Реферат: Лазеры на гетеропереходах полупроводниковые лазеры

💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

Полупроводниковые лазеры отличаются от газовых и твердотельных тем, что излучающие переходы происходят в полупроводниковом материале не между дискретными энергетическими состояниями электрона, а между парой широких энергетических зон. Поэтому переход электрона из зоны проводимости в валентную зону с последующей рекомбинацией приводит к излучению, лежащему в относительно широком спектральном интервале и составляющему несколько десятков нанометров, что намного шире полосы излучения газовых или твердотельных лазеров.
Рассмотрим собственный полупроводник. В условиях термодинамического равновесия валентная зона полупроводника полностью заполнена электронами, а зона проводимости пуста. Предположим, что на полупроводник падает поток квантов электромагнитного излучения, энергия которых превышает ширину запрещенной зоны hv>Eg. Падающее излучение поглощается в веществе, так как образуются электронно-дырочные пары. Одновременно с процессом образования электронно-дырочных пар протекает процесс их рекомбинации, сопровождающийся образованием кванта электромагнитного излучения. Согласно правилу Стокса - Люммля энергия излученного кванта меньше по сравнению с энергией генерирующего кванта. Разница между этими энергиями преобразуется в энергию колебательного движения атомов кристаллической решетки. В условиях термодинамического равновесия вероятность перехода с поглощением фотона (валентная зона - зона проводимости) равна вероятности излучательного перехода (зона проводимости - валентная зона).
Предположим, что в результате какого-то внешнего воздействия полупроводник
выведен из состояния термодинамического равновесия, причем в нем созданы одновременно высокие концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Электроны переходят в состояние с некоторой энергией Fn вблизи потолка валентной зоны. Рассматриваемая ситуация иллюстрируется диаграммами, приведенными на рис. 1. Так как все состояния вблизи дна зоны проводимости заполнены электронами, а все состояния с энергиями вблизи потолка валентной зоны заполнены дырками, то переходы с поглощением фотонов, сопровождающиеся увеличением энергии электронов становятся невозможными. Единственно возможными переходами электронов в полупроводнике в рассматриваемых условиях являются переходы зона проводимости - валентная зона, сопровождающиеся рекомбинацией электронно-дырочных пар и испусканием электромагнитного излучения. В полупроводнике создаются условия, при которых происходит усиление электромагнитной волны. Иными словами, коэффициент поглощения получается отрицательным, а рассматриваемая ситуация отвечает состоянию с инверсной плотностью населенности.
Поток квантов излучения, энергия которых находится в пределах от hv=E c
-E v
до
hv=F n
-F p
, распространяется через возбужденный полупроводник беспрепятственно.
Для реализации процесса излучательной рекомбинации необходимо выполнить два условия. Во-первых, электрон и дырка должны локализоваться в одной и той же точке координатного пространства. Во-вторых электрон и дырка должны иметь одинаковые по значению и противоположно направленные скорости. Иными словами, электрон и дырка должны быть локализованы в одной и той же точке k
-пространства. Так как импульс образующегося в результате рекомбинации электронно-дырочной пары фотона значительно меньше по сравнению с квазиимпульсими электрона и дырки, то для выполнения закона сохранения квазиимпульса требуется обеспечить равенство квзиимпульсов электрона и дырки, участвующих в акте излучательной рекомбинации.
Оптическим переходам с сохранением квазиимпульса соответствуют вертикальные в k
-пространстве (прямые) переходы. Сохранение квазиимпульса в процессе излучательного перехода может рассматриватся как квантомеханическое правило отбора (в том случае, когда в акте излучательной рекомбинации не принимают участие третьи частицы, например, фононы или атомы примесей).Невертикальные в k
-пространстве (непрямые) переходы имеют значительно меньшую вероятность по сравнению с прямыми переходами, так как в этом случая требуется сбалансировать некоторый разностный квазиимпульс d k
(рис. 2).
Таким образом для получения излучательной рекомбинации необходим прямозонный полупроводник, например, GaAs. Вообще, придерживаясь строгой теории можно доказать, что инверсная населенность возможна лишь при условии E c
-E g
Реферат: Лазеры на гетеропереходах полупроводниковые лазеры
Лабораторная Работа Номер 3 Строение Цветкового Растения
Титульник Дипломной Работы Образец 2022
Реферат: Теории денег и их роль в денежно-кредитном регулировании
Реферат: Of Mice And Men Lenni
Методичка: Системы счисления. Скачать бесплатно и без регистрации
Дипломная работа: Нарушение грамматического строя речи у дошкольников с общим недоразвитием речи
Правовое Обеспечение Информационной Безопасности Реферат
Реферат по теме Джозеф Пулитцер
Художественная Дипломная Работа Темы
Курсовые Разницы При Усн Доходы В 2022
Сеть Связи Автореферат Докторской Диссертации
Реферат по теме Анализ вопроса о культуре спора
Реферат: Экономическое развитие России во второй половине 40-х - 50-х гг.: новации и догмы. Скачать бесплатно и без регистрации
Курсовая Работа На Тему Санкт Петербург
Доклад по теме Образы низшей мифологии
Сочинение Что Такое Человечность По Тексту Васильева
Дипломная работа по теме Нравственное воспитание младших школьников в учебно-воспитательном процессе
Курсовая Работа Пример Оформления Doc
Курсовая работа по теме Система технического обслуживания автотранспортного предприятия
Контрольная работа: Становление советской власти
Реферат: Роль вулканизма в становлении биосферы
Доклад: Растения защищают растения (химия химией, но как обойтись без химикатов?)
Реферат: Ковры Турции