Реферат: ЭТПиМЭ

💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

1.1. Упрощение логических выражений.

1.4.1. Логический элемент
²
ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ
²
.

1.4.2. Логический элемент
²
2
ИЛИ
²
с мощным открытым коллекторным выходом.

1.4.3.
Логический элемент
²
2
И
²
с открытым коллектором.

1.4.
4
.
Логический элемент
²
2
И
²
с
повышенной нагрузочной способностью.

1.4.
5
.
Логический элемент
²
НЕ
²

1.5. Электрическая принципиальная схема ЦУ.

1.6. Расчет потребляемой мощности и времени задержки.

1.6.2.
Время задержки распространения.

2.1. Расчет базового элемента цифровой схемы.

2.1.1. Комбинация: Х 1
= Х 2
=Х 3
= Х 4
=
²
1
²
.

2.1.2. Комбинация: Х 1
= Х 2
=Х 3
= Х 4
=
²
0
²
.

2.2. Таблица состояний логических элементов схемы.

2.6. Расчет мощности рассеиваемой на резисторах.

3.2. Расчет пассивных элементов ГИМС.

3.3. Подбор навесных элементов ГИМС.

3.4. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1).

1.1. Упрощение логических выражений.

Учитывая, что проектируемое цифровое устройство должно потреблять мощность не превышающую 100мВт и время задержки не должно превышать 100 нс для построения ЦУ можно использовать микросхемы серии КР1533 (ТТЛШ) имеющие следующие технические характеристики:
Мощность потребления на вентиль:
1мВт.
1.4.1. Логический элемент
²
ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ
²
.

Р пот
= Е пит
× I пот
= 5 × 5,9 = 29.5 мВт
1.4.2. Логический элемент
²
2
ИЛИ
²
с мощным открытым коллекторным выходом.

1.4.3.
Логический элемент
²
2
И
²
с открытым коллектором.

1.4.3.
Логический элемент
²
2
И
²
с
повышенной нагрузочной способностью.

1.4.
5
.
Логический элемент
²
НЕ
²
.

P пот
= P пот
D1
+ P пот
D2
+ P пот
D3
+ P пот
D4
+ P пот
D5
= 29.5 + 39 + 16 + 16 + 13.25 = 113.75 мВт
113.75 < 120 - Условие задания выполняется.
1.6.2. Время задержки распространения.

Для расчета времени задержки возьмем самый длинный путь от входа к выходу. Например от входов х 2
х 3
до выхода y 2
. Тогда:
t з.р.
= t з.р.
D
5.2
+ t з.р.
D
2
.1
+ t з.р.
D3.2
= 9.5 + 10.5 + 34.5 = 54,5 мВт
54,5 < 60 - Условие задания выполняется.
2.1. Расчет базового элемента цифровой схемы.

Для трех комбинаций входных сигналов составим таблицу состояний всех активных элементов схемы.
2.1.1. Комбинация: Х 1
= Х 2
=Х 3
= Х 4
=
²
1
²
.

Если на все входы многоэмиттерного транзистора VT 1
поданы напряжения логической ²1², то эмиттеры VT 1
не получают открывающегося тока смещения (нет разности потенциалов). При этом ток, задаваемый в базу VT 1
через резистор R 1
, проходит от источника E пит
в цепь коллектора VT 1
, смещенного в прямом направлении, через диод VD 1
и далее в базу VT 2
. Транзистор VT 2
при этом находится в режиме насыщения (VT 2
- открыт) в точке ²
B
²
U б
=0,2 В (уровень логического нуля). Далее ток попадает на базу VT 4
и открывает VT 4
на выходе схемы ²0².
2.1.2. Комбинация: Х 1
= Х 2
=Х 3
= Х 4
=
²
0
²
.

Когда на входы многоэмиттерного транзистора VT 1
поданы уровни логического нуля переходы база - эмиттер смещаются в прямом направлении. Ток, задаваемый в его базу через резистор R 1
проходит в цепь эмиттера. При этом коллекторный ток VT 1
уменьшается, поэтому транзистор VT 2
закрывается. Транзистор VT 4
также закрывается (т.к. VT 2
перекрыл доступ тока к базе VT 4
). На выход, через открытый эмиттерный переход VT 3
попадает уровень логической единицы - на выходе ²1².
Например:
Х 1
= 1; Х 2
= 0; Х 3
= 1; Х 4
= 1
Когда хотя бы на один любой вход многоэмиттерного транзистора VT 1
подан уровень логического нуля соответствующий (тот на который подан ²0²) ²
В
²
переход база-эмиттер смещается в прямом направлении (открывается) и отбирает базовый ток транзистора VT 2
. Получается ситуация как в пункте 2.1.1.
2.2. Таблица состояний логических элементов схемы.

На выходе схемы появится уровень логической единицы при условии, что хотя бы на одном, но не на всех входах ²1². Если на всех входах ²1², то на выходе ²0².
- Схема выполняет логическую функцию²И-НЕ².
При подаче на вход комбинации 0000 потенциал в точке ²
A
²
складывается из уровня нуля равно 0,2 В и падения напряжения на открытом p-n переходе равном 0,7 В. Значит потенциал в точке ²
A
²
U а
= 0,2 + 0,7 = 0,9 В.
Транзистор VT 2
закрыт (см. п. 2.1.2.) ток от источника питания через него не проходит поэтому потенциал в точке ²
B
²
U б
= E пит
= 5 В. Транзистор VT 2
и VT 4
закрыт, поэтому потенциал в точке ²
C
²
U с
=0 В. Потенциал в точке ²
D
²
складывается из Е пит
= 5 В за вычетом падения напряжения на открытом транзис-торе VT 3
равным 0,2 В и падения напряжения на диоде VD 2
= 0,7 В. Напряжение U d
= 5 - ( 0,2 + 0,7 ) = 4,1 В.
При подачи на вход комбинации 1111 эмиттерный переход VT 1
запирается, через коллекторный переход протекает ток. На коллекторный переход VT 1
подают напряжение равным 0,7 В. Далее 0,7 В подают на диоде КD 1
и открытом эмитторном переходе транзистора VT 2
, а также на открытом эмиттерном переходе транзистора VT 4
. Таким образом потенциал в точке ²
a
²
U a
= 0,7 + 0,7 + 0,7 + 0,7 =2,8 В. Потенциал в точке ²
C
²
U с
= 0,7 В. (Падение напряжения на эмиттерном переходе VT 4
).
Потенциал в точке ²
B
²
напряжение базы складывается из потенциала на коллекторе открытого транзистора VT 2
= 0,2 В и падения напряжения на коллекторном переходе транзистора VT 3
= 0,7 В. Напряжение U б
= 0,2 + 0,7 = 0,9 В. Потенциал в точке ²
D
²
напряжение U d
= 0,2 В. (Напряжения на коллекторном переходе открытого эмиттерного перехода VT 4
).
При подачи на вход любой другой комбинации содержащей любое количество нулей и единицу (исключая комбинацию 1111) приведет к ситуации аналогичной п.3.2.1.
2.6. Расчет мощности рассеиваемой на резисторах.

P R1
= I R1
× U R
1
= 1,025 × (5-0,9)=4,2 мВт
P R1
= I R1
× U R
1
= 0,55 × (5-2,8) = 1,21 мВт
P R
2
= I R
2
× U R2
= 2,05 × (5-0,9) = 8,405 мВт
P R
3
= I R
3
× U R
3
= 0,38 × 0,7 = 0,266 мВт
В конструктивном отношении гибридная ИМС представляет собой заключенную в корпус плату (диэлектрическую или металлическую с изоляционным покрытием), на поверхности которой сформированы пленочные элементы и смонтированы компоненты.
В качестве подложки ГИМС используем подложку из ситала, 9-го типоразмера имеющего геометрические размеры: 10х12 мм (см[2] стр.171; табл. 4.6). Топологический чертеж ГИМС выполним в масштабе 10:1.
3.1. Расчет пассивных элементов ГИМС.

Для заданной схемы требуется 3 резистора следующих номинальных значений:
R 1

=
4
кОм
R 2

=
2 кОм
R 3

=
1,8 кОм

Сопротивление резистора определяется по формуле:
R S


- удельное поверхностное сопротивление материала.
Для изготовления резисторов возьмем пасту ПР - ЛС имеющую R S

=1 кОм
.
R 3
= 1000 × ( 2,25 / 1,25 ) = 1,8 кОм
Удельное сопротивление поверхности
R S

, (Ом
/

)

Удельная мощность рассеивания (
P 0

, Вт
/
см 2
).

3.2. Подбор навесных элементов ГИМС.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:
1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.
2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.
3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1
Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены резисторы, а именно для пасты ПР-1К у которой P 0
= 3 Вт/см 2
.
S R1
=× b
= 2 × b
= 2 × 0,5 = 1 мм 2

Необходимо чтобы P 0
³ P 1 max
, т.е. условие выполняется.
S R2
=× b
= 2 × b
= 1 × 0,5 = 0,5 мм 2

Необходимо чтобы P 0
³ P 2 max
, т.е. условие выполняется.
S R2
=× b
= 2 × b
= 2,25 × 1,25 = 2,82 мм 2

Необходимо чтобы P 0
³ P 3 max
, т.е. условие выполняется.
3.3. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1).


Название: ЭТПиМЭ
Раздел: Рефераты по схемотехнике
Тип: реферат
Добавлен 12:57:21 08 июля 2005 Похожие работы
Просмотров: 143
Комментариев: 18
Оценило: 4 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: ЭТПиМЭ
Клонирование Эссе За И Против
Эссе Идеал Материнства В Искусстве
Курсовая Работа По Экономике 1 Курс
Дипломная работа: Анализ финансового положения предприятия
Доклад: Сото, Эрнандо де конкистадор
Рефераты По Физкультуре На Тему Гимнастика Заключение
Баллада Собственного Сочинения 5 Класс
Дневник Во Время Практики
Дипломная работа по теме Обработка экспортно-импортных грузов на складе. Особенности взаимодействия персонала в процессе оформления перевозочной документации
Курсовая работа: Виды рекламной деятельности. Скачать бесплатно и без регистрации
Скачать Реферат Свобода Как Условие Для Самореализации
Над Вечным Покоем Сочинение
Курсовая работа по теме Прямые и косвенные методы регулирования цен на промышленную продукцию
Реферат На Тему Компьютерные Системы
Реферат: Аристотель "О душе"
Доклад по теме Исторические аспекты возникновения и развития общественного мнения
Доклад по теме Воронеж
Структура Эссе Нейровычислений
Институты ЕС
Реферат по теме Особенности регулирования внешнеэкономической деятельности
Доклад: Растения защищают растения (химия химией, но как обойтись без химикатов?)
Реферат: Понятие и состав национального богатства в зарубежных странах
Реферат: ВМС Италии