Производство полупроводниковых приборов - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника курсовая работа
Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
посмотреть текст работы
скачать работу можно здесь
полная информация о работе
весь список подобных работ
Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Таблица 1 - Некоторые свойства германия и кремния
Температурный коэффициент линейного расширения (0-100 0 С)
полупроводниковый прибор пластина кристалл
Алмаз - самый твердый материал. При обработке кремния используются как природные, так и синтетические алмазы, уступающие первым по механическим свойствам. Иногда применяют карбиды бора В 4 С и кремния SiC, а также электрокорунд Al 2 O 3 . В настоящее время при резке слитков кремния на пластины в качестве режущего инструмента применяют металлические диски с внутренней алмазной режущей кромкой.
Инструмент представляет собой металлический диск с центральным отверстием, на кромку которого нанесена алмазная крошка. Толщина диска 0,1-0,15 мм, а диаметр отверстия обусловлен диаметром разрезаемого слитка. Схема установки для резки слитков представлена на рисунке 4.
Рисунок 4 - Металлический диск с внутренней алмазной режущей кромкой: 1 - металлический диск; 2 - алмазная крошка
Режущий инструмент (диск) растягивается и закрепляется в специальном барабане на головке шпинделя станка для резания. Слиток разрезается диском с алмазной кромкой при вращении шпинделя (3000 - 5000 об/мин.). Скорость движения слитка при его перемещении перпендикулярно оси режущего диска составляет 40 - 50 мм/мин. (для слитков диаметром 60 мм не более 20 - 30 мм/мин.). После отрезания очередной пластины с помощью автоматической системы происходит возврат слитка в исходное положение, а также, перемещение его на заданный шаг. Устройство для закрепления слитка позволяет поворачивать слиток в горизонтальной и вертикальной плоскостях на требуемые углы по отношению к плоскости вращения алмазного диска и тем самым обеспечивает ориентированную резку. Станок снабжен системой подачи воды для охлаждения режущего диска и вымывания отходов резки (частичек выкрошенного кремния).
Рисунок 5 - Схема установки для резки алмазным диском: а - внутренний способ резки; б - гребенчатый способ резки (1 - барабан; 2 - диск; 3 - алмазное покрытие; 4 - оправка; 5 - пластина; 6 - слиток)
Поверхность пластин, полученных после резки, не удовлетворяет требованиям, которые предъявляют к качеству поверхности кремния при планарной технологии. С помощью электронографа устанавливают наличие приповерхностных слоев, не имеющих монокристаллической структуры. Толщина нарушенного слоя после резки диском 10 - 30 мкм в зависимости от скорости вращения диска. Поскольку в ИС глубина, на которой располагаются p-n - переходы, составляет единицы и десятые доли микрона, наличие нарушенных слоев толщиной 10 - 30 мкм неприемлемо. Микронеровности на поверхности не должны превышать 0,02 - 0,1 мкм. Кроме того, проведение фотолитографии плоскопараллельности пластин следует поддерживать на уровне 1 мкм по диаметру пластины вместо 10 мкм после резки.
В зависимости от типа микропорошка выбирается материал поверхности шлифовальщика. При шлифовке пластин микропорошками М14-М15 применяют стеклянный шлифовальщик, при полировке микропорошками АСМ - специальные шлифовальщики с поверхностью из тканевых материалов. При обработке пластин на рабочий шлифовальщик устанавливаются три головки с наклеенными пластинами. Головки удерживаются от перемещения по шлифовальщику специальными направляющими кронштейнами с опорными роликами (рисунок 6). За счет силы трения возникающей между соприкасающимися поверхностями рабочего шлифовальщика и головок, последние вращаются вокруг своих осей. Это вращение головок создает условия для равномерного шлифования или полирования.
При шлифовании микропорошками М14 - М15 используют водные суспензии с соотношением воды к абразиву 31, при полировке пластин специальные алмазные пасты.
В настоящее время принята определенная последовательность операций при механической обработке пластин. При этом учитывается то, что толщина снимаемого слоя на каждой операции должна превышать толщину нарушенного слоя, который образовался на предыдущей операции. Пластины шлифуют с двух сторон, а полируют только рабочую сторону.
Таблица 4 - Характеристики микропорошков
Скорость удаления материала, мкм/мин
Рисунок 6 - Схема плоскошлифовального станка и расположения головок: 1 - дозирующее устройство с абразивной суспензией; 2 - грузы; 3 - головка; 4 - пластины; 5 - шлифовальщик; 6 - направляющий ролик
В целом механическая обработка пластин, удовлетворяющих требованиям планарной технологии, приводит к большим потерям кремния (около 65%).
Резка алмазным кругом с внутренней режущей кромкой
Зернистость режущей кромки АСМ 60/53; n=4000мин -1 ; подача 1мм/мин
Суспензия аэросила, SiO 2 (зерно 0,04 - 0,3 мкм)
Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции. реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003
Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле. лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008
Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов. реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010
Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники. курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016
Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов). лабораторная работа [636,9 K], добавлен 24.06.2015
Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов. курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013
Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов. дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .
© 2000 — 2021
Производство полупроводниковых приборов курсовая работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Курсовая Работа На Тему Использование Медицинских Терминов В Аннотациях К Лекарствам
Мини Сочинение По Басням Крылова
Контрольная работа: Дендрология
Контрольная работа по теме Контроль и ревизия: характеристика, виды и порядок проведения
Реферат: Трудовой стаж. Скачать бесплатно и без регистрации
Лабораторная работа: Анализ финансовой деятельности на основании бухгалтерской отчетности
Курсовая работа по теме Понятие женской прессы
Контрольная Работа На Тему Вирішення Задач По Аналітичній Хімії
Пособие по теме Урок истории "Трудные времена на Русской земле"
Реферат по теме Особенности психологической культуры воспитателя в дошкольном учреждении
Короткие Произведения Про Войну Для Сочинения
Реферат по теме Процессор
Реферат: Першопочатки людського життя на території України
Контрольные Работы Немецкий Бим 4 Класс
Реферат по теме Генеральная Ассамблея ООН
Внешнеэкономическая Деятельность Пао Сбербанк Курсовая
Личные Инвестиции Эссе
Курсовая работа по теме Музыкальная эстетика античного периода
Реферат: Сен-Пьер и Микелон
Бизнес-План На Тему Инвестиционный Проект По Производству Медицинской Техники
Судебное рассмотрение индивидуальных трудовых споров - Государство и право курсовая работа
Состояние физической системы. Динамические, статистические закономерности в природе - Биология и естествознание доклад
Еволюція життя на Землі - Биология и естествознание реферат