RAM Samsung 4 Go DDR4 2666 MHz CL19 M378A5244CB0-CTD

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Données d'usine Garantie du fabricant 36 mois. Pays d'origine Chine Paramètres généraux Type de RAM Modèle Samsung Code fabricant [M378A5244CB0-CTD] Volume et composition du kit Type de mémoire DDR4 Facteur de forme de la mémoire DIMM Volume mémoire total de l'ensemble du kit 4 Go Capacité d'un module de mémoire 4 Go Nombre de modules dans le kit 1 Mémoire enregistrée pas de mémoire ECC non Performance Fréquence d'horloge 2666 MHz Profils Intel XMP non Timings Latence CAS (CL) 19 Délai RAS à CAS (tRCD) 19 Délai de précharge de ligne (tRP) 19 Délai d'activation pour précharge (tRAS) 32 Conception Présence d'un dissipateur thermique non Éléments de rétroéclairage non carte Hauteur 31,25 mm Profil bas non Tension d'alimentation supplémentaire 1,2 VCaractéristiques générales Marque : SAMSUNG Modèle : M378A5244CB0-CTD Facteur de forme : DIM Type de mémoire : DDR4 Capacité du module : 4 Go Nombre de contacts : 288 broches Indicateur de vitesse : PC4-21300 Mise en mémoire tampon : sans tampon Prise en charge ECC : non prise en charge Caractéristiques du test Vitesse : 2666 MHz Tension : 1,2 V Latence : 19-19-19

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