Реферат: Магнитометры
💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻
Московский государственный институт электроники и математики
для представления на кафедру «Материаловедение»
1. Сверхпроводимость. Основные параметры сверхпроводников.....3
2. Эффект Джозефсона.........................................................................4
3. Магнитометр....................................................................................5
4. Сверхпроводящий материал - соединение Nb 3
Sn...........................8
5. Получение джозефсоновских переходов.........................................9
6. Список литературы..........................................................................13
1. Сверхпроводимость. Основные параметры сверхпроводников
.
Явление сверхпроводимости состоит в том, что при некоторой температуре, близкой к абсолютному нулю, электросопротивление в некоторых материалах исчезает. Эта температура называется критической температурой перехода в сверхпроводящее состояние.
Сверхпроводимость обнаружена более чем у 20 металлов и большого количества соединений и сплавов (Т к
£ 23К), а также у керамик (Т к
> 77,4К – высокотемпературные сверхпроводники.)
Сверхпроводимость материалов с Т к
£ 23К объясняется наличием в веществе пар электронов, обладающих энергией Ферми, противоположными спинами и импульсами (пары Купера), которые образуются благодаря взаимодействию электронов с колебаниями ионов решетки – фононами. Все пары находятся, с точки зрения квантовой механики, в одном состоянии (они не подчиняются статистике Ферми т.к. имеют целочисленный спин) и согласованы между собой по всем физическим параметрам, то есть образуют единый сверхпроводящий конденсат.
Сверхпроводимость керамик, возможно, объясняется взаимодействием электронов с каким-либо другими квазичастицами.
По взаимодействию с магнитным полем сверхпроводники делятся на две основные группы: сверхпроводники I и II рода.
Сверхпроводники первого рода при помещении их в магнитное поле «выталкивают» последнее так, что индукция внутри сверхпроводника равна нулю (эффект Мейсснера). Напряжонность магнитного поля, при котором разрушается сверхпроводимость и поле проникает внутрь проводника, называется критическим магнитным полем Н к
. У сверхпроводников второго рода существует промежуток напряженности магнитного поля Н к2
> Н > Н к1
, где индукция внутри сверхпроводника меньше индукции проводника в нормальном состоянии. Н к1
– нижнее критическое поле, Н к2
– верхнее критическое поле. Н < Н к1
– индукция в сверхпроводнике второго рода равна нулю, Н > Н к2
– сверхпроводимость нарушается. Через идеальные сверхпроводники второго рода можно пропускать ток силой: (критический ток). Объясняется это тем, что поле, создаваемое током, превысит Н к1
, вихревые нити, зарождающиеся на поверхности образца, под действием сил Лоренца, двигаются внутрь образца с выделением тепла, что приводит к потере сверхпроводимости.
T k
, Н к1
, Н к2
, некоторых металлов и соединений:
Если два сверхпроводника соединить друг с другом «слабым» контактом, например тончайшей полоской из диэлектрика, через него пойдет туннельный сверхпроводящий ток, т.е. произойдет туннелирование сверхпроводящих куперовских пар. Благодаря этому обе системы сверхпроводников связаны между собой. Связь эта очень слаба, т.к. мала вероятность туннелирования пар даже через очень тонкий слой изолятора.
Наличие связи приводит к тому, что в следствии процесса обмена парами состояние обеих систем изменяется во времени. При этом интенсивность и направление обмена определяется разностью фаз волновых функций между системами. Если разность фаз j=j 1
- j 2
, тогда из квантовой механики следует . Энергии в точках по одну и другую сторону барьера Е 1
и Е 2
могут отличаться только если между этими точками существует разность потенциалов U s
. В этом случае (1).
Если сверхпроводники связаны между собой с одной стороны и разделены слабым контактом с другой, то напряжение на контакте можно вызвать, меняя магнитный поток внутри образовавшегося контура. При этом . Учитывая, что квант потока и поток Ф через контур может быть лишь nФ 0
, где n=0,±1,±2,±3,... Джозефсон предсказал, что (2)
I c
– максимальный постоянный джозефсоновский ток через контакт
Поскольку на фазовое соотношение между системами влеяет магнитное поле, то сверхпроводящим током контура можно управлять магнитным полем. В большинстве случаев используется не один джозефсоновский контакт, а контур из нескольких контактов, включенных параллельно, так называемый сверхпроводящий квантовый интерферометр Джозефсона (СКВИД). Величина магнитного поля, необходимого для управления током, зависит от площади контура и может бать очень мала. Поэтому СКВИДы применяют там, где нужна большая чувствительность.
Известны несколько типов джозефсоновских контактов, но наиболее распространены следующие:
туннельный переход переход типа «мостик»
Магнитометр - прибор на основе джозевсоновских переходов, применяющийся для измерения магнитного поля и градиента магнитного поля. В магнитометрах используются СКВИДы 2х типов: на постоянном токе и переменном. Рассмотрим магнитометр на СКВДах постоянного тока.
Если к такому кольцу приложить поле, то оно будет наводить в кольце циркулирующий сверхпроводящий ток. Он будет вычитаться из постоянного тока I в А и складываться в В. Тогда максимальный ток кольца зависит от магнитного потока Ф и равен: I c
– ток кольца, Ф 0
– квант потока, Ф – захваченный поток. При этом R – сопротивление перехода, l – индуктивность кольца. DU – достигает нескольких микровольт и может быть измерена обычными электронными приборами.
Рисунок слева: ВАХ сверхпроводящего кольца с 2-мя джозевсоновскими переходами.
Рисунок справа: Зависимость I max
от внешнего потока
n – число квантов потока пронизывающих контур.
Техническая реализация магнитометров на СКВИДе на постоянном токе с 2-мя тунельными переходами.
пленкой из Pb нанесенной на кварцевый цилиндр
длинной 18 мм с наружным диаметром 8мм, а
2 мм ляется датчиком включенным в электри-
1.5мм на изменение внешнего магнитного
поля. Такая система представляет со-
Сверхпроводящий материал – соединение
Nb 3
Sn.
Соединение Nb 3
Sn имеет Т к
=18.2К и Н к2
=18.5 МА/m (m 0
Н к
=23Тл) при 4.2К. Благодаря таким параметрам можно получить джозефсоновские переходы чувствительные как к малым полям 10 -17
Тл, так и к изменению больших полей »1Тл. Соединение имеет такую решетку: атомы ниобия расположены в местах, занятых на рисунке и образуют со своими ближайшими соседями три цепочки, перпендикулярные друг – другу:
Атомы ниобия в этих цепочках связаны дополнительными ковалентными связями. Цепочки ниобия в кристаллической структуре, для получения сверх проводящих свойств не должны быть нарушены, что может произойти при избытке атомов олова или при недостаточной степени порядка в кристаллической решетке. Диаграмма фазового равновесия системы Nb-Sn приведена на рисунке:
Nb 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Sn Соединение Nb 3
Sn хрупко и изделие из него не могут бать получены обычным металлургическим путем, т.е. выплавкой с последующей деформацией. Массивные изделия из этого соединения: цилиндры, пластины и т.д. получают, как правило, металлокерамическим методом, т.е. смешивая в соответствующих пропорциях порошки ниобия и олова, прессуя изделия нужной формы и нагревая их до температуры образования химического соединения Nb 3
Sn, обычно в интервале 960-1200 O
.
Получение джозефсоновских переходов.
Джозефсоновские туннельные переходы представляют собой две тонкие сверхпроводящие пленки разделенные барьерным слоем диэлектрика или полупроводника. Рассмотрим некоторые из методов получения переходов с диэлектрическим барьером. На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая пленка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.
Нанесение первой пленки осуществляется путем катодного распыления.
Газовый разряд при низком давлении можно возбудить высокочастотным электрическим полем. Тогда в газовом промежутке, содержащим аргон, возникает тлеющий разряд. Образовавшиеся при этом положительные ионы, разгоняются электрическим полем, ударяются о катод распыляя сплав. Вылетающие с катода атомы осаждаются на подложке. В такой системе были достигнуты скорости осаждения до 1А/сек. При смещении на катоде – мишени 500В.
Для высокочастотного катодного распыления Nb 3
Sn необходим вакуум перед распылением 10 -4
Па, температура подложки 900 O
С, чистота напускаемого аргона 99,999%, его давление менее 1Па.
Для качества туннельного перехода большое значение имеет структура пленки. В напыленных пленках обычно сильно искажена кристаллическая решетка, и в них, как правило со временем происходят структурные изменения: течение дислокаций, деформация границ зерен, что может значительно ухудшить свойства туннельного перехода (например возникнуть закоротки).
Одним из способов устранения этих нежелательных явлений состоит во внесении в пленку примесей стабилизирующих их структуру. Так пленки образующие туннельный переход получались последовательным напылением In (49нм), Au (9нм), Nb 3
Sn (350нм) для нижнего электрода и Nb 3
Sn (300нм), Au(5нм), Nb 3
Sn(200нм) для верхнего электрода. После этого пленки выдерживались при температуре 75 О
С в течении 2ч., что приводило к стабилизации свойств перехода.
Следующим важным этапом получения туннельного перехода является образование барьерного слоя, как правило, это слой окисла на поверхности первой пленки. Свойства туннельного перехода и его срок службы определяется прежде всего качеством барьерного слоя. Этот слой должен быть плотным, тонким (»2нм), ровным, не иметь пор и не меняться со временем при температурном циклировании.
Наиболее удачный метод приготовления туннельных барьеров состоит в окислении пленки в слабом ВЧ разряде в атмосфере кислорода. Подложка с пленочным электродом крепится к катоду разрядной камеры. Сначала поверхность пленки очищают от естественного окисления путем ВЧ катодного распыления в атмосфере аргона при давлении 0.5 Па в течении 1-5 мин. Сразу после этого аргон в камере заменяется кислородом или аргонокислородной смесью и зажигается разряд на частоте 13.56 МГц. За определенное время на пленке, находящейся в разряде, образовался слой окисла необходимой толщины. Для получения туннельных барьеров толщиной 2-5нм необходимо поддерживать разряд мощностью 0.003-0,1 Вт/мм 2
в течении 10-20 мин.
Применяют туннельные переходы с барьером из полупроводника. В качестве материала барьера используется различные п/п: CdS, CdSe, Ge, InSb, CuAs и др.
Основной метод нанесения п/п барьера – распыление. Однако в напыленном слое п/п имеется много отверстий и пустот, наличие которых способствует появлению закороток в переходе. Для устранения этого недостатка после напыления барьера переход подвергается окислению. В результате закоротки действительно не возникают, но свойства барьера при это ухудшаются: уменьшается максимальная плотность тока, величина емкости увеличивается.
Наилучшие туннельные переходы с полупроводниковым барьером, получаются, когда барьер представляет собой монокристалл. Такие переходы реализованы не созданием барьера на сверхпроводящей пленке, а наоборот, нанесением пленки на обе стороны тонкой монокристаллической п/п мембраны из Si. Известно, что скорость травления монокристаллического Si перпендикулярно плоскости (100) в 16 раз больше чем в направлении плоскости (111). В результате этого в пластине Si, поверхность которого параллельна (100), при травлении небольшого, незащищенного фоторезистом участка, образуются ямки. Боковые стенки ямки образуют плоскости (111) под углом 54.7 О
к поверхности. Таким образом, размер дна ямки w 1
, т.е. размер мембраны определяется соотношением , где w 2
– размер открытого незащищенного участка поверхности, t – глубина ямки.
Чтобы получить мембрану нужной толщины, необходимо каким-либо образом автоматически остановить травление. Это достигается с помощью легирования бором обратной стороны кремниевой подложки на глубину равную необходимой толщине мембраны. Скорость травления быстро падает, когда достигается слой Si с концентрацией бора, равной n=4×10 19
см -3
, и полностью останавливается при n=7×10 19
см -3
. Таким образом были получены мембраны толщиной 40-100 нм. Далее с двух сторон наносятся сверхпроводящие пленки, образующие переход.
В случае последовательного напыления: сверхпроводящая пленка – барьер – сверхпроводящая пленка – последнюю пленку можно нанести методом катодного распыления.
Готовые переходы защищают от влияния атмосферы слоем фоторезиста. Для получения воспроизводимых туннельных систем необходимо, чтобы между операциями пленка не подвергалась воздействию атмосферы т.к. адсорбция газов на поверхности пленок может вызвать неконтролируемое изменение характеристик перехода. Список литературы
:
Г.Н. Кадыкова «Сверхпроводящие материалы» М. МИЭМ 1990
А.Ф. Волков, Н.В. Заварицкий «Электронные устройства на основе слабосвязных сверхпроводников» М. Советское радио 1982
Р. Берри, П. Холл, М. Гаррис «Тонкопленочная технология» М. Энергия 1979
Т. Ван-Дузер Ч.У. Тернер «Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей» М. Радио и связь 1984
Название: Магнитометры
Раздел: Рефераты по металлургии
Тип: реферат
Добавлен 19:26:28 22 июля 2005 Похожие работы
Просмотров: 257
Комментариев: 17
Оценило: 4 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно Скачать
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.
Реферат: Магнитометры
Реферат: Микроэлементы, характер и здоровье
Практическое задание по теме Безопасность жизнедеятельности (Безпека життєдіяльності) )
Реферат: Создание дизайна буклетов
Контрольная работа: Основы конституционного права
Курсовая работа: Сліди застосування вогнепальної зброї
Реферат по теме Государство Объединенное Силла
Отчет по практике по теме Деятельность АО 'Карагандинского завода электротехнического оборудования'
Вкс 2022 Сочинение Официальный
Курсовая работа по теме Моделирование системы автоматического регулирования расхода пара
Реферат На Тему Защитные Устройства И Знаки Безопасности
Милосердие В Современном Мире Сочинение
Эссе Дегеніміз Не
Реферат по теме РАПП
Дипломная работа по теме Развитие пропускной способности станции Тобол на направлении Тобол-Арыстансор
15.2 Напишите Сочинение
Волейбол Спорты Эссе
Контрольная Работа Молекулярный Уровень 10 Класс Биология
Курсовая работа по теме Процессуальный порядок судебного рассмотрения дел о защите прав потребителей
Дипломная работа по теме Технологія виготовлення кондитерських виробів із бісквітного тіста
Эссе Про Ивана Сусанина
Реферат: М.М.Сперанский: реформатор от бюрократии
Реферат: Лизинг
Сочинение: Какие мысли и чувства пробудил во мне роман Достоевского “Преступление и наказание”