Реферат по теме Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов

⚡⚡⚡ ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻

Содержание.
Введение.
Глава I. Основные положения теории ионного легиро-вания полупроводников.
1.1 Теоретические положения.
1.2 Физические свойства полупроводникового материала.
1.3 Физическая природа проводимости полупроводнико-вых материалов.
1.4 Механизм ионного облучения полупроводни-ковых материалов.
1.5 Особенности ионного осаждения на полупровод-никовом материале.
1.6 Влияние концентрации ионов на процесс ионного об-лучения.
1.7 Влияние температуры на процесс осаждения ионов.
Реферат по теме исследование процессов ионного
легирования полупроводников
1. Введение
В настоящее время большое внимание уделяется исследованию процессов легирования твердых тел, и в частности полупроводников.
Эта работа имеет большое значение для развития полупроводниковой электроники, микроэлектроники, оптоэлектроники и микроскопии.
Все материалы, используемые в электронной промышленности, должны быть химически стабильными, т.е. не разрушаться под действием внешних факторов.
Тема: Исследование процессов ионно-легированного полупроводникового материала
Содержание
Введение
1. Общие сведения об ионном легировании полупроводников
2. Ионное легирование кремния
3. Ионное насыщение германия
4. Ионно-лучевое легирование
5. Ионное травление полупроводников и их применение
6. Ионная имплантация полупроводников, ее применение
7. Ионный источник
8. Заключение
Список литературы
Введение.
Скачать реферат по физике.
Исследование процесса легирования.
Реферат по дисциплине «Физика» на тему: Исследование процесса легирования в полупроводниках.
Выполнил.
Рефераты в каталоге лучших рефератов сети, всего более 300 000 работ.
В данной работе исследован процесс легирования SiC и SiGe.
Изучение процесса легирования происходит на примере кремния.
Из курса физики.
Название: Исследование и анализ процессов легирования металлов Раздел: Рефераты по...
Исследование процессов ионного и диффузионного легирования, проводимого в импульсно-периодическом режиме.
ВВЕДЕНИЕ
Ионное легирование полупроводников – это нанесение в объеме полупроводника атомов, молекул, ионов или комплексных ионов, создаваемых в газовой фазе при помощи ионно-лучевого процесса.
Ионизация – это процесс ионизации газа, т. е. его перевода из состояния с меньшим зарядом в состояние с большим зарядом.
Ионное легирование полупроводникового материала
Реферат по теме «Исследование процессов ионного
легирования полупроводникового
материала»
Выполнил:
Студент группы ЭП-06-1
Кабанов В.А.
Проверил:
Ерофеев Л.В.
Москва, 2003 г.
Введение
Одним из наиболее перспективных методов направленного изменения свойств полупроводниковых приборов является ионное легирование.
Автор
Розділ
Физика
Формат
Word Doc
Тип документу
Реферат
Продивилось
1498
Скачало
57
Опис
Закачка | Замовити оригінальну роботу
и с высоким давлением (до 2 ГПа) в области температур, близкой к точке плавления материала.
С повышением давления от 1 до 2 ГПа происходит уменьшение плотности ионного потока и, следовательно, в большей степени увеличение концентрации ионов в объеме материала.
Разработка и изготовление образцов для изучения процессов легирования
ID: 183415 Дата закачки: 20 Августа 2017 Продавец: lexa (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца
Тип работы: Работа Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание: Реферат По дисциплине «Физика» На тему: «Исследование процессов ионного...

Выполнил: студент гр. МЛЗ-09-1
Камаев А.С. Проверил:
Москва 2009
Содержание
Введение
1. История изучения процессов ионного осаждения
2. Основные понятия и определения в области ионного осаждении
3. Методы ионного осаждение
3.1 Метод ионно-лучевой обработки
3.2 Метод импульсного ионно-плазменного осаждения (ПИПО)
3.3 Метод ионной имплантации
4. Особенности ионного осадка
4.1 Особенности осаждения полупроводников
4.2 Особенности осаждения металлов
5. Физико-химические основы ионного осадения

Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Московский государственный университет технологий и управления»
Факультет технологии и предпринимательства
Кафедра «Технология электрохимических производств»
Реферат по теме:
Исследование процессов ионного
легирования полупроводнико
Выполнил:
студент группы ТХС–40
Козлова Д.М.
Проверил:
Москва 2014
Содержание
Введение

Дипломная Работа На Тему Экономика Торгового Предприятия
Реферат по теме Искажения и помехи сигналов
Реферат На Тему Особенности Русского Языка. Фразеологизмы И Их Значение В Развитии, Образности Языка