Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника контрольная работа
Главная
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
посмотреть текст работы
скачать работу можно здесь
полная информация о работе
весь список подобных работ
Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Министерство образования Республики Беларусь
«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
Специальность: Проектирование и производство радиоэлектронных средств
Контрольная работа на тему Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
3. Технологический процесс изготовления р-канального МДП транзистора.
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем.
Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств - микропроцессоров.
Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.
Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).
Типы ИМС, конструкция элементов и компонентов
Интегральная микросхема (ИМС) - вполне установившийся термин, означающий конструктивно законченное изделие микроэлектронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки информации (сигнала), изготовленное в едином технологическом цикле, воспринимаемое (неразделимой частью) как компонент в устройстве электронной техники.
Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд общих конструктивных признаков рис.1.
Рисунок 1. Конструкция интегральной микросхемы.
1-подложка или кристалл; 2-корпус; 3-крышка; 4-внешние выводы; 5-гибкие выводы.
Основной, определяющей тип ИМС, частью является подложка или кристалл 1. В ней или на ее поверхности формируются элементы, реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние 4 и гибкие 5 выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий, коммутацию входных и выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.
В зависимости от типа подложки и способа реализации элементов различают полупроводниковые и пленочные ИМС.
В полупроводниковых ИМС элементы выполняются непосредственно в поверхностном слое на небольшом расстоянии друг от друга с коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности рис.2.
В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей воспроизводимостью выходных параметров активные элементы (транзисторы, диоды и др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать пассивные элементы.
Эта особенность позволяет выполнять множество различных устройств типа генераторов, пускателей, детекторов и др. Применение таких ИМС дает существенное уменьшение веса (массы), габаритов, снижения энергопотребления, повышения надежности. На полупроводниковых ИМС удается организовать наиболее компактные устройства.
В пленочных ИМС элементы выполняются на поверхности пассивной подложки (стекло, керамика, ситалл и др.) в виде тонких и толстых пленок.
Рисунок 2. Полупроводниковые элементы ИМС.
1-подложка кремневая; 2-плонарный транзистор; 3-интегральный резистор.
В пленочных ИМС затруднительно получение активных элементов, однако есть прекрасные возможности для формирования всего набора пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.) элементов достаточно широкого диапазона номиналов с хорошей воспроизводимостью.
Транзисторы со структурой МДП представляют собой одну из разновидностей полевых транзисторов - активных полупроводниковых приборов, в которых используются эффекты дрейфа основных носителей под действием продольного электрического поля и модуляции дрейфового тока поперечным электрическим полем. Действие полевых транзисторов основано на перемещении только основных носителей заряда в полупроводниковом материале, в связи, с чем эти транзисторы называют униполярными в отличие от биполярных, использующих оба типа носителей.
МДП-транзисторы имеют существенные преимущества перед биполярными по конструкции (размеры и занимаемая ими площадь относительно невелики, в принципе, отсутствует необходимость их изоляции) и электрофизическим параметрам (низкий уровень шумов, устойчивость к перегрузкам по току, высокие входное сопротивление и помехоустойчивость, малая мощность рассеивания, низкая стоимость).
В то же время БИС на МДП-транзисторах уступают БИС на биполярных транзисторах в технологической воспроизводимости, стабильности параметров и быстродействии.
Технические условия на интегральные микросхемы (как и на другие изделия электронной техники) представляют собой комплекс основных требований, которым они должны удовлетворять. В состав требований входят выходные параметры, условия эксплуатации, хранения и др. Технические условия могут быть общие, частные, временные и некоторые другие. Общие технические условия устанавливают требования ко всем типам ИМС опытного, серийного и массового производства.
Наибольшее распространение получили следующие маршруты производства: технология МДП- ИМС на p-канальных транзисторах с алюминиевыми и кремниевыми затворами.
1 - окисление кремниевой пластины n-типа; 2 - фотолитография для вскрытия окон под области стоков, истоков и диффузионных шин; 3 - локальная загонка примесир-типа в поверхностную область будущих стоков и истоков методом ионного легирования и второе окисление с одновременной разгонкой примеси;4 - фотолитография для удаления окисла с подзатворных областей; 5 - формирование подзатворного ди-электрика окислением в сухом кислороде и дополнительная разгонка примеси в областях стоков и исто-ков; 6 - фотолитография для вскрытия окон под контакты к областям стока, истока и диффузионным шинам; 7 - нанесение пленки алюминия и фотолитография для создания рисунка разводки; 8 - нанесение пассивирующего слоя ФСС с последующим фотолитографическим вскрытием окон над контактными площадками и областями скрайбирования
Технологический процесс изготовления p-канального МДП транзистора представлен на рисунке 3:
интегральный микросхема транзистор сигнал
Рисунок 4. Полевой транзистор p-типа.
Полупроводниковая интегральная схема (ИС) изготовляется на подложке монокристаллического кремния площадью 1…10 мм2. На столь малой площади располагается несколько десятков (иногда сотен) пассивных и активных интегральных элементов: транзисторов (полевых, биполярных, p-n-p- и n-p-n-типов, малосигнальных, мощных импульсных), диодов, резисторов, конденсаторов. Эти элементы объединяются в схему, которая должна удовлетворять нескольким требованиям: иметь заданные электрические параметры, быть многофункциональной в применении, технологичной для массового производства, обладать малой себестоимостью и большой надежностью.
Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности. Они занимают доминирующее положение при выпуске таких изделий микроэлектроники, как полупроводниковые оперативные и постоянные запоминающие устройства, БИС электронных микрокалькуляторов, БИС микропроцессорных наборов.
1. Ненашев А.П. Конструирование радиоэлектронных средств: Учеб. для радиотехнических спец. вузов. - Мн.: Высшая школа, 2000.
2. Основы конструирования изделий радиоэлектроники: Учеб. пособие / Ж.С. Воробьева, Н.С. Образцов, И.Н. Цырельчук и др. - Мн.: БГУИР, 2001.
3.Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1986. - 386 с.
4.Матсон Э. А. Конструирование и технология микросхем. - Минск, Вышэйшая школа, 1989. 207 с.
Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом. курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014
Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами. лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008
Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты. контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013
Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи. реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011
Применение мощных полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы) в выходных каскадах усилителей мощности. Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах в программе Multisim 8. Линейные и фазовые искажения, коэффициент гармоник. дипломная работа [3,5 M], добавлен 30.04.2010
Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором. контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (РТ) новой технологии (IGBT) против полевых МОП транзисторов. Улучшенные динамические характеристики. Рабочие частоты и токи. Положительный температурный коэффициент. Потери проводимости и переключения. статья [176,9 K], добавлен 27.09.2009
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .
© 2000 — 2021
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором контрольная работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Реферат Астрономия Конфигурация Планет
Дипломная работа: Оценка экономической эффективности реализации нефтегазовых проектов острова Сахалин и их влияния на экономическое положение РФ
Дипломная работа по теме Правовое регулирование сертификации продукции
Реферат: . Национальный центр развития единоборств
Реферат по теме Cложные эфиры
Курсовая работа: Корея в Новое время
Реферат: Бизнес план нового предприятия
Курсовая работа по теме Демографическая обстановка в Нижегородской области
Курсовая работа по теме Сбор и представление технологической информации для отражательной печи по переплавке алюминия
Реферат На Тему Нясвіж – Скарбонка Таямніц
Как Быстро Написать Отчет По Практике
Управление Персоналом Организации Диссертация
Курсовая работа по теме Открытие ресторана
Доклад по теме Ранние преддекабристские организации.
Тему Сочинений По Литературе В Декабре
Особенности формирования имиджа образовательного учреждения в области культуры на примере Центральной музыкальной школы им. А.Н. Скрябина города Дзержинска
Основы бухгалтерского учета труда и заработной платы
Курсовая работа по теме Культура постсоветских времен
Курсовая Работа На Тему Эффективность Производства Зерновых Культур На Примере Спк "Восход" Можгинского Района
Сочинение 5 Летом Картина
Обмен веществ лишайников - Биология и естествознание реферат
Южно-Африканская Республика (ЮАР) - География и экономическая география реферат
Понятие населения и его состав - Государство и право презентация