Скорость в Муре
Скорость в МуреМы профессиональная команда, которая на рынке работает уже более 2 лет и специализируемся исключительно на лучших продуктах.
У нас лучший товар, который вы когда-либо пробовали!
Наши контакты:
Telegram:
E-mail:
stuffmen@protonmail.com
ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много Фейков!
Внимание! Роскомнадзор заблокировал Telegram ! Как обойти блокировку:
http://telegra.ph/Kak-obojti-blokirovku-Telegram-04-13-15
Когда заходит речь о полупроводниковых технологиях и современных интегральных микросхемах, часто упоминают закон Мура, который в настоящее время является своеобразным хронометром полупроводниковой технологии. В этой статье мы рассмотрим, в чем суть закона Мура, а также поговорим о важных следствиях и приложениях этого гениального предсказания. Moore стал одним из основателей корпорации Intel. В то далекое время технология производства интегральных микросхем позволяла интегрировать в одной микросхеме порядка трех десятков транзисторов, а группа ученых, возглавляемая Гордоном Муром, директором исследовательской лаборатории полупроводников корпорации Fairchild Camera and Instrument Corp Research and Development Laboratories, Fairchild Semiconductor division of Fairchild Camera and Instrument Corp , завершала разработку новых микросхем, объединяющих в себе уже 60 транзисторов. Конечно, по сегодняшним меркам, когда в одной микросхеме насчитывается несколько десятков миллионов транзисторов, 60 транзисторов кажется ничтожно малой величиной, но не будем забывать, что речь идет о становлении интегральной электроники. По просьбе журнала Electronics Гордон Мур написал статью, приуроченную к й годовщине издания Electronics, Vol. В этой статье Мура попросили сделать прогноз относительно того, как будут совершенствоваться полупроводниковые устройства в течение ближайших десяти лет. Проанализировав темпы развития полупроводниковых устройств и экономические факторы за прошедшие шесть лет, то есть начиная с года, Гордон Мур предположил, что к году количество транзисторов в одной интегральной микросхеме составит 65 тыс. Именно этот прогноз на ближайшие десять лет стал преамбулой ко всей статье. Фактически по прогнозу Мура количество транзисторов в одной микросхеме за десять лет должно было увеличиться более чем в раз. А это означало, что каждый год количество транзисторов в одной микросхеме должно удваиваться. Кроме предсказания экспоненциального роста плотности размещения транзисторов, Мур сделал и другой важный и на первый взгляд парадоксальный вывод. Сокращение размеров транзисторов должно неизбежно привести к тому, что интегральные микросхемы на их основе будут все дешевле, мощнее и доступнее. Из этого следовало, что изменится электронная отрасль в целом. Конечно, в году ни сам Гордон Мур, ни кто-либо другой не мог предположить, что опубликованный прогноз на ближайшие десять лет не только в точности сбудется, но и послужит основой для формулирования эмпирического правила развития всей полупроводниковой технологии на много лет вперед. Впрочем, с предсказанием Мура было не все гладко. К году рост количества элементов в одной микросхеме стал немного отставать от прогноза. Тогда Гордон Мур скорректировал период обновления до 24 месяцев, чтобы компенсировать ожидаемое увеличение сложности полупроводниковых компонентов. В конце х годов одним из руководителей корпорации Intel была внесена еще одна поправка, и прогноз Мура стал означать удвоение вычислительной производительности каждые 18 месяцев вычислительная производительность, измеряемая в миллионах команд в секунду MIPS , увеличивается благодаря росту количества транзисторов. Конечно, в буквальном смысле предсказание Мура законом не является хотя бы потому, что оно не отражает природных закономерностей и не является следствием фундаментальных законов физики. Фундаментальные законы природы, такие как закон гравитации, который выражается формулой Ньютона, или законы электромагнитного поля, описываемые уравнениями Максвелла, объективны по своей природе и существуют независимо от наших знаний о них. Поэтому, говоря о законе Мура, следует еще раз подчеркнуть, что речь идет лишь об эмпирическом правиле или предсказании. О каких же следствиях закона Мура идет речь? Точнее, сам факт увеличения плотности размещения транзисторов за счет сокращения их размеров сопровождается важными последствиями. Действительно, если говорить просто о количестве транзисторов в одной микросхеме, то со времени транзисторных компонентов года это количество возросло на много порядков. В году количество компонентов достигло 65 тыс. К году процессор Intel i содержал 1,4 млн. А в году корпорация Intel анонсировала процессор Intel Pentium 4 на основе 0,микронной технологии, вмещающий 55 млн. Скоро технология производства интегральных микросхем позволит увеличивать количество транзисторов на сотни миллионов ежегодно. Так, процессор i работал на тактовой частоте 25 МГц. Современные процессоры Pentium 4 имеют тактовые частоты уже более 3 ГГц. Будущий процессор с миллиардом транзисторов, как ожидается, будет работать на частоте, приближающейся к 20 ГГц. Посмотрим на этот вопрос с другой стороны: Сегодня разработчики Intel наращивают тактовую частоту со скоростью 25 МГц в неделю. Главный директор Intel по технологиям Патрик Гелсингер заявил, что уже через несколько лет Intel планирует наращивать частоту процессоров со скоростью 25 МГц в день. Еще одним немаловажным следствием закона Мура являются экспоненциальное падение цен в расчете на один транзистор и соответственно непрерывный рост покупательной способности. Когда Гордон Мур впервые сформулировал свой закон, себестоимость одного транзистора составляла около 5 долл. Сегодня за 1 долл. Тот факт, что это стало возможным, является прямым следствием закона Мура: Первоначально прогноз Мура был просто наблюдением за тем, как развивается индустрия микропроцессоров, этаким эмпирическим постулатом. Однако через несколько лет он стал руководящим принципом развития для всей отрасли, а теперь иначе как законом его никто и не называет. Однако, несмотря на то, что закон Мура оправдывает себя вот уже в течение почти что сорока лет, многие довольно скептически относятся к тому, что он будет действовать и в дальнейшем. С приводимыми ими доводами трудно не согласиться. Действительно, уже сейчас микросхемы производятся по 0,микронному технологическому процессу, а толщина затвора транзистора составляет всего 60 нм. Но ведь не может же уменьшение размеров транзисторов происходить до бесконечности, хотя бы в силу дискретности самой природы! Вопрос, конечно, интересный, но ответить на него в ближайшее десятилетие вряд ли кто-нибудь сможет. Впрочем, до атомарных размеров транзисторов еще далеко. Если же говорить о перспективе дальнейшего совершенствования полупроводниковой электроники в соответствии с законом Мура на ближайшие лет тридцать, то можно утверждать, что предсказанное экспоненциальное возрастание числа транзисторов на одной микросхеме сохранится. На весеннем Форуме Intel для разработчиков главный технический директор корпорации Intel Патрик Гелсингер поделился своими соображениями в отношении закона Мура: Сколько мы еще сможем пользоваться его плодами? В году, когда я пришел в Intel, мы ломали головы над тем, как достичь технологической нормы производства микропроцессоров в один микрон. В е годы перед нами уже стояла задача внедрить технологическую норму в одну десятую микрона, и опять она казалась нам недостижимой. А сегодня мы думаем о том, как преодолеть барьер в одну сотую микрона. Могу пообещать вам, что до моей пенсии то есть в течение последующей четверти века закон Мура будет действовать. Итак, в корпорации Intel считают, что в обозримой перспективе закон Мура продолжит действовать. Впрочем, чтобы сохранить экспоненциальный рост числа транзисторов на одной микросхеме завтра, необходимо уже сегодня задумываться о новых технологиях. В предстоящее десятилетие проектная норма технологических процессов вплотную подойдет к физическим пределам, обусловленным атомной структурой, что приведет к новым проблемам, связанным с энергопотреблением, тепловыделением и поведением атомных частиц. Компания Intel уже продемонстрировала транзисторы, содержащие элементы толщиной всего в три атома. Чтобы продолжить действие закона Мура, исследователи Intel активно занимаются поиском и устранением различных барьеров, препятствующих дальнейшему уменьшению размеров элементов. Так, если сегодня для нанесения сложнейших рисунков, формирующих электронные схемы на полупроводниковой пластине, используется нм литографическая технология, позволяющая получать транзисторы с длиной затвора 60 нм и шесть слоев медных соединений, то уже в этом году в массовое производство будет внедрен новый нанометровый технологический процесс. Новый технологический процесс, представленный корпорацией Intel в августе минувшего года, предусматривает использование семи слоев медных соединений и включает целый ряд уникальных технологий. Во-первых, в нем применяются самые маленькие в мире серийно производимые КМОП-транзисторы с длиной затвора всего 50 нм. Несколько позже будет внедрена в массовое производство революционная литографическая технология, находящаяся сегодня на стадии разработки. Известно, что возможности сегодняшней литографии уже практически исчерпали себя. Проводники в процессорах становятся все тоньше, и, чтобы точно вырезать тонкие проводники, длина волны луча света должна быть в несколько раз меньше ширины проводника. Стало быть, длина волны света постепенно уходит из видимого диапазона и перемещается в диапазон более коротких ультрафиолетовых волн. В году компания Intel представила первые фотомаски стандартного отраслевого формата для EUV-литографии. Корпорация Intel планирует выпустить первые процессоры с использованием EUV-технологии во второй половине нынешнего десятилетия. Описанные новые технологии относятся к ближайшему будущему, однако уже сейчас разрабатываются технологии, рассчитанные и на более далекую перспективу. Так, в июне года корпорация Intel объявила, что ее специалисты разработали транзисторы, содержащие структуры размером всего 20 нм. К концу того же года Intel преодолела еще один рубеж, изготовив самые маленькие в мире транзисторы с длиной затвора 15 нм. Именно такие крошечные транзисторы потребуются для серийных процессоров к концу текущего десятилетия. По мере уменьшения размеров транзисторов, увеличения плотности их размещения на подложке и повышения быстродействия компонентов потенциальными ограничительными факторами для реализации закона Мура могут стать энергопотребление и тепловыделение. Чтобы решить проблему тепловыделения, специалисты Intel исследуют как новые структуры, например транзисторы с тремя затворами, так и новые материалы, в частности напряженный кремний, позволяющие увеличить производительность при одновременном повышении эффективности использования энергии. В основе терагерцевого транзистора лежит несколько совершенно новых технологий. Разработанные для этого нового транзистора элементы конструкции планируется использовать в серийной продукции Intel во второй половине текущего десятилетия. Еще одной перспективной технологией, позволяющей устранить ограничения по росту тактовой частоты современных микросхем, является новая технология изготовления корпусов. В современных микросхемах полупроводниковые кристаллы соединяют с корпусом с помощью крошечных шариков припоя, обеспечивающих механическое крепление и электрическое соединение кристалла с корпусом. В результате экспоненциального роста частоты будущих процессоров эффективность шариковых соединений, толщина корпуса и количество точек соединения превращаются в серьезную проблему. В октябре года корпорация Intel представила новаторскую технологию изготовления корпусов, получившую название Bumpless Build-up Layer BBUL , которая позволяет избавиться от шариковых соединений, наращивая корпус вокруг полупроводникового кристалла. Этот метод позволяет уменьшить толщину корпуса и снизить рабочее напряжение процессора. Технология начнет активно применяться во второй половине этого десятилетия. Ее решению уделяется немало внимания уже сейчас. Действительно, давайте посмотрим, к чему приводит перспектива экспоненциального роста тактовой частоты. В соответствии с законом Мура в году следует ожидать появления микропроцессора с тактовой частотой 30 ГГц и размером проводников 10 нм или меньше. Но, как следует из законов физики, чем больше транзисторов в процессоре и чем больше его тактовая частота, тем больший ток он потребляет. А с ростом потребляемого тока увеличивается и тепловыделение. С го по год плотность выделяемой мощности, измеряемая в ваттах на квадратный сантиметр, оставалась в пределах нескольких единиц, а к году достигла Итак, совершенно очевидно, что без решения проблемы снижения энергопотребления дальнейший рост тактовой частоты процессоров просто невозможен. Поскольку количество транзисторов в полупроводниковых компонентах удваивается каждые два года, вместе с этим растут и возможности по повышению сложности компонентов и интеграции в них различных устройств. Речь идет о беспроводных технологиях, сенсорах и сенсорных сетях, а также об оптических технологиях. Суть этой концепции состоит в том, что технологии беспроводной передачи данных становятся настолько универсальными и недорогими, что их вполне можно интегрировать практически во все электронные устройства. Для реализации этого плана в Intel разработано множество технологий. До изобретения цифровой обработки радиосистемы строились полностью на аналоговых схемах. По мере освоения преимуществ, которые дает КМОП-технология в плане стоимости и размеров деталей, увеличивалась и роль цифровой обработки сигнала DSP в конструкции коммуникационных систем. До недавнего времени в высокочастотных беспроводных коммуникационных системах для получения необходимой производительности аналоговых схем входного каскада использовались технологические процессы на основе арсенида галлия и другие аналогичные технологии. Несмотря на то что эти технологии обеспечивают функциональную производительность, необходимую для сегодняшних радиосистем, они все же не способны дать те показатели стоимости и масштабируемости, которые предоставляет стандартная КМОП-технология и которые диктует закон Мура. Увеличение скорости переключения транзисторов, которое происходит в результате уменьшения геометрии конструкций, разрабатываемых на основе КМОП, делает возможным проектирование аналоговых схем, работающих на очень высоких частотах, с очень хорошими коэффициентами передачи и параметрами линейности. Эти новые возможности позволят масштабировать конструкции аналоговых схем в соответствии с цифровыми возможностями, предсказанными Муром. Исследования специалистов лабораторий Intel направлены на решение проблем, которые связаны с использованием технологии производства, оптимизированной под транзисторы с цифровым переключением и низким напряжением питания, а также под синтез аналоговых ВЧ-схем. В целях облегчения разработки и быстрого развертывания новых радиосистем специалисты лабораторий Intel работают над определением перепрограммируемой цифровой коммуникационной платформы с переменной конфигурацией. В целях поддержки различных протоколов беспроводной связи конфигурация этой платформы будет переменной. Например, масштабируемость указанной платформы позволит использовать ее в стандарте Исследователи Intel создают интегрированные в кристаллы интеллектуальные радиосхемы со встроенными перенастраиваемыми блоками подключения к беспроводным сетям, которые обеспечивают постоянное соединение, а также возможность автоматического и прозрачного переключения между проводными и беспроводными сетями. Микроэлектромеханические системы представляют собой механические структуры, выполненные на кремниевой основе с использованием технологий, аналогичных тем, которые применяются при производстве полупроводников. Технология производства микроэлектромеханических систем позволяет объединять на одном кристалле механические и электронные компоненты. Благодаря MEMS-технологиям в настоящее время могут быть созданы совершенно новые микросистемы, которые, обладая большим числом функциональных возможностей, займут гораздо меньше места. Микроэлектромеханические устройства представляют собой чипы, в состав которых входят механические элементы, способные совершать движения. Движение управляется напряжением или током, подающимся на кремниевый кристалл. Микроэлектромеханические MEMS-системы являются первыми кандидатами для применения в области беспроводных коммуникаций. На базе MEMS-технологий возможно создание гибких компонентов беспроводных устройств, обладающих меньшими размерами и обеспечивающих более высокую производительность и более тесную интеграцию с пассивными радиоэлементами, применяемыми в беспроводных устройствах. Пассивные компоненты радиоустройств, такие как катушки индуктивности и кварцевые резонаторы, по-прежнему занимают много места. Из-за их аналоговой природы не произошло такого снижения стоимости и уменьшения размера, как у цифровых компонентов. Благодаря применению кремниевой MEMS-технологии возможно миниатюризировать эти пассивные компоненты и создать гибридные электронно-механические устройства, в которых пассивные и активные элементы изготовлены в рамках одного и того же компонента. В качестве примеров компонентов, выполненных с использованием MEMS-технологии, можно привести радиокоммутационные устройства, резонаторы, фильтры и варакторы. Кроме пассивных электронных компонентов, MEMS-технология применяется для производства сверхмаломощных бистабильных цветных дисплеев, очень чувствительных направленных микрофонов и интеллектуальных антенн. Сочетание электронных компонентов с микроскопическими механическими движущимися частями позволяет применить принципы закона Мура, повышая уровень интеграции и сокращая стоимость всей радиосистемы в целом. Самонастраивающиеся сети сенсоров, соединяющие достижения полупроводниковых технологий с результатами исследований в области самоорганизующихся сетей, могут содержать тысячи сенсорных устройств, связывающихся между собой и обменивающихся информацией через беспроводные каналы. Будучи рассеянными на достаточно большой площади, они могут находиться в спящем состоянии и не потреблять энергии, если в них нет нужды. Заставить сенсоры работать так, как это требуется, совсем непросто. Туда следует загрузить сложные алгоритмы, с помощью которых сенсор сможет определять, где находится ближайший сосед, и связываться с ним. В зависимости от ситуации они могут выбирать различные пути для передачи информации и разные информационные параметры. Сенсорные сети могут применяться в самых разнообразных приложениях, включая недавно появившиеся системы мониторинга природных сообществ. Такая сеть, например, помогает орнитологам, изучающим гнездовья буревестника Лича на острове Грейт Дак в штате Мэн, получать важнейшие данные без присутствия человека. С каждым днем информационный поток нарастает, и сети на основе медного кабеля уже не справляются с такой нагрузкой. Телекоммуникационная отрасль в ответ на рост Интернет-трафика обратилась к оптоволоконным технологиям. Передача информации, осуществляемая с помощью света, происходит обычно через волоконно-оптический кабель. Основное преимущество такого кабеля состоит в том, что в настоящее время можно передавать свет на очень большие расстояния, практически без потерь в мощности сигнала. Еще одно достоинство волоконно-оптического кабеля заключается в возможности передачи сразу нескольких сигналов с разными длинами волн через единственный оптоволоконный кабель. С момента появления первых DWDM-систем в середине х годов количество каналов, передаваемых по одному волокну, увеличилось с 16 и менее до более чем Сегодня типичная оптическая сеть сегодня состоит из множества компонентов: Все эти компоненты громоздки и зачастую собираются вручную, что обусловливает их высокую стоимость. Идея состоит в том, чтобы создавать оптические конструктивные блоки, выполняющие активные функции, а не просто пассивные волноводы. Такие крошечные полупроводниковые конструктивные блоки в будущем можно будет устанавливать в оптические модули, снижая их цены и габариты. В рамках этих исследований удалось создать целый ряд функциональных оптических устройств исключительно на полупроводниковой основе. Этот фильтр шириной в несколько микрон и длиной в пару миллиметров позволяет разделять по длинам волн сигналы в спектре DWDM. Его малые размеры подчеркивают потенциальную важность такого рода полупроводниковых фотоэлектронных устройств. Однако существует фундаментальный предел, связанный с природой света, который не позволяет сократить размеры этих устройств до уровня ниже нескольких микрон. Создание полупроводниковых оптических устройств действительно позволяет интегрировать различные оптические функции в значительно более компактных устройствах, чем существующие сегодня. Кроме того, применение полупроводников в сочетании со стандартными технологиями изготовления и сборки интегральных схем позволит создавать новые недорогие технологии корпусирования и сборки. Все это определяет реальные возможности и эффективность полупроводниковой фотоники независимо от конкретных устройств и приложений. Следствия закона Мура отя в законе Мура говорится лишь об экспоненциальном возрастании числа транзисторов на одной микросхеме, сводить все к одному этому утверждению было бы неверно. Заглядывая в будущее а Форуме Intel для разработчиков, прошедшем весной прошлого года, главный технический директор корпорации Intel Гелсингер заявил: Распространение закона Мура сследователи Intel расширяют зону действия закона Мура, выявляя и активно разрабатывая полупроводниковые технологии, выходящие за рамки производства транзисторов и наращивания производительности. Как показало недавнее исследование Кембриджского университета — количество людей, которые пользуются сегодня криптовалютами, приближается к размеру населения небольшой страны и это только начало, мир меняется. Если печатать цветные документы не требуется, а минимальная себестоимость копий имеет первостепенное значение, то логичным выбором будут лазерные устройства. К своей и так большой семье роутеров и маршрутизаторов фирма ASUS недавно добавила две весьма интересные модели: Поскольку этот компьютер имеет поворотный экран, он может служить универсальным решением — его можно с успехом использовать и для работы, и для учебы, и для игр. Если вы часто печатаете фотографии и уже утомились менять картриджи в своем принтере, обратите внимание на МФУ Epson L Большой ресурс расходных материалов, великолепное качество отпечатков, широчайший набор функциональных возможностей — вот лишь некоторые из достоинств данной модели.
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
СПАЙСЫ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ПСИХИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ ПОДРОСТКОВ
Закладки метадон в Михайловске
Алгоритм Бойера-Мура
Купить белый порошок Нижний Тагил
Купить закладки экстази в Бугульме
Необычное хобби: Mike Olbinski фотографирует бури и торнадо (14 фото)
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
Необычное хобби: Mike Olbinski фотографирует бури и торнадо (14 фото)
Алгоритм Бойера-Мура
Купить закладки экстази в Качканаре
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
Купить закладки экстази в Ижевске
Алгоритм Бойера-Мура
Купить Кристалы в Солнечногорске
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
Необычное хобби: Mike Olbinski фотографирует бури и торнадо (14 фото)
Алгоритм Бойера-Мура
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
Необычное хобби: Mike Olbinski фотографирует бури и торнадо (14 фото)
Купить закладки лирика в Строителе
Необычное хобби: Mike Olbinski фотографирует бури и торнадо (14 фото)
Купить закладки наркотики в Никольском
Алгоритм Бойера-Мура
ООО 'СЕДЬМАЯ СКОРОСТЬ', Муром
Купить закладки экстази в Усти-лабинске