Реферат: Расчет униполярного транзистора

🛑 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

1 Принцип действия полевого транзистора
2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры
3 Расчет стоковых и стокозатворных характеристик
4 Определение напряжения насыщения и напряжения отсечки
5 Расчет крутизны стокозатворной характеристики и проводимости канала
6 Максимальная рабочая частота транзистора
В отсутствии смещений (U З
=0, U С
=0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен дырками из-за наличия ловушек на границе кремний – оксид кремния и наличия положительных ионов в пленке диэлектрика. Соответственно энергетические зоны искривлены вниз, и начальный поверхностный потенциал положительный. По мере роста положительного напряжения на затворе дырки отталкиваются от поверхности. При этом энергетические зоны сначала выпрямляются, а затем искривляются вниз, т.е. поверхностный потенциал делается отрицательным.
Существует некоторое пороговое напряжение , по превышении которого энергетические зоны искривляются настолько сильно, что в близи поверхностной области образуется инверсный электрический сой, именно этот слой играет роль индуцированного канала.
Рисунок 1.1 – Равновесное состояние
Т.к. U З
=0, то контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником равна нулю, то энергетические зоны отображаются прямыми линиями. В таком положении уровень Ферми постоянен при U З
=0, полупроводник находится в равновесном состоянии, т.е. pn = p i
2
и ток между металлом и полупроводником отсутствует.
Если U З
>0, то возникает поле направленное от полупроводника к затвору. Это поле смещает в кремнии основные носители (электроны) по направлению к границе раздела кремний – оксид кремния. В результате на границе возникает обогащенный слой с избыточной концентрацией электронов. Нижняя граница зоны проводимости, собственный уровень и верхняя граница валентной зоны изгибаются вниз.
Если U З
<0, то возникает электрическое поле направленное от затвора к подложке. Это поле выталкивает электроны с границы раздела Si – SiO 2
в глубь кристалла оксида кремния. В непосредственной близости возникает область обедненная электронами.
При дальнейшем увеличении отрицательного напряжения U З
, увеличивается поверхностный электрический потенциал U S
. Данное явление является следствием того что энергетические уровни сильно изгибаются вверх. Характерной особенностью режима инверсии является, то что уровень Ферми и собственный уровень пересикаются.
Концентрация дырок в инверсной области больше либо равна концентрации электронов.
1 - обогащенный слой неосновными носителями при отсутствии смещающих напряжений изгибает уровни вниз.
2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры

Удельная емкость МОП-конденсатора описывается выражением:
- удельная емкость, обусловленная существованием области пространственного заряда.
- емкость обусловленная оксидным слоем.
Эквивалентную схему МОП-структуры можно представить в виде двух последовательно соединенных конденсатора:
Рисунок 2.1 – Эквивалентная схема МОП-структуры
Рисунок 2.2 – График зависимости емкости от приложенного напряжения на затворе
Рисунок 2.3 – Отношение С/С 0
как функция напряжения, приложенного к затвору
Формула описывающая вольт-амперную характеристику имеет вид:
- плотность заряда в обедненной области
Таблица 3.1 – Таблица значений токов и напряжений стоковой характеристики
Рисунок 3.1 – График зависимости тока стока от функции напряжения стока при постоянных значениях напряжения на затворе
Таблица 3.2 – Таблица значений токов и напряжений стокозатворной характеристики
Рисунок 3.2 – График зависимости тока стока от напряжении на затворе
Напряжение отсечки описывается выражением:
Напряжение насыщение описывается формулой:
Таблица 4.1 – Таблица данных напряжения стока и напряжения насыщения
Рисунок 4.1 – График зависимости напряжения насыщения от напряжения на затворе
Рисунок 4.2 – График зависимости напряжения отсечки от напряжения на затворе 5 Крутизна стокозатворной характеристики и проводимость канала

5.1 Крутизна стокозатворной характеристики описывается выражением:
6 Максимальная рабочая частота транзистора

Максимальная рабочая частота при определенном напряжении стока описывается формулой:
Таблица 6.1 – Таблица значений частоты при фиксированном напряжении стока
Рисунок 6.1 – График зависимости частоты транзистора от напряжения на стоке.
1 Л. Росадо «ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА» М.-«Высшая школа» 1991 – 351 с.: ил.
2 И.П. Степаненко «ОСНОВЫ ТЕОРИИ ТРАНЗИСТОРОВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМ», изд. 3-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1973. 608 с. с ил.

Название: Расчет униполярного транзистора
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат
Добавлен 20:34:16 12 сентября 2005 Похожие работы
Просмотров: 221
Комментариев: 16
Оценило: 4 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: Расчет униполярного транзистора
Географические Координаты Реферат 6 Класс
Реферат: Понятие и источники налогового права
Реферат: The Efffects Of Louis 16Th On France
Реферат: Persuasion Jane Austen Silence And Signals
Курсовая работа по теме История фондового рынка России
Реферат по теме Религиозное сознание
Первый Курсовой Проект По Железобетону Пример
Лицензирование банковской деятельности
Контрольная работа по теме Метод рынка капитала
Эссе Цивилизация И Культура Великой Степи
Доклад по теме Иисус Христос – миф или реальность?
Реферат: An Appreciation Of The Poem Digging By
Сочинение По Литературе 3 Правды
Реферат: Темперамент 9
Реферат: Культура сервисной деятельности в гостинице Азимут Отель Сибирь
Реферат по теме Особенности бухгалтерского учета в строительстве
Музыка Слова Сочинение
Реферат: Історія Києвр-Могилянської Академії
Контрольная работа: Робота з документами, що містять комерційну таємницю
Рефераты: Зоология.
Реферат: Культура и религия Древней Европы
Реферат: Атлантида – миф или реальность?
Реферат: Натуральная оспа