Реферат по теме Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60

Реферат по теме Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60




⚡⚡⚡ ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻

































С.Н. Малютин
Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова (МГУ)
Кафедра общей физики
Реферат по физике на тему: «Механизм роста кристаллитов Фуллерена С60 в пленках Сn»
Москва, 2004
Введение
Фуллерены представляют собой углеродные нанотрубки, образованные замкнутыми молекулами, длина которых может достигать нескольких десятков нанометров.
Такие молекулы могут образовываться из атомов углерода при нагревании и последующем охлаждении.
Реферат по теме: Механизм роста кристаллов фуллерена С60 в пленке Сn.
Механизмы роста и морфологии кристаллов фуллеренов в пленках.
Влияние параметров роста на структуру фуллереновых пленок.
Основные характеристики пленок С60.
Область применения фуллереновой пленки.
Введение.
В настоящее время фуллерены и их производные широко используются в качестве наноматериалов, используемых для изготовления разнообразных наноструктур и нанокомпозитов.
Реферат по теме
Механиз роста кристаллитов
фуллерита в
пленках Sn-C60
(А.А.Бутаков, М.П.Гаврилов,
А.В.Каменев, С.Д.Маркевич,
М.Г.Кучеров, Н.Н.Коваленко,
С.С.Корытин, А.Л.Тахтаджян,
Е.Я.Шилов)
Москва, Институт металлофизики Академии Наук Украины
Институт металлофизики АН Украины,
Киев
2001
Введение
Фуллерены – это сферические молекулы, состоящие из 60 атомов углерода.
Они представляют собой уникальные по своим свойствам материалы, обладающие рядом необычных химических и физических свойств.
и Sn – SbS6
Механизмы роста кристаллов фуллеренов.
В последние годы в литературе появилось большое количество работ, посвященных механизмам роста объемных кристаллов фуллерена С60 на подложке из кремния и кремния с примесями, а также на поверхности графита.
Рассмотрим кратко эти работы.
Уильямс и др.
(1991) исследовали рост объемных фуллереновых кристаллов на кремнии с примесями.
Было обнаружено, что при росте кристаллов с примесью кремния в их структуре обнаруживается много дефектов.
методами лазерной абляции и радиационного испарения
ID: 122540 Дата закачки: 12 Ноября 2013 Продавец: GnobYTEL (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца
Тип работы: Рефераты Форматы файлов: Microsoft Word
Описание: Введение
В настоящее время наблюдается значительный интерес к образованию кристаллических структур из растворов и расплавов.
Механизмы роста кристаллов.
Механизм «поверхностного роста» кристаллитов на поверхности металла
В качестве примера рассмотрим механизм роста кристалла фуллеренов.
Он заключается в том, что в результате химического взаимодействия атомов металлов с атомами углерода возникают фуллерены.
В результате взаимодействия электронов атомов металла с электронами атомов углерода атомы углерода создают положительный заряд на поверхности, а электроны металла – отрицательный.
Механизмы роста кристаллов в твердых растворах и сплавах.
Кристаллизация в твердом растворе.
В настоящее время известно более 2000 твердых растворов, содержащих примеси элементов третьего периода.
Эти кристаллы имеют широкий спектр кристаллических структур, что позволяет применять их в качестве конструкционных материалов для различных устройств.
Наиболее перспективными из них являются твердые растворы с участием элементов второго периода.
Механизмы роста кристаллов фуллерена в пленках С60
Редкоземельные металлы и углерод, будучи химически очень сходными элементами, имеют также и много общих свойств.
Это, например, и одинаковая атомная масса, и схожий температурный коэффициент линейного расширения, и малая разница в теплоемкости, и высокая теплота испарения.
Эти особенности позволяют рассматривать углеродные наночастицы в качестве потенциальных конструкционных материалов.
В условиях низких температур (при комнатной температуре) в кристалле SnC60 образуются два типа структур: при температуре порядка 450 К - это сферические кристаллы, а при 300 К и ниже - кубические.
Образование кубических кристаллов происходит при резком охлаждении из расплава, это обусловлено тем, что при низких температурах в расплаве SnC60 резко увеличивается концентрация ионов Сг+ и С4+, что приводит к уменьшению сродства к электрону атомов С и образованию на их поверхности зарядов.
на подложке SiO2.
Механизмы роста кристаллов фуллерена C 60 в условиях гетерогенной реакции.
Механизм роста кристаллов C 60 на поверхности SiO 2 и его модификация.
Роль поверхности в формировании структуры кристаллов.
Кристаллизация фуллеренов в зависимости от условий их получения.
Анализ влияния различных факторов на рост кристаллов C 60.
Изучение влияния условий получения на структуру фуллеренсодержащих пленок.
Исследование влияния температуры на процесс кристаллизации.
Дневник Профессиональной Практики Воспитателя
Статья На Тему Структура Волокон Поли-Бис-Трифторэтоксифосфазена
План Эссе Шаблон

Report Page