Реферат: ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой

🛑 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

Электронно-лучевыми приборами называют такие электронные электровакуумные приборы, в которых используется поток электронов, сконцентрированный в форме луча или пучка лучей. Электронно-лучевой прибор, имеющий форму трубки, обычно называют электронно-лучевой трубкой.
Управление пространственным положением луча осуществляется с помощью электрических (электростатическая отклоняющая система) и магнитных (магнитная отклоняющая система) полей, а управление плотностью тока – с помощью электрических полей. Электронно-лучевые приборы используются для получения видимого изображения электрических сигналов, а также для запоминания (хранения) сигналов.
Отклоняющая система служит для управления положением луча в пространстве. В трубках с магнитным управлением отклоняющая система состоит из двух пар отклоняющих катушек.
Магнитная отклоняющая система обычно содержит две пары катушек, надеваемых на горловину трубки и образующих магнитные поля во взаимно перпендикулярных направлениях. Рассмотрим отклонение электрона магнитным полем одной пары катушек, считая, что поле ограничено диаметром катушки и в этом пространстве однородно. На рис.1 силовые линии магнитного поля изображены уходящими от зрителя перпендикулярно плоскости чертежа. Электрон с начальной скоростью V 0
движется в магнитном поле, вектор индукции B которого нормален к вектору скорости V 0
, по окружности с радиусом
Выражая скорость V 0
электрона через напряжение на аноде, получаем:
Конструкция отклоняющих катушек. Отклоняющие катушки с ферромагнитными сердечниками позволяют увеличить плотность потока магнитных силовых линий в необходимом пространстве. Катушки с ферромагнитными сердечниками применяются только при низкочастотных отклоняющих сигналах, так как с увеличением частоты отклоняющего напряжения возрастают потери в сердечнике. В телевизионных и радиолокационных электронно-лучевых трубках обычно применяются отклоняющие катушки без сердечника. Стремясь получить более однородное магнитное поле, края катушки отгибают, а саму катушку изгибают по форме горловины трубки. Витки в катушке распределяют неравномерно: Число витков на краях обычно в 2 – 3 раза больше, чем в середине. Для уменьшения поля рассеяния катушки без сердечника обычно заключаются в стальной экран.
Достоинства и недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Отклонение луча магнитным полем в меньшей степени зависит от скорости электрона, чем для электростатической системы отклонения. Поэтому магнитная отклоняющая система находит применение в трубках с высоким анодным потенциалом, необходимым для получения большой яркости свечения экрана.
К недостаткам магнитных отклоняющих систем следует отнести невозможность их использования при отклоняющих напряжениях с частотой более 10 – 20 кГц, в то время как обычные трубки с электростатическим отклонением имеют верхний частотный предел порядка десятков мегагерц и больше. Кроме того, потребление магнитными отклоняющими катушками значительного тока требует применения мощных источников питания.
Достоинством магнитной отклоняющей системы является ее внешнее относительно электронно-лучевой трубки расположение, что позволяет применять вращающиеся вокруг оси трубки отклоняющие системы.
Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности, имеющий три или более выводов.
Токи в транзисторе определяются рядом физических процессов в электронно-дырочных переходах и в объеме базы, характеризуемых соответствующими параметрами. Физические параметры играют важную роль при анализе работы транзистора на переменном токе с сигналами малых амплитуд. Большинство этих параметров являются дифференциальными величинами и используются в качестве так называемых малосигнальных параметров транзистора.
Рассмотрим основные процессы и физические параметры транзистора.
В активном режиме работы транзистора дырки, инжектируемые из эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются полем коллекторного перехода, образуя коллекторный ток I K
. В следствие рекомбинации в базе и других причин I K
< I Э
. На основании закона Кирхгофа для токов в цепях электродов транзистора можно записать: I Э
= I K
+ I Б
.
В активном режиме к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение и через переход течет ток I Э
, который содержит составляющие I Эр
и I Эп
– токов инжекции дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер, составляющую I Эr
– тока рекомбинации в эмиттерном переходе, а также ток утечки I Эу
: I Э
= I Эр
+ I Эп
+ I Эr
+ I Эу
.
Токами I Эп
, I Э
r
, I Эу
пренебрежем: I Э
»I Эр
.
Ток коллектора – это ток через переход, к которому в активном режиме приложено обратное напряжение. Помимо обратного тока через коллекторный переход протекает ток экстракции дырок из базы в коллектор равный дырочной составляющей эмиттерного тока за вычетом тока, обусловленного рекомбинацией дырок в базе.
Ток базы может быть определен как разность токов эмиттера и коллектора.
Обратным током коллектора (или эмиттера) называют ток при заданном обратном напряжении на коллекторном (или эмиттерном) переходе при условии, что цепь другого перехода разомкнута: I Э
= 0 (или I К
= 0)
Поскольку обратный ток коллектора, определяемый процессами генерации носителей в коллекторе, базе и коллекторном переходе, представляет собой не управляемую процессами в эмиттерном переходе часть коллекторного тока. Ток I КБО
играет важную толь в работе транзистора в активном режиме, когда коллекторный переход находится под обратным напряжением.
Соответственно обратный ток эмиттера I ЭБО
представляет собой составляющую эмиттерного тока, значения которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. Этот ток имеет важное значение при работе транзистора в инверсном режиме (эмиттерный переход включен в обратном направлении).
Помимо токов I КБО
и I ЭБО
, измеряемых в режиме холостого хода в цепи эмиттера или коллектора соответственно, в транзисторе различают также обратные токи I КБК
и I ЭБК
.
Ток I КБК
, текущий через коллекторный переход при обратном напряжении на этом переходе, измеряется в условиях короткого замыкания цепи эмиттер – база. Аналогично ток I ЭБК
– это ток в эмиттерном переходе при обратном напряжении на этом переходе и при условии, что цепь коллектор – база замкнута накоротко.
С учетом понятия обратного тока коллектора ток I К
для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока I КБО
и части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших до коллекторного перехода.
называется коэффициентом эмиттерного тока. Обычно a < 1. В инверсном режиме (коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный – в обратном направлении) ток эмиттера равен:
называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как правило, a 1
< a.
С помощью коэффициентов a и a 1
можно установить связь между обратными токами:
В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, входным током служит ток базы I Б
, а выходным, как и в схеме с ОБ, то коллектора I К
. Для схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на транзисторах, используется коэффициент передачи базового тока b. Выражение для b можно получить, решая его относительно тока I К
:
- обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при I Б
= 0.
Выражение для коэффициента передачи базового тока b легко получить используя эти соотношения:
Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в статическом режиме, т.е. в том случае, когда к его электродам подключены лишь источники постоянных напряжений.
Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики в близи пробоя.
Статические параметры в активном режиме.
Статическим параметром для этого режима служит статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
Коэффициент h 21Э
является интегральным коэффициентом передачи базового тока b, однако, статический коэффициент определяет как пренебрегая током І КБО
, что вполне допустимо при условии, что І Б
³ 20І КБО
.
В качестве статического параметра активного режима используется также статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:
Статические параметры в режиме отсечки.

В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.
Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:
обратный ток коллектора І КБО
– это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера;
обратный ток эмиттера І ЭБО
– это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора;
обратный ток коллектора І КБК
– это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых накоротко выводах эмиттера и базы;
обратный ток І ЭБК
– это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко выводах коллектора и базы;
обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении U КЭ
. Этот ток обозначается: І КЭО
– при разомкнутом выводе базы; І КЭК
– при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы; І КЭ
R
– при заданном сопротивлении в цепи базы – эмиттер; І КЭX
– при заданном обратном напряжении U БЭ
.
Статические параметры в режиме насыщения.

В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Напряжение насыщение коллектор – эмиттер U КЭ нас
– это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора;
напряжение насыщение база – эмиттер U БЭ нас
– это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
При измерениях U КЭ нас
и U БЭ нас
ток коллектора задается чаще всего равным номинальному значению, а ток базы задается в соответствии с соотношением І Б
= К нас
І’ Б
, где К нас
коэффициент насыщения; І’ Б
ток на границе насыщения.
Статические параметры в области пробоя.

Основными параметрами в этом режиме служат:
пробивное напряжение коллектор – база U КБО проб
– это пробивное напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном токе коллектора І КБО
и токе І Э
= 0.
пробивное напряжение коллектор – эмиттер – пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе І К
.
Напряжение U КЭО проб
определяется соотношением

Название: ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой
Раздел: Рефераты по науке и технике
Тип: реферат
Добавлен 08:41:35 03 ноября 2004 Похожие работы
Просмотров: 214
Комментариев: 18
Оценило: 3 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой
Реферат по теме Оформление прав на доменные имена
Реферат: 1934 год. Скачать бесплатно и без регистрации
Курсовая работа по теме Порядок проведения инвентаризации материальных ценностей и отражение ее результатов в учете
Курсовая работа по теме Нематериальные активы и их роль в деятельности предприятия
Ж Әбдірашев Дала Сенің Ұлыңмын Эссе
Курсовая работа по теме Адаптация персонала
Контрольная работа по теме Демографические и медико-демографические процессы в Архангельской области
Реферат: Семейное воспитание в наследии Я.А. Коменского. Скачать бесплатно и без регистрации
Сочинение На Тему Дружба 9
Оперативный Блок Устройство Реферат
Учебное пособие: Методические указания для контрольной работы
Реферат На Тему Как Строят Дом
Рамка В Клетку Для Лабораторных Работ
Реферат: Управление основным капиталом предприятия
Сочинение На Тему Дружба По Тексту Обломов
Отчет По Практике На Тему Инспекция Федеральной Налоговой Службы Рф
Реферат по теме Естественнонаучные знания о веществе
Эссе На Тему Мчс
Есаулов Георгий Васильевич Кандидатская Диссертация
Реферат На Тему Институциональные Аспекты Политики. Сущность И Основные Функции Современных Государств
Доклад: Связь аспектов политической социализации и психической адаптивности молодежи
Реферат: Казаки Дона на охране южных рубежей московского царства
Доклад: Сальвадор