Реферат: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»

💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

«Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»
А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский, Н. П. Стёпина, А. С. Дерябин, А. И. Никифоров,
R. Rubinger, N. A. Sobolev, J. P. Leitao, M. C. Carmo.
Данная работа относится к новому актуальному направлению физики твёрдого тела – спинтронике, связанной с потенциальным применением спиновой степени свободы для создания устройств передачи и хранения информации, для квантовых вычислений. В работе изложены результаты исследования электронных состояний в структурах с Ge/Si квантовыми точками (КТ) методом ЭПР. Локализация электронов вблизи КТ реализована за счёт сложения деформационных полей в многослойных структурах с когерентными КТ и, как следствие, увеличения глубины потенциальной ямы для электрона в Si, окружающем Ge КТ, Обнаружен новый ЭПР-сигнал с аксиально-симметричным g-фактором (g ||
=1.9995, g ^
=1.9984) и анизотропной шириной линии. Ось симметрии g-фактора совпадает с направлением роста квантовых точек. Главные значения полученного g-тензора совпадают со значениями g-тензора для электронов в Si в D долине, а сам g-фактор имеет анизотропную угловую зависимость, что подтверждает локализацию электронов в напряженных областях Si вблизи Ge КТ. Минимальное значение ширины ЭПР-линии 0.8 Э наблюдается при ориентации внешнего магнитного поля вдоль оси роста квантовых точек, максимальное значение (в 4 раза больше) – в перпендикулярном направлении. Данный эффект может быть объяснен анизотропией процессов спиновой релаксации, связанной с существованием эффективного магнитного поля Бычкова-Рашба, возникающего вследствие структурной асимметрии Ge квантовой точки. До сих пор подобный эффект наблюдался только для двумерных (2D) асимметричных структур и связан с прецессионным механизмом спиновой релаксации при движении носителя в двумерном слое. В случае системы с КТ эффективное магнитное поле возникает при туннелировании носителей между квантовыми точками. В процессе туннелирования спин электрона поворачивается на малый угол, что приводит к перевороту спина после достаточного количества прыжков между КТ. Перенос заряда осуществляется преимущественно между близко расположенными КТ с сильной туннельной связью. Поскольку расположение КТ в плоскости носит случайный характер, то при каждом прыжке направление туннелирования меняется, что приводит к изменению направления эффективного магнитного поля. Частота прыжков между КТ может рассматриваться как характерная частота флуктуаций эффективного магнитного поля. Из анализа угловой зависимости ширины ЭПР-линии была получена характерная частота флуктуаций 1/t с
=3*10 11
с ‑1
. Данное значение и время поперечной спиновой релаксации T 2
=10 -7
c, полученное из ширины ЭПР-линии, позволили оценить величину эффективного магнитного поля H BR
»30 Э, что является верхним пределом данной величины.

Название: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»
Раздел: Остальные рефераты
Тип: реферат
Добавлен 18:22:46 02 апреля 2012 Похожие работы
Просмотров: 2
Комментариев: 7
Оценило: 0 человек
Средний балл: 0
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»
Что Значит Пример Иллюстрация В Сочинении
Купить Лабораторную Работу Физике
Реферат по теме Теплоизоляционные материалы и изделия из неорганического сырья
Скворцов Сергей Борисович
Сочинение Рассуждение Чем Опасно Вранье
Сочинение Образ Петербурга В Романе
Курсовая работа: Статистика культуры и отдыха
Реферат по теме Отношение к бизнесу в современной России
Дипломная работа по теме Бурение скважин на воду
Особенности Развития Грамотного Чтения Курсовая
Контрольная работа по теме Настройка текстового редактора MS Word
Реферат по теме Рецензия на книгу: Ж. П. Вернана "Происхождение древнегреческой мысли"
Дипломная работа по теме Внедрение процессного подхода для испытательного центра ЗАО 'Курскрезинотехника'
Сочинение: Фамусов и его окружение. 2
Реферат по теме Театральные чаконы и пассакальи в эпоху Просвещения
Конец Зимы Полдень Сочинение 7
Реферат по теме Становлення, вiйськовий та соцiально-громадський устрiй Запорiзькоi Сiч
Изучение Русского Языка Сочинение
Дипломная работа: Проект массового взрыва при отработке залежи "Центральная" Риддер-Сокольного рудника
Реферат: Учет и анализ состояния и эффективности использования основных средств в современных условиях
Реферат: ЮНЕСКО
Реферат: Банк как коммерческая организация 2
Курсовая работа: Проблема управления персоналом в менеджменте