесцветной пластической массы. Известны также смешанные галогениды SiCUBr, SiCUF и др.
Четыреххлористый кремний или тетрахлормоносилан прн обычных условиях представляет собой бесцветную жидкость плотностью 1,487 г/см3 (при 20°), кипящую при 57° и замерзающую при —67°. Давление пара над жидким SiCl4 при 20° равно 195,86 мм рт. ст. (рис. 450) и в зависимости от температуры может быть подсчитано по формуле lgP = 7,644—1572,17-'.
Во влажном воздухе четыреххлористый кремний дымит вследствие гидролиза м образования хлористого водорода. С газообразным аммиаком дает очень густой дым. С водой SiCl4 бурно реагирует с выделением большого количества тепла и образованием бесцветного студенистого осадка 133. С окислами многих металлов образует соответствующие хлориды.
При взаимодействии с водородом (и другими восстановителями) SiCl4 образует три - хлорсилан HSiCU и другие хлорзамещен - ные силана, имеющие большое значение в органическом синтезе.
Четыреххлористый кремний является исходным материалом при синтезе кремний - органических соединений, используемых для получения диэлектриков, лакокрасочных жаростойких покрытий, смазочных материалов, уплотнительных материалов, гидрофобизирующих средств для защиты от влаги различных изделий и т. д.134. Среди кремнийорганических соединений известны кремнийорганические смолы, кремнийорганический каучук, широко применяемый для получения теплостойкой резиновой изоляции проводов, теплостойких прокладок и др. 135~138, Четыреххлористый кремний используют в качестве средства для создания дымовых завес. Он служит для получения аэросила — безводной высокодисперсной двуокиси кремния, используемой в качестве наполнителя в производстве термостойких резин на основе силиконового каучука. При ги-i дролизе SiCU в пламени водорода при 750—1000° образуется139'140 весьма однородная двуокись кремния с размерами частиц от 10 до 40 ммк. В зависимости от режима гидролиза можно получать кремнезем с удельной поверхностью от 50 до 450 м2/г.
Рис. 450. Давление пара Над жидким SiCl4.
Наполнители типа аэросила отличаются от кремнезема, полученного методом осаждения, однородностью структуры, отсутствием внутренних пор, низкой концентрацией поверхностных гидроксилов. Это обеспечивает лучшее совмещение наполнителя с молекулами органических полимеров.
SiCU употребляют для получения чистого кремния-полупроводника ■— восстановлением его парами цинка при высокой температуре. Образование элементарного кремния возможно также путем диспропорционирования 141> 142 субхлорида, полученного восстановлением SiCU водородом:
SiCl4 + Н2 = SiCl2 + 2НС1 2SiCl2 ± Si + SiCl4
Согласно ГОСТ 8767—58, четыреххлористый кремний, получаемый хлорированием металлического кремния и ферросилиция, должен представлять собой прозрачную бесцветную или желтоватую жидкость плотностью 1,48—1,50 г/см3 (20°). Максимально допустимое содержание в нем железа равно 0,001%. Четыреххлористый кремний должен иметь следующий фракционный состав, определяемый при барометрическом давлении 760 мм рт. ст.: температура начала перегонки не менее 55°, температура конца перегонки не более 59°, остаток после перегонки не более 2,5%). Четыреххлористый кремний транспортируют в стальных цистернах и в стальных бочках. Цистерны снабжены сифонами и защитными зонтами от солнечных лучей, а бочки — пробками с колпаками. При транспортировании SiCU в цистернах допускается наличие в нем легкой мути.
При производстве четыреххлористого титана хлорированием титанистого сырья входящие в его состав соединения кремния превращаются почти на 50% в четыреххлористый кремний. Образующиеся пары SiCU конденсируются вместе с TiCU; после очистки TiCU от других примесей отделение SiCU производят ректификацией. Четыреххлористый кремний получается в виде дистиллята, загрязненного небольшим количеством TiCl4. После дополнительной дистилляции получают чистый продукт.
Аналогичным образом получают SiCU как побочный продукт при переработке хлорированием титано-ниобиево-танталового сырья6. Из отходящих газов производства хлористого алюминия SiCU получают абсорбцией керосином при —15° с последующей отгонкой ыз.
К старым способам получения SiCl4 относятся хлорирование кремния, обработка кремнезема треххлористым бором, а также хлорирование ферросилиция, прокаливание карборунда в токе хлора при 1000—1200°, обработка смеси кремнезема и угля полухлористой серой или фосгеном 144,145. Получение четыреххлористого кремния из элементарного кремния наиболее просто. Взаимодействие кремния с хлором с образованием SiCU протекает ниже 1000°.
Выше 1000° отношение CI: Si Уменьшается 146 и составляет при 1400° -—-2,1 вследствие реакции:
В присутствии катализатора из активированного металла (например, меди) синтез SiCU может быть осуществлен 147 при температуре ниже 150°. Это позволяет почти полностью исключить хлорирование примесей, содержащихся в кремнии. Вместо активированной меди можно применить добавку к кремнию порошка меди 148 с предварительной обработкой смеси водородом при 250°. В присутствии катализаторов возможно не только снижение температуры, но и изменение направления хлорирования. Так, в присутствии хлорида аммония или хлоридов щелочных149 или щелочноземельных металлов150 взаимодействие кремния, а также ферросилиция с хлором при 150—250° приводит к образованию гексахлорида кремния Si2Cl6.
Карбид кремния (карборунд) реагирует с хлором 151 при 700— 950°:
Для очистки реактора от накапливающегося элементарного углерода в зону реакции вместо хлора периодически вводят воздух, который частично окисляет углерод до окиси и двуокиси углерода и частично механически уносит мелкодисперсную сажу.
Наибольшее количество четыреххлористого кремния получают из ферросилиция, содержащего 70—90% Si. Он начинает реагировать с хлором ниже 300°. Оптимальная температура хлорирования 550—600°152. Выход SiCU составляет 90—95%. При пониженных температурах увеличивается выход побочных продуктов — гекса - хлордисилана и других хлоропроизводных, например Si2ClG, Si3Cl8. При очень тонком измельчении ферросилиция (а также элементарного кремния) и быстром потоке хлора с отводом продуктов реакции образование SiCU с выходом 96% протекает при обычной температуре 163. Представляется перспективным освоение производства четыреххлористого кремния из более дешевого, чем ферросилиций, кремнеземистого сырья, в частности диатомита, содержащего небольшое количество Fe203, что облегчит очистку продукта от FeCl3. Вследствие пористой структуры и активности находящегося в нем кремнезема диатомит хлорируется 154 в присутствии угля при пониженной температуре 730—750°. Выход SiCU составляет 45—50% при хлорировании брикетов из диатомита и угля, приготовленных с применением сульфитного щелока в качестве связующего 154. При осуществлении процесса в среде расплавленных солей (эквимолекулярной смеси хлоридов натрия и калия) создается хороший контакт между измельченной шихтой из диатомита и угля и хлором. В этих условиях степень перехода Si02 из диатомита в SiCU составляет при 750° 95—97% |55.
Заслуживает внимания получение четыреххлористого кремния хлорированием мелкозернистых силикатов или кварца в электрической печи кипящего слоя в присутствии избытка углерода 15<3. Расход электроэнергии на 1 т SiCl4 составляет 1100—1300 квт-ч.
Четыреххлористый кремний образуется в качестве побочного продукта при хлорировании руд редких металлов 157 и др. При хлорировании циркона в присутствии кокса в псевдоожиженном слое при 900—1400° процесс значительно интенсифицируется при добавке 0,5—2% КС1 (по отношению к весу хлорируемого материала) 158. Степень использования газообразного хлора в присутствии добавки КС1 увеличивается на 7—10% и достигает ~98%. Образующиеся продукты хлорирования ZrCl4 и SiCl4 раздельно конденсируют и очищают.
Представляет интерес выделение SiCl4 из газов хлорирования каолина с применением в качестве абсорбента монохлорбензола или парафинового масла 159. Поглощенный SiCl4 выделяется путем дистилляции и последующей ректификацией получают продукт высокой чистоты.
Очистка сырого четыреххлористого кремния осуществляется в основном ректификацией и мало чем отличается от очистки сырого TiCl4, за исключением химической обработки для удаления соединений ванадия, которая в этом случае зачастую не нужна, особенно при получении SiCl4 из элементарного кремния или диатомита. Примесь PCI5 можно отделить добавкой А1С13; образующийся комплекс А1С13• РС15 отделяют от SiCl4 дистилляцией 160.
Вместо А1С13 рекомендуют 161 применять в качестве адсорбента А1203 с покрытием из PtCl4, образующей с РС13 хелатное соединение.
Очистка SiCl4 от следов хлорида бора может быть произведена с помощью металлического алюминия 162. Процесс основан на взаимодействии при 200—260° хлорида бора с алюминием (в отличие от SiCl4) с образованием чистого бора и А1С13, который уходит с парами. Последовательной конденсацией паро-газовой смеси получают чистые SiCl4 и А1С13.
Предложено производить очистку сырого четыреххлористого кремния от примеси TiCl4 при помощи 95%-ной серной кислоты или смеси ее с хлорсульфоновой кислотой или фосфорной кислотой 163. Эти кислоты образуют нелетучие соединения с TiCl4, хорошо растворимые в кислоте и не растворимые в хлориде кремния. При обработке кислотой жидкого SiCl4 через некоторое время после тщательного перемешивания жидкостей отделяется слой очищенного хлорида кремния. Более предпочтительной является обработка газообразного SiCl4, при которой одновременно отделяются и более высококипящие силоксаны, конденсирующиеся и собирающиеся на поверхности кислоты.
Родентициды это средства защиты от грызунов. Их применяют для уничтожения крыс, мышей и некоторых видов диких хомяков. Применять их в качестве уничтожителя начинают в том случае, если грызуны становятся стихийным …
При взаимодействии хлорита натрия с хлором происходит образование хлористого натрия и выделяется двуокись хлора: 2NaC102 + С12 = 2NaCl + 2 СЮ2 Этот способ ранее был основным для получения двуокиси …
На рис. 404 представлена схема производства диаммонитро - фоски (типа TVA). Фосфорная кислота концентрацией 40—42,5% Р2О5 из сборника 1 насосом 2 подается в напорный бак 3, из которого она непрерывно …
Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235 77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)
+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД
+38 096 992 9559 Инна (вайбер, вацап, телеграм)
Эл. почта: inna@msd.com.ua
Любые материалы сайта можно публиковать с ссылкой на источник.
© 1999–2019 Карта сайта
Тетрахлорид кремния - Silicon tetrachloride - Википедия
ЧЕТЫРЕХХЛОРИСТЫЙ КРЕМНИИ Физико-химические свойства
Кремния тетрахлорид - Silicon tetrachloride - qaz.wiki
Кремний . Химия кремния и его соединений | CHEMEGE.RU
Хлорид кремния (IV) (тетрахлорид кремния , кремний четыреххлористый...
Из Википедии, бесплатной энциклопедии
Фазовое поведение
твердое тело – жидкость – газ
Если не указано иное, данные приведены для материалов в их стандартном состоянии (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
Тетрахлорид кремния или тетрахлорсилан представляет собой неорганическое соединение с формулой SiCl 4 . Это бесцветная летучая жидкость, которая дымится на воздухе. Он используется для производства кремния и кремнезема высокой чистоты для коммерческого использования.
Тетрахлорид кремния получают хлорированием различных соединений кремния, таких как ферросилиций , карбид кремния или смеси диоксида кремния и углерода. Ферросилиций путь наиболее распространен.
В лаборатории, SiCl 4 может быть получен путем обработки кремния с хлором :
Впервые он был подготовлен Йенсом Якобом Берцелиусом в 1823 году.
Рассол может быть загрязнен кремнеземом, если производство хлора является побочным продуктом процесса очистки металла от хлоридной руды. В редких случаях диоксид кремния в диоксиде кремния превращается в тетрахлорид кремния при электролизе загрязненного рассола .
Как и другие хлорсиланы, тетрахлорид кремния легко реагирует с водой :
Напротив, четыреххлористый углерод нелегко гидролизуется. Реакция может быть замечена при контакте жидкости с воздухом, пар выделяет пары, поскольку он реагирует с влагой, давая облачный аэрозоль соляной кислоты .
При более высоких температурах гомологи тетрахлорида кремния могут быть получены по реакции:
Фактически, хлорирование кремния сопровождается образованием гексахлордисилана Si 2 Cl 6 . Ряд соединений, содержащих до шести атомов кремния в цепи, можно выделить из смеси с помощью фракционной перегонки .
Тетрахлорид кремния по своей реакционной способности является классическим электрофилом. При обработке реактивами Гриньяра и литийорганическими соединениями он образует различные кремнийорганические соединения :
Восстановление гидридными реагентами дает силан .
Тетрахлорид кремния используется в качестве промежуточного продукта при производстве поликремния , сверхчистой формы кремния, поскольку он имеет точку кипения, удобную для очистки путем повторной фракционной перегонки . Он восстанавливается до трихлорсилана (HSiCl 3 ) газообразным водородом в реакторе гидрирования и либо напрямую используется в процессе Сименса, либо далее восстанавливается до силана (SiH 4 ) и вводится в реактор с псевдоожиженным слоем . Тетрахлорид кремния снова появляется в обоих этих двух процессах в качестве побочного продукта и возвращается в реактор гидрирования. Была проведена парофазная эпитаксия восстановления тетрахлорида кремния водородом примерно при 1250 ° C:
Произведенный поликремний в больших количествах используется в качестве пластин в фотоэлектрической промышленности для обычных солнечных элементов, изготовленных из кристаллического кремния, а также в полупроводниковой промышленности.
Тетрахлорид кремния также можно гидролизовать до коллоидального кремнезема . Тетрахлорид кремния высокой чистоты используется в производстве оптических волокон. Этот сорт не должен содержать водород, содержащий примеси, такие как трихлорсилан. Оптические волокна изготавливаются с использованием таких процессов, как MCVD и OFD, где тетрахлорид кремния окисляется до чистого кремнезема в присутствии кислорода.
В Китае сообщалось о загрязнении в результате производства тетрахлорида кремния, связанном с повышенным спросом на фотоэлектрические элементы, который стимулировался программами субсидирования. В паспорте безопасности материалов отмечается, что следует «избегать любого контакта! Во всех случаях обращаться к врачу! ... вдыхание вызывает боль в горле и чувство жжения».
This page is based on the copyrighted Wikipedia article "Silicon_tetrachloride" (Authors); it is used under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License. You may redistribute it, verbatim or modified, providing that you comply with the terms of the CC-BY-SA.
Cookie-policy To contact us: mail to admin@qwerty.wiki
Change privacy settings
Порно Онлайн Бейсбольная Бита
Порно Видео Русская Баня
Порно Мультики Онлайн Симсоны
Порно Золушка Скачать Через Торрент
Шерил Ли Секс Фото
