Современные системы моделирования типа Spice
Современные системы моделирования типа SpiceСовременные системы моделирования типа Spice
Рады представить вашему вниманию магазин, который уже удивил своим качеством!
И продолжаем радовать всех!)
Мы - это надежное качество клада, это товар высшей пробы, это дружелюбный оператор!
Такого как у нас не найдете нигде!
Наш оператор всегда на связи, заходите к нам и убедитесь в этом сами!
Наши контакты:
Telegram:
ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много фейков!
Проверка и создание модели Проведение проверки SPICE моделей является необходимой и важной частью проектирования схем. От точности введенных параметров зависит правильность и корректность работы проектируемой схемы. Следует отметить, что имя компонента следует вводить только латинскими буквами. В следующие поля можно ввести произвольные комментарии вот здесь можно использовать и символы кириллицы. На первом экране в таблицу данных заносят значения тока коллектора Iс и напряжения база-эмиттер Vbe в режиме насыщения. При вбивании в таблицу значений на выходе получаем коэффициенты, которые получаются благодаря решению математических выражений, заложенных в программу создания SPICE моделей их мы всегда может определить по значениям в правом нижнем углу, они автоматически генерируются при внесении значений в таблицу , в нашем случае — MicroCap. Параметры биполярного транзистора на выходе создания SPICE моделей и их физический смысл В ТУ обычно даются параметры статического коэффициента передачи по току, напряжения насыщения коллектор — эмиттер, барьерная емкость перехода коллектор — база и время накопления заряда. Лабораторные измерения дополнительные справочные проводят для параметров функции тока коллектора от напряжения база — эмиттер, функции выходной проводимости от тока коллектора, функции барьерной емкости перехода эмиттер — база. Задание параметров площади усиления от тока коллектора Полученные результаты: При знании всех необходимых параметров можно создать SPICE моделей без использования соответствующих программ моделирования компонентов. Схема представлена на рисунке Схема проверки транзисторов R1, R6, R3, R5 — резисторы для уменьшения влияния транзисторов друг на друга; R7 — внутреннее сопротивление источника. Полученный результат при моделировании — рисунок Схемы для проверки модели Схема для исследования входных характеристик биполярного транзистора. Исследование входных характеристик Окно задания параметров построения входных характеристик. Окно задания параметров построения выходных характеристик. В нашем случае — биполярный транзистор, нажимаем Create в появившемся окне Рисунок 6 следуем настройкам, задаем имена, выбираем полноту SPICE модели Рисунок 7. Панель выбора вводимых параметров модели Использованные источники: Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Добавить комментарий Отменить ответ Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.
Обзор современных CAD/CAM-систем
Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС
Практическое использование CMM. Проект SPICE
Закладки бошки в Красноуфимске
/ welcome_spice
Практическое использование CMM. Проект SPICE
Обзор современных CAD/CAM-систем
Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС
Трассы для радиоуправляемых машин в Москве