Скорость голубые кристаллы
Скорость голубые кристаллыСкорость голубые кристаллы
__________________________________
Скорость голубые кристаллы
__________________________________
📍 Добро Пожаловать в Проверенный шоп.
📍 Отзывы и Гарантии! Работаем с 2021 года.
__________________________________
✅ ️Наши контакты (Telegram):✅ ️
✅ ️ ▲ ✅ ▲ ️✅ ▲ ️✅ ▲ ️✅ ▲ ✅ ️
__________________________________
⛔ ВНИМАНИЕ! ⛔
📍 ИСПОЛЬЗУЙТЕ ВПН (VPN), ЕСЛИ ССЫЛКА НЕ ОТКРЫВАЕТСЯ!
📍 В Телеграм переходить только по ссылке что выше! В поиске тг фейки!
__________________________________
Скорость голубые кристаллы
Установить приложение. Клей и препараты Клей и препараты Клеи для наращивания ресниц Препараты для наращивания ресниц Препараты для наращивания ресниц Обезжириватели Праймеры Активаторы Закрепители Гасители. Ресницы 2 линии , tester Black Brown Color. Ламинирование ресниц Составы для ламинирования ресниц Валики для ламинирования Девайсы для ламинирования Окраска ресниц и бровей Окраска ресниц и бровей Краска LeviSsime. Каталог товаров. Extreme Look. Расходные материалы. Вес, г. Размеры ДхШхВ , см. Хотите оставить отзыв? Поставьте свою оценку! Описание Характеристики Отзывы о товаре Задать вопрос. Не указана цена Экономия Общая стоимость. Ожидается информация. В корзину Вы будете перенаправлены на сайт партнера. Оптовая стоимость 37 руб. Доставим бесплатно от руб. Вы смотрели. Персональные рекомендации. Политика компании в отношении обработки персональных данных. Все права защищены.
Наркотик кристалл
Система гидропоники в домашних условиях своими руками
Скорость голубые кристаллы
Скорость голубые кристаллы
Закладки скорость a-PVP в Болоховом
КРИСТАЛЛЫ ВНЕ ДОМА И КЛАССА
Лабытнанги купить закладку MDMA Pills BLUE
Скорость голубые кристаллы
Закладки бошки в Петропавловске-камчатском
Кристалл для клея 'Premium blue'
Скорость голубые кристаллы
Купить Амфетамин Вышний Волочёк
Скорость голубые кристаллы
Нант Франция Купить онлайн закладку Кокаин
Что такое альфа-ПВП?
Фотонный кристалл — твердотельная структура с периодически изменяющейся диэлектрической проницаемостью либо неоднородностью, период которой сравним с длиной волны света. Фотонные кристаллы, благодаря периодическому изменению коэффициента преломления , позволяют получить разрешённые и запрещённые зоны для энергий фотонов , аналогично полупроводниковым материалам , в которых наблюдаются разрешённые и запрещённые зоны для энергий носителей заряда \\\\\\\\\[5\\\\\\\\\]. Практически, это значит, что если на фотонный кристалл падает фотон, обладающий энергией длиной волны , частотой , которая соответствует запрещённой зоне данного фотонного кристалла, то он не может распространяться в фотонном кристалле и отражается обратно. И наоборот, это значит что если на фотонный кристалл падает фотон, обладающий энергией длиной волны, частотой , которая соответствует разрешённой зоне данного фотонного кристалла, то он может распространяться в фотонном кристалле. Другими словами, фотонный кристалл выполняет функцию оптического фильтра , и именно его свойствами обусловлены яркие и красочные цвета опала. В природе фотонные кристаллы также встречаются: на крыльях африканских бабочек-парусников Papilio nireus \\\\\\\\\[6\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[7\\\\\\\\\] , перламутровое покрытие раковин моллюсков , таких, как галиотисы , усики морской мыши и щетинки многощетинкового червя. Фотонные кристаллы по характеру изменения коэффициента преломления можно разделить на три основных класса \\\\\\\\\[5\\\\\\\\\] :. Такие фотонные кристаллы состоят из параллельных друг другу слоев различных материалов с разными коэффициентами преломления и могут проявлять свои свойства в одном пространственном направлении, перпендикулярном слоям. Кристаллическая решётка , в которой упорядочены эти области, также может быть другой, а не только кубической, как на приведённом рисунке. Такие фотонные кристаллы могут проявлять свои свойства в трёх пространственных направлениях, и можно их представить как массив объёмных областей сфер, кубов и т. Как и электрические среды в зависимости от ширины запрещённых и разрешённых зон, фотонные кристаллы можно разделить на проводники — способные проводить свет на большие расстояния с малыми потерями, диэлектрики — практически идеальные зеркала, полупроводники — вещества способные, например, выборочно отражать фотоны определённой длины волны и сверхпроводники , в которых благодаря коллективным явлениям фотоны способны распространяться практически на неограниченные расстояния. Также различают резонансные и нерезонансные фотонные кристаллы \\\\\\\\\[2\\\\\\\\\]. Резонансные фотонные кристаллы отличаются от нерезонансных тем, что в них используются материалы, у которых диэлектрическая проницаемость или коэффициент преломления как функция частоты имеет полюс на некоторой резонансной частоте. Любая неоднородность в фотонном кристалле например, отсутствие одного или нескольких квадратов на Рис. В таких областях часто сосредотачивается электромагнитное поле , что используется в микрорезонаторах и волноводах , построенных на основе фотонных кристаллов. Фотонные кристаллы позволяют проводить манипуляции с электромагнитными волнами оптического диапазона, причём характеристические размеры фотонных кристаллов часто близки к величине длины волны. Поэтому к ним не применимы методы лучевой теории, а используется волновая теория и решение уравнений Максвелла. Уравнения Максвелла могут быть решены аналитически и численно, но именно численные методы решения используются для исследования свойств фотонных кристаллов наиболее часто по причине их доступности и лёгкой подстройки под решаемые задачи. Уместно также упомянуть, что используется два основных подхода к рассмотрению свойств фотонных кристаллов — методы для временной области которые позволяют получить решение задачи в зависимости от временной переменной , и методы для частотной области которые предоставляют решение задачи в виде функции от частоты \\\\\\\\\[8\\\\\\\\\]. Они также могут быть использованы для расчёта зонных структур фотонных кристаллов, однако практически сложно бывает выявить положение зон в выходных данных таких методов. Кроме того, при расчёте зонных диаграмм фотонных кристаллов используется преобразование Фурье , частотное разрешение которого, зависит от общего времени расчёта метода. То есть для получения большего разрешения в зонной диаграмме нужно потратить больше времени на выполнение расчётов. Есть ещё и другая проблема — временной шаг таких методов должен быть пропорционален размеру пространственной сетки метода. Требование увеличения частотного разрешения зонных диаграмм требует уменьшения временного шага, а следовательно и размера пространственной сетки, увеличения числа итераций, требуемой оперативной памяти компьютера и времени расчёта. Такие методы реализованы в известных коммерческих пакетах моделирования Comsol Multiphysics используется метод конечных элементов для решения уравнений Максвелла \\\\\\\\\[9\\\\\\\\\] , RSOFT Fullwave использует метод конечных разностей \\\\\\\\\[10\\\\\\\\\] , самостоятельно разработанные исследователями программные коды для методов конечных элементов и разностей и др. Методы для частотной области удобны прежде всего тем, что решение уравнений Максвелла происходит сразу для стационарной системы, и непосредственно из решения определяются частоты оптических мод системы, это позволяет быстрее рассчитывать зонные диаграммы фотонных кристаллов, чем с использованием методов для временной области. К их достоинствам можно отнести число итераций , которое практически не зависит от разрешения пространственной сетки метода и то, что ошибка метода численно спадает экспоненциально с числом проведённых итераций. Недостатками метода являются необходимость расчёта собственных частот оптических мод системы в низкочастотной области для того, чтобы рассчитать частоты в более высокочастотной области, и естественно, невозможность описания динамики развития оптических колебаний в системе. Данные методы реализованы в бесплатном пакете программ MPB \\\\\\\\\[11\\\\\\\\\] и коммерческом пакете \\\\\\\\\[12\\\\\\\\\]. Оба упомянутых программных пакета не могут рассчитывать зонные диаграммы фотонных кристаллов, в которых один или несколько материалов имеют комплексные значения коэффициента преломления. Безусловно, теоретические исследования фотонных кристаллов не ограничиваются только расчётом зонных диаграмм, а также требуют и знаний о стационарных процессах при распространении электромагнитных волн через фотонные кристаллы. Примером может служить задача исследования спектра пропускания фотонных кристаллов. Для таких задач можно использовать оба упомянутых выше подхода исходя из удобства и их доступности, а также методы матрицы переноса излучения \\\\\\\\\[14\\\\\\\\\] , программа для расчёта спекторов пропускания и отражения фотонных кристаллов использующая данный метод \\\\\\\\\[15\\\\\\\\\] , программный пакет pdetool который входит в состав пакета Matlab \\\\\\\\\[16\\\\\\\\\] и упомянутый уже выше пакет Comsol Multiphysics. Как выше уже отмечалось, фотонные кристаллы позволяют получить разрешённые и запрещённые зоны для энергий фотонов, аналогично полупроводниковым материалам , в которых существуют разрешённые и запрещённые зоны для энергий носителей заряда. В литературном источнике \\\\\\\\\[17\\\\\\\\\] появление запрещённых зон объясняется тем, что при определённых условиях, интенсивности электрического поля стоячих волн фотонного кристалла с частотами близкими к частоте запрещённой зоны, смещаются в разные области фотонного кристалла. Так, интенсивности поля низкочастотных волн концентрируется в областях с большим коэффициентом преломления, а интенсивности поля высокочастотных — в областях с меньшим коэффициентом преломления. В работе \\\\\\\\\[2\\\\\\\\\] встречается другое описание природы запрещённых зон в фотонных кристаллах: «фотонными кристаллами принято называть среды, у которых диэлектрическая проницаемость периодически меняется в пространстве с периодом, допускающим брэгговскую дифракцию света». Если излучение с частотой запрещённой зоны было сгенерировано внутри такого фотонного кристалла, то оно не может распространяться в нём, если же такое излучение посылается извне, то оно просто отражается от фотонного кристалла. Одномерные фотонные кристаллы, позволяют получить запрещённые зоны и фильтрующие свойства для излучения, распространяющегося в одном направлении, перпендикулярном слоям материалов, показанных на Рис. Двухмерные фотонные кристаллы могут иметь запрещённые зоны для излучения, распространяющегося как в одном, двух направлениях, так и во всех направлениях данного фотонного кристалла, которые лежат в плоскости Рис. Трёхмерные фотонные кристаллы могут иметь запрещённые зоны как в одном, нескольких или всех направлениях. Запрещённые зоны существуют для всех направлений в фотонном кристалле при большой разнице показателей преломления материалов, из которых состоит фотонный кристалл, определённых формах областей с разными показателями преломления и определённой кристаллической симметрии \\\\\\\\\[18\\\\\\\\\]. Число запрещённых зон, их положение и ширина в спектре зависит как от геометрических параметров фотонного кристалла размер областей с разным показателем преломления, их форма, кристаллическая решётка, в которой они упорядочены так и от показателей преломления. Поэтому, запрещённые зоны могут быть перестраиваемыми, например вследствие применения нелинейных материалов с выраженным эффектом Керра \\\\\\\\\[19\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[20\\\\\\\\\] , вследствие изменения размеров областей с разным показателем преломления \\\\\\\\\[21\\\\\\\\\] или же вследствие изменения показателей преломления под воздействием внешних полей \\\\\\\\\[22\\\\\\\\\]. Рассмотрим зонные диаграммы фотонного кристалла, показанного на Рис. Рассмотрим зонные диаграммы для ТЕ вектор электрического поля направлен параллельно осям цилиндров и ТМ вектор магнитного поля направлен параллельно осям цилиндров показанные на Рис. Синие и красные сплошные кривые на этих рисунках представляют собой энергетические состояния в данном фотонном кристалле для ТЕ и ТМ поляризованных волн соответственно. Голубые и розовые области показывают запрещённые зоны для фотонов в данном фотонном кристалле. Чёрные прерывистые линии — это так называемые световые линии или световой конус данного фотонного кристалла \\\\\\\\\[24\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[25\\\\\\\\\]. Одна из основных областей применения данных фотонных кристаллов — оптические волноводы , и световая линия определяет область, внутри которой располагаются волноводные моды волноводов, построенных с помощью таких фотонных кристаллов, обладающие малыми потерями. Другими словами, световая линия определяет зону интересующих нас энергетических состояний данного фотонного кристалла. Первое, на что стоит обратить внимание — данный фотонный кристалл имеет две запрещённых зоны для ТЕ-поляризованных волн и три широких запрещённых зоны для ТМ-поляризованных волн. Из приведённых зависимостей мы можем видеть наиболее известное свойство фотонных кристаллов — электромагнитные волны с собственными частотами, соответствующими запрещённым зонам фотонного кристалла Рис. Электромагнитные волны с частотами вне запрещённых зон данного фотонного кристалла характеризуются меньшими коэффициентами отражения от фотонного кристалла и полностью или частично проходят через него. В настоящее время существует множество методов изготовления фотонных кристаллов, и новые методы продолжают появляться. Некоторые методы больше подходят для формирования одномерных фотонных кристаллов, другие удобны в отношении двумерных, третьи применимы чаще к трёхмерным фотонным кристаллам, четвёртые используются при изготовлении фотонных кристаллов на других оптических устройствах и т. Рассмотрим наиболее известные из этих методов. При самопроизвольном формировании фотонных кристаллов используются коллоидные частицы чаще всего используются монодисперсные кварцевые или полистирольные частицы, но и другие материалы постепенно становятся доступными для использования по мере разработки технологических методов их получения \\\\\\\\\[26\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[27\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[28\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[29\\\\\\\\\] , которые находятся в жидкости и по мере испарения жидкости осаждаются в некотором объёме \\\\\\\\\[30\\\\\\\\\]. По мере их осаждения друг на друга, они формируют трёхмерный фотонный кристалл, и упорядочиваются преимущественно в гранецентрированную \\\\\\\\\[31\\\\\\\\\] или гексагональную \\\\\\\\\[32\\\\\\\\\] кристаллические решетки. Этот метод достаточно медленный, формирование фотонного кристалла может занять недели. Другой метод самопроизвольного формирования фотонных кристаллов, называемый сотовым методом, предусматривает фильтрование жидкости, в которой находятся частицы, через маленькие поры. Этот метод представлен в работах \\\\\\\\\[33\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[34\\\\\\\\\] , позволяет сформировать фотонный кристалл со скоростью, определённой скоростью течения жидкости через поры, но при высыхании такого кристалла образуются дефекты в кристалле \\\\\\\\\[35\\\\\\\\\]. В работе \\\\\\\\\[36\\\\\\\\\] был предложен метод вертикального осаждения, который позволяет создавать высокоупорядоченные фотонные кристаллы большего размера, чем позволяют получить вышеописанные методы \\\\\\\\\[37\\\\\\\\\]. Выше уже отмечалось, что в большинстве случаев требуется большой контраст коэффициента преломления в фотонном кристалле для получения запрещённых фотонных зон во всех направлениях. Упомянутые выше методы самопроизвольного формирования фотонного кристалла чаще всего применялись для осаждения сферических коллоидных частиц диоксида кремния , коэффициент преломления которого относительно мал, а значит мал и контраст коэффициента преломления. Для увеличения этого контраста, используется дополнительные технологические шаги инвертирование , на которых сначала пространство между частицами заполняется материалом с большим коэффициентом преломления, а затем частицы вытравливаются \\\\\\\\\[38\\\\\\\\\]. Пошаговый метод формирования инверсного опала описан в методическом указании по выполнению лабораторной работы \\\\\\\\\[39\\\\\\\\\]. Методы травления наиболее удобны для изготовления двухмерных фотонных кристаллов и являются широко используемыми технологическими методами при производстве полупроводниковых приборов. Эти методы основаны на применении маски из фоторезиста которая задаёт, например, массив окружностей , осаждённой на поверхности полупроводника, которая задаёт геометрию области травления. Эта маска может быть получена в рамках стандартного фотолитографического процесса , за которым следует травление сухим или влажным методом поверхности образца с фоторезистом. При этом, в тех областях, в которых находится фоторезист, происходит травление поверхности фоторезиста, а в областях без фоторезиста — травление полупроводника. Так продолжается до тех пор, пока нужная глубина травления не будет достигнута и после этого фоторезист смывается. Таким образом формируется простейший фотонный кристалл. Недостатком данного метода является использование фотолитографии , наиболее распространённое разрешение которой составляет порядка одного микрона \\\\\\\\\[40\\\\\\\\\]. Как было показано выше в этой статье, фотонные кристаллы имеют характерные размеры порядка сотен нанометров, поэтому использование фотолитографии при производстве фотонных кристаллов с запрещёнными зонами ограниченно разрешением фотолитографического процесса. Тем не менее фотолитография используется, например в работе \\\\\\\\\[41\\\\\\\\\]. Чаще всего, для достижения нужного разрешения используется комбинация стандартного фотолитографического процесса с литографией при помощи электронного пучка \\\\\\\\\[42\\\\\\\\\]. Пучки сфокусированных ионов чаще всего ионов Ga также применяются при изготовлении фотонных кристаллов методом травления, они позволяют удалять часть материала без использования фотолитографии и дополнительного травления \\\\\\\\\[43\\\\\\\\\]. Современные системы, использующие сфокусированные ионные пучки, используют так называемую «карту травления», записанную в специального формата файлы, которая описывает, где пучок ионов будет работать, сколько импульсов ионный пучок должен послать в определённую точку и т. Для большей скорости травления, повышения качества травления или же для осаждения материалов внутри вытравленных областей используются дополнительные газы. Материалы, осаждённые в вытравленные области, позволяют формировать фотонные кристаллы, с периодическим чередованием не только исходного материала и воздуха, но и исходного материала, воздуха и дополнительных материалов. Пример осаждения материалов при помощи данных систем можно найти в источниках \\\\\\\\\[45\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[46\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[47\\\\\\\\\]. Голографические методы создания фотонных кристаллов базируются на применении принципов голографии , для формирования периодического изменения коэффициента преломления в пространственных направлениях. Для этого используется интерференция двух или более когерентных волн, которая создаёт периодическое распределение интенсивности электрического поля \\\\\\\\\[48\\\\\\\\\]. Интерференция двух волн позволяет создавать одномерные фотонные кристаллы, трёх и более лучей — двухмерные и трёхмерные фотонные кристаллы \\\\\\\\\[49\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[50\\\\\\\\\]. Однофотонная фотолитография и двухфотонная фотолитография позволяют создавать трёхмерные фотонные кристаллы с разрешением нм \\\\\\\\\[37\\\\\\\\\] и использует свойство некоторых материалов, таких как полимеры , которые чувствительны к одно- и двухфотонному облучению и могут изменять свои свойства под воздействием этого излучения \\\\\\\\\[51\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[52\\\\\\\\\]. Литография при помощи пучка электронов \\\\\\\\\[53\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[54\\\\\\\\\] является дорогим, но высокоточным методом для изготовления двумерных фотонных кристаллов \\\\\\\\\[55\\\\\\\\\] В этом методе, фоторезист, который меняет свои свойства под действием пучка электронов облучается пучком в определённых местах для формирования пространственной маски. После облучения, часть фоторезиста смывается, а оставшаяся часть используется как маска для травления в последующем технологическом цикле. Максимальное разрешение этого метода — 10нм \\\\\\\\\[56\\\\\\\\\]. Литография при помощи пучка ионов похожа по своему принципу, только вместо пучка электронов используется пучок ионов. Преимущества литографии при помощи пучка ионов над литографией при помощи пучка электронов заключаются в том, что фоторезист более чувствителен к пучкам ионов, чем электронов и отсутствует «эффект близости» «proximity effect» , который ограничивает минимально возможный размер области при литографии при помощи пучка электронов \\\\\\\\\[57\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[58\\\\\\\\\] \\\\\\\\\[59\\\\\\\\\]. Распределённый брэгговский отражатель является уже широко используемым и известным примером одномерного фотонного кристалла. С фотонными кристаллами связывают будущее современной кибернетики. В данный момент идёт интенсивное изучение свойств фотонных кристаллов, разработка теоретических методов их исследования, разработка и исследование различных устройств с фотонными кристаллами, практическая реализация теоретически предсказанных эффектов в фотонных кристаллах, и предполагается, что:. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. VI в книге Photonic Crystals, H. Benisty, V. Berger, J. Gerard, D. Maystre, A. Tchelnokov, Springer Ивченко, А. Поддубный, 'Резонансные трёхмерные фотонные кристаллы, 'Физика твёрдого тела, , том 48, вып. Кособукин, 'Фотонные кристаллы, «Окно в Микромир», No. Дата обращения: 22 октября Архивировано из оригинала 2 ноября года. Федотов, А. Дата обращения: 11 октября Архивировано 22 мая года. Дата обращения: 26 июня Архивировано из оригинала 31 марта года. Kinoshita, S. Yoshioka and K. Kawagoe 'Mechanisms of structural colour in the Morpho butterfly: cooperation of regularity and irregularity in an iridescent scale, ' Proc. B, Vol. Дата обращения: 15 октября Архивировано 9 августа года. Дата обращения: 18 октября Архивировано 9 февраля года. Архивировано 2 февраля года. Дата обращения: 22 сентября Архивировано 3 февраля года. Reisinger, 'Characteristics of optical guided modes in lossy waveguides, ' Appl. Eghlidi, K. Mehrany, and B. Rashidian, 'Improved differential-transfer-matrix method for inhomogeneous one-dimensional photonic crystals, ' J. Pendry, Professor P. Bell, Dr. Ward and Dr. Martin Moreno. Архивировано 23 декабря года. Joannopoulos, R. Meade, and J. Press, Prasad, Nanophotonics, John Wiley and Sons, Vujic and S. Ge, Y. Hu, and Y. Figotin, Y. Godin, and I. Архивировано 14 октября года. Pucci, M. Bernabo, P. Elvati, L. Meza, F. Galembeck, C. Leite, N. Tirelli, and G. Ruggeriab, 'Photoinduced formation of gold nanoparticles into vinyl alcohol based polymers, ' J. Reinholdt, R. Detemple, A. Stepanov, T. Weirich, and U. Maedler, W. Stark, and S. Akurati, R. Dittmann, A. Vital, U. Klotz, P. Hug, T. Graule, and M. Winterer, 'Silica-based composite and mixed-oxide nanoparticles from atmospheric pressure flame synthesis, ' Journal of Nanoparticle Research, Vol. Hynninen, J. Thijssen, E. Vermolen, M. Dijkstra, and A. Ma, W. Shi, Z. Yan, and B. Park and Y. Park, B. Gates, Y. Vlasov, X. Bo, J. Sturm, and D. Norris, 'On-chip natural assembly of silicon photonic bandgap crystals, ' Nature, Vol. Cai, R. Zong, B. Li, and J. Schroden, N. Balakrishan, «Inverse opal photonic crystals. A laboratory guide», University of Minnesota. Архивировано из оригинала 18 августа года. Дата обращения: 23 октября Архивировано из оригинала 23 декабря года. Yao, G. Schneider, D. Prather, E. Wetzel, and D. Jugessur, P. Pottier, and R. Архивировано 2 июня года. Khizroev, A. Lavrenov, N. Amos, R. Chomko, and D. FEI Company. Архивировано 22 июня года. Fu, N. Kok, A. Bryan, and O. Архивировано из оригинала 24 мая года. Matsui and Y. Ochiai, 'Focused ion beam applications to solid state devices, ' Nanotechnology, Vol. Liang, W. Mao, Y. Pu, H. Zou, H. Wang, and Z. Zeng, «Fabrication of two-dimensional coupled photonic crystal resonator arrays by holographic lithography» недоступная ссылка , Appl. Duneau, F. Delyon, and M. Audier, «Holographic method for a direct growth of three-dimensional photonic crystals by chemical vapor deposition» недоступная ссылка , Journal of Applied Physics , Vol. Cumpston, S. Ananthavel, S. Barlow, D. Dyer, J. Ehrlich, L. Erskine, A. Heikal, S. Kuebler, I. Lee, D. McCord-Maughon, J. Qin, H. Roeckel, M. Rumi, X. Wu, S. Marder, and J. Perry, 'Two-photon polymerization initiators for three-dimensional optical data storage and microfabrication, ' Nature, Vol. Jeon, V. Malyarchuk, and J. Rogers, 'Fabricating three dimensional nanostructures using two photon lithography in a single exposure step, ' Optics Express, Vol. Архивировано из оригинала 14 июня года. Gozdz, P. Lin, A. Scherer, and S. Lee, 'Fast direct e-beam lithographic fabrication of first-order gratings for 1. Архивировано из оригинала 28 июля года. Orloff, M. Utlaut, and Lynwood Swanson, High resolution focused ion beams. FIB and its applications, Kluwer Academic, Arshak, M. Mihov, A. Arshak, D. McDonagh, and D. McDonagh, D. Sutton, and S. Newcomb, 'Negative resist image by dry etching as a surface imaging process using focused ion beams, ' J. Asakawa, Y. Sugimoto, Y. Watanabe, N. Ozaki, A. Mizutani, Y. Takata, Y. Kitagawa, H. Ishikawa, N. Ikeda, K. Awazu, X. Wang, A. Watanabe, S Nakamura, S. Ohkouchi, K. Inoue, M. Kristensen, O. Sigmund, P. Bore, and R. Baets, 'Photonic crystal and quantum dot technologies for all-optical switch and logic device, ' New J. Lodahl, A. Nikolaev1, A. Irman, K. Overgaag, D. Vanmaekelbergh, and W. Vos, 'Controlling the dynamics of spontaneous emission from quantum dots by photonic crystals, ' Nature, Vol. Архивировано 24 сентября года. Ooi, T. Au Yeung, C. Kam, and T. Lim, 'Photonic band gap in a superconductor-dielectric superlattice, ' Phys. Wu, M. Chen, and T. Yang, 'Photonic band structure for a superconductor-dielectric superlattice, ' Physica C: Superconductivity, Vol. Фотонные кристаллы будут основой для нового поколения микроэлектроники рус. Дата обращения: 23 марта Архивировано 10 января года. Категории : Физика твёрдого тела Оптические материалы Кристаллы Фотоника. Скрытые категории: Википедия:Cite web не указан язык Википедия:Статьи с нерабочими ссылками. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править код История. Скачать как PDF Версия для печати.
Скорость голубые кристаллы
Научная игра Выращиваем кристаллы (синие)
Скорость голубые кристаллы