Реферат по теме Распределение примесей в кремнии

⚡⚡⚡ ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻

Министерство образования и науки Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева»
Кафедра «Технология электрохимических производств»
Реферат
по теме: «Распределение примесей в кремниевых пластинах»
Выполнил: ст. гр. ЭХПз-111
Е.И. Кубышкин
Проверил: к.т.н., доцент
В.В. Горлов
Кемерово
Введение
Кремний используется в электронике в качестве полупроводникового материала.
Введение
Кремний является одним из важнейших материалов, используемых в современной микроэлектронике.
Его применение обуславливается рядом его уникальных свойств, а именно:
- полупроводниковыми свойствами (упругие свойства, диэлектрические свойства);
- высокой электропроводностью;
- большой пластичностью;
- химической инертностью.
В настоящее время кремний широко используется для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Основными методами получения кремния являются:
Министерство образования и науки Российской Федерации
Уральский государственный университет
имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
Факультет радиоэлектроники и автоматики
Кафедра физико-технических проблем энергетики
Реферат по теме
«Распределение примесей в кремниевых пластинах»
Выполнил студент группы Э-5-1
Мамонтов А.В.
Проверил:
Кадыров Р.И.
Екатеринбург
Содержание
Введение
1. Распределение примеси в кремнии.
2. Поверхностные состояния кремния.
3. Кремниевые пластины

Введение
1. Физические основы процесса
1.1 Определение и свойства кремния
1.2 Особенности кристаллической структуры кремния и его модификации
1.3 Свойства и применение полупроводникового кремния
1.4 Физические методы исследования кремния
1.5 Основные методы изготовления и применения кремния
1.6 Особенности технологии получения кремния
2. Технология производства кремния
2.1 Схема производства полупроводниковых приборов
2.2 Основные этапы производства полупроводниковог о кремния
Выполнил: студент группы ПЛ-Э-41
Могилев 2010
Введение
В настоящее время полупроводниковые приборы, изготовленные из кремния, используются во многих областях науки и техники.
Кремний - это единственный современный полупроводник, который широко применяется в электронной промышленности, и его производство становится все более и более важным.
В полупроводниковой промышленности применяются кристаллические полупроводники, которые изготавливаются методами химического осаждения из газовой фазы (CVD).
в зависимости от условий его кристаллизации и термообработки
Оглавление.
1. Введение.
2. Кремний, его свойства и области применения.
2.1. Свойства кремния.
2.2. Кристаллическая структура кремния.
2.3. Химические свойства кремния.
2.4. Физические свойства.
2.5. Получение кремния.
2.6. Распространение кремния в природе.
2.7. Применение кремния.
3. Распределение примесей.
3.1. Примесная электропроводность кремния.
3.2. Влияние примесей на свойства полупроводников.
3.3. Распределение примеси.

и его сплавах
Введение
В настоящее время в полупроводниковой технике используют кремний и его сплавы.
Кремний является наиболее подходящим материалом для изготовления элементов и приборов, работающих при высоких температурах (более 100 °С). Широкое применение в полупроводниковых приборах находит монокристаллический кремний, кристаллизация которого осуществляется в специальных печах.
Получают монокристаллы и из поликристаллического кремния.
Выполнил: студент группы No1
Проверил: д.т.н., проф.
Санкт-Петербург
2010
Содержание
Введение
1. Основные примеси в кремниевых пластинах
2. Распределение основных примесей и их влияние на работу полупроводникового прибора
3. Распределение легирующих примесей
Заключение
Список литературы
Введение
В настоящее время основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов является кремний.
и полупроводниках
Содержание Введение 1. Распределение примеси в полупроводнике 2. Распределение электронов в полупроводниках 3. Распределение дырок в полупроводниках 4. Распределение фононов в диэлектрике 5. Распределение свободных электронов 6. Распределение возбужденных электронов 7. Распределение носителей заряда 8. Мощные электрические поля 9. Магнитное поле 10.
Закон сохранения энергии 11.
Основные уравнения теории полупроводников 12.
Расчет полупроводниковых приборов 13.
Реферат по теме «Распределение примесей в кремниевых структурах»
В настоящее время, когда в современной микроэлектронике используются кремний, германий и арсенид галлия, одним из важнейших методов изготовления интегральных микросхем является метод диффузии в полупроводники примесей.
В результате диффузии примесей в полупроводниках образуются так называемые примесные атомы.
Примеси в полупроводниковых структурах могут находиться в различных структурных состояниях.
Реферат На Тему Образ Немца В Русской Литературе
Реферат по теме Мусульманский культ
Темы Рефератов На Пожарную Тему