Реферат: Дифференциальный усилитель

💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:
– повышенная предельная температура +85°С;
– интервал рабочих температур -20°С...+80°С;
– вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;
Исходные данные для проектирования:

1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук.
2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе.
Напряжение источника питания: 6,3 В±10%.
Сопротивление нагрузки не менее: 20 КОм.
Гибридные ИМС (ГИС) – это интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры.
Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет.
Условия эксплуатации изделия нормальные.
2. Выбор материалов, расчёт элементов, выбор навесных компонентов.

В качестве материала подложки выберем ситалл СТ50-1.
Транзисторы выберем как навесные компоненты.
По мощностным параметрам транзисторы удовлетворяют ТЗ. По габаритным размерам они также подходят для использования в ГИС.
Определим оптимальное сопротивлениеквадрата резистивной плёнки из соотношения:
По полученному значению выбираем в качестве материала резистивной плёнки кермет К-20С. Его параметры: rопт=3000 ОМ/, Р0=2 Вт/см^2, ar=0.5*10^-4 1/°С.
d0rt=0.00325, а допустимая погрешность коэффициента формы для наиболее точного резистора из
равно d0кф=2.175. Значит материал кермет К-20С подходит.
Оценим форму резисторов по значению Кф из
Кф1,3,5=1.333, Кф2=0.6, Кф6=1.9, Кф4=0.567.
Поскольку все резисторы имеют прямоугольную форму, нет ограничений по площади подложки и точность не высока, выбираем метод свободной маски. По таблице определяем технологические ограничения на масочный метод: Db=Dl=0.01мм, bтехн=0.1мм, lтехн=0.3мм, аmin=0.3мм, bmin=0.1мм.
Расчётную ширину определяем из bрасч³max(bтехн, bточн,bр),
За ширину резистора-b принимают ближайшее значение к bрасч, округлённое до целого числа, кратного шагу координатной сетки.
bр1,3,5=0.375мм, bтехн=0.1мм, bточн=0.8мм, значит b1,3,5=0.8мм.
Расчётная длина резистора lрасч=b*Кф. За длину резистора принимают ближайшее к lрасч, кратное шагу координатной сетки значение.
Полная длина напыляемого слоя резистора lполн=l+2*lк. Таким образом lрасч=1.066мм, а lполн=1.466, значит l1,3,5=1.5мм.
Рассчитаем площадь, занимаемую резистором S=lполн*b. S1,3,5=1.2мм^2.
Аналогичным образом рассчитываем размеры резистора R6.
b6=0.7мм, lполн=1.75мм, S=1.225мм^2.
Для резисторов, имеющих Кф<1, сначала определяют длину, а затем ширину.
lточн2=0.736мм, lр2=0.417мм, значит l2=0.75мм.
bрасч=l/Кф, bрасч2=1.25мм, S=0.9375мм^2.
lточн=0.72мм, lр=0.25мм, l4=0.75мм.
Резисторы спроектированы удовлетворительно, т.к.:
1) удельная мощность рассеивания не превышает допустимую
2) погрешность коэффициента формы не превышает допустимую
3) суммарная погрешность не превышает допуск
d0r1=d0rŠ+d0кф+d0rt+d0rст+d0rк£d0r.
В качестве материала подложки мы уже выбрали ситалл.
Площадь подложки вычисляют из соотношения
Кs-коэффициент использования платы (0.4....0.6);
Sr-суммарная площадь, занимаемая резисторами;
Sc-общая площадь, занимаемая конденсаторами;
Sk-общая площадь, занимаемая контактными площадками;
Sн-общая площадь, занимаемая навесными элементами.
Выбирем подложку 8´10мм. Толщина-0.5мм.
4. Последовательность технологических операций.

1. Напыление материала резистивной плёнки.
3. Фотолитография резистивного и проводящего слоёв.
Площадки и проводники формируются методом свободной маски.
Защитный слой наносится методом фотолитографии.
Для ГИС частного применения в основном используется корпусная защита, предусматриваемая техническими условиями на разработку. Выберем корпус, изготавливаемый из пластмассы. Его выводы закрепляются и герметизируются в процессе литья и прессования.
Размеры корпуса (габаритные) 19.5мм´14.5мм, количество выводов–14, из них нам потребуется 10.
Под надёжностью ИМС понимают свойство микросхем выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующим заданным режимам и условиям использования, хранения и транспортирования.
Расчёт надёжности ГИС на этапе их разработки основан на определении интенсивности отказов-l(t) и вероятности безотказной работы-Р(t) за требуемый промежуток времени.
где l0i-зависимость от электрического режима и внешних условий,
ai=f(T,Kн)-коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки,
Кi=K1-коэффициент, учитывающий воздействие механических нагрузок.
Воздействие влажности и атмосферного давления не учитываем, т.к. микросхема герметично корпусирована.
Для расчётов рекомендуются следующие среднестатистические значения интенсивностей отказов:
– навесные транзисторы l0т=10^-8 1/ч;
– тонкоплёночные резисторы l0R=10^-9 1/ч;
– керамические подложки l0п=5*10^-10 1/ч;
– плёночные проводники и контактные площадки l0пр=1.1*10^-91/ч;
– паяные соединения l0соед=3*10^-9 1/ч.
Коэффициенты ai берём из таблиц, приведённых в справочных материалах.
Коэффициенты нагрузки определяются из соотношений:
где I-ток коллектора соответствующего транзистора, U-напряжение коллектор-эммитер соответствующего транзистора, Iдоп, Uдоп-допустимые значения токов и напряжений;
где Рi-рассеиваемая на транзисторе мощность,
Рiдоп-допустимая мощность рассеивания.
Для различных условий экплуатации значения коэффициента в зависимости от нагрузок разные, выберем самолётные-К1=1.65.
Величина интенсивности отказов ГИС-lå определяется как сумма всех рассчитанных интенсивностей. Расчётное значение вероятности безотказной работы за время составляет
Н. Н. Ушаков "Технология производства ЭВМ". 1991г. Высшая школа. Б. П. Цицин "Учебное пособие для выполнения курсового проекта по курсу "Технология производства ЭВМ". 1989г. МАИ.

Название: Дифференциальный усилитель
Раздел: Рефераты по науке и технике
Тип: реферат
Добавлен 02:55:02 09 апреля 2008 Похожие работы
Просмотров: 123
Комментариев: 21
Оценило: 2 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Если Вам нужна помощь с учебными работами, ну или будет нужна в будущем (курсовая, дипломная, отчет по практике, контрольная, РГР, решение задач, онлайн-помощь на экзамене или "любая другая" учебная работа...) - обращайтесь: https://clck.ru/P8YFs - (просто скопируйте этот адрес и вставьте в браузер) Сделаем все качественно и в самые короткие сроки + бесплатные доработки до самой сдачи/защиты! Предоставим все необходимые гарантии.
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Реферат: Дифференциальный усилитель
Реферат По Биологии Лечебные Травы Крыма
Страны Очэс Участники И Международная Торговля Курсовая
Курсовая работа по теме Управление персоналом в ИФНС России по г. Чебоксары
Шпаргалка: Деньги, кредит, банки
Реферат по теме Феномен средневекового рыцарства
Технология Возделывания Бобовых Культур Курсовой Проект Stud
Практическое задание по теме Разъемы материнской платы Intel D815EEA
Сочинение Как Вы Понимаете Значение Слова Смелость
Валеология Наука О Здоровье Человека Реферат
Курсовая работа по теме Контроль знаний на уроках мировой художественной культуры
Реферат по теме Конфликтология и управление конфликтами
Доклад по теме Лавровый лист
Переплет дипломной работы
Дипломная работа по теме Характеристика системы управления недвижимостью
Курсовая работа по теме Расчет экономической эффективности мероприятий по промышленной безопасности
Реферат На Тему Ставлення Влади Та Політичних Партій До Вступу У Нато
Курсовая работа: Рекламные агентства
Обращение К Исполнению Приговоров Курсовая
Курсовая работа: Разработка и принятие стратегических решений на примере ОАО "Самарский хлебозавод № 9"
Курсовая работа по теме Гипоидные передачи
Реферат: Финансовые возможности новых форм страхового бизнеса за рубежом
Сочинение: Борис Леонидович Пастернак. Краткий очерк творчества
Реферат: Ассірійська держава