Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

🛑 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

по дисциплине:
“
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
“
.

по дисциплине:
“
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
“
.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.
Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Е п

……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки R
к

…………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки R
н

……………………………………………………. 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p
усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Коэффициент шума при ƒ
= 1,6 МГц,
U кб
= 5 В,
I Э
= 1 мА
не более ……………. 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при U кб
= 5 В,
I Э
= 1 мА,
ƒ
= 50 – 1000 Гц
……………………………….. 60 – 180
Модуль коэффициента передачи тока H 21
э


при U кб
= 5 В,
I Э
= 5 мА,
ƒ
= 20 МГц
не менее …………………………... 8
Постоянная времени цепи обратной связи
при U кб
= 5 В,
I Э
= 5 мА,
ƒ
= 5 МГц
не более ………………………….… 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой
при U кб
= 5 В,
I Э
= 1 мА
…………………………………………………… 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой
при U кб
= 5 В,
I Э
= 1 мА,
ƒ
= 50 – 1000 Гц
не более …………………….. 3 мкСм
Ёмкость коллектора при U кб
= 5 В,
ƒ
= 5 МГц
не более ………………………… 4 пФ
Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:
при R бэ
= 10 кОм
……………….………………………………………… 10 В
при R бэ
= 200 кОм
……………….……………………………………….. 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В
Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К
………... 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт
Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К
Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до
Примечание.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К
определяется по формуле:
Нагрузочная прямая по постоянному току.

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
при I к
= 0,
U кэ
= Е п
= 9 В,
и при U кэ
= 0,
I к
= Е п
/
R к
= 9 / 1600 = 5,6 мА

Параметры режима покоя (рабочей точки А
):
I к0
= 3 мА,
U кэ0
= 4,2 В,
I б0
= 30 мкА,
U бэ0
= 0,28 В

Определим
H–параметры в
рабочей точке.

Δ
I к

0
= 1,1 мА, Δ
I б

0
= 10 мкА, Δ
U бэ
= 0,014 В
, Δ
I б

= 20 мкА, Δ
U кэ
=
4 В, Δ
I к
= 0,3 мА

Величины G
-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:
G 11
э
= 1,4 мСм,
G 12
э
= - 0,4*10 –6


G 21
э
= 0,15 ,
G 22
э
= 4,1*10 –3
Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Предельная частота проводимости прямой передачи:
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
I к0
= 3 мА,
U кэ0
= 4,2 В
и точку с координатами:
I к
= 0,
U кэ
=
U кэ0

+ I к0
*
R ~
=
4,2 + 3*10 –3
* 847 = 6,7 В

Определим динамические коэффициенты усиления.

Δ
I к
= 2,2 мА, Δ
U кэ
= 1,9 В, Δ
I б
= 20 мкА, Δ
U бэ
= 0,014 В

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..
5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..
6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..

Название: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат
Добавлен 01:31:43 09 сентября 2005 Похожие работы
Просмотров: 142
Комментариев: 17
Оценило: 4 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
Курсовая работа: Аудит товарно-материальных ценостей
Реферат: Экологические проблемы развития промышленного производства
Контрольная Работа Световое Явление 8 Класс
Курсовая работа: Язычество Древней Руси и его роль в русской культуре
Курсовая работа по теме Методические подходы к оценке качества подготовки, переподготовки и повышения квалификации государственных служащих
Реферат: Третий экономические учения эпохи нерегулируемых рыночных отношений часть первая. Классическая политическая экономия Глава Общие признаки и этапы эволюции классической политической экономии 71
Как Подписывать Контрольные Работы По Математике
Курсовая работа: Досягнення в техніці у XIX-на початку XX ст.
Дипломная Работа На Тему Родриго Диас Де Бивар Как Национальный Герой Испанского Эпоса "Песнь О Моем Сиде"
Детали Машин Курсовое Проектирование Задания
Реферат: Загальне вчення про право як науку
Реферат: School Violence Essay Research Paper School violence
Налоговый Учет Курсовая Работа
Лабораторная Работа 1с 8.3
Курсовая работа: Процесс управления организационными коммуникациями в ТФОМСе ЕАО. Скачать бесплатно и без регистрации
Сочинение Про Драко Малфоя На Английском
Реферат по теме Применение специализированных программных средств при разработке систем экологического менеджмента
Эоловые Формы Рельефа Реферат
Курсовая работа по теме История криминологии
Сочинение На Тему Образ Владимира Дубровского
Реферат: Загадочный канон Рамоса де Парехи
Реферат: Ремонт и наладка силового электрооборудования токарно-винторезного станка 163 модели
Реферат: Москва прирастала слободами. Слободы Шаболовская и Донская