Предельная растворимость примесей в кремнии — Студопедия
Предельная растворимость примесей в кремнии — СтудопедияПредельная растворимость примесей в кремнии — Студопедия
Рады представить вашему вниманию магазин, который уже удивил своим качеством!
И продолжаем радовать всех!)
Мы - это надежное качество клада, это товар высшей пробы, это дружелюбный оператор!
Такого как у нас не найдете нигде!
Наш оператор всегда на связи, заходите к нам и убедитесь в этом сами!
Наши контакты:
Telegram:
ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много фейков!
Если ведется двойная последовательная диффузия акцепторной примеси с параметрами С 0а , D а , t а , а затем донорной примеси с параметрами С 0д , D д , t д в полупроводник с электропроводностью n-типа, равномерно легированный примесью с концентрацией С в , то суммарное распределение концентрации имеет вид:. Первая диффузия является более глубокой, последующая — более мелкой, но с более высокой концентрацией, поэтому при двойной последовательной диффузии будут получены структуры n-p-n согласно формуле или р-n-р, если поменять местами типы примесей. Подобное распределение является типичным при получении структуры диффузионного транзистора. Для определения глубины залегания эмиттерного р-n-перехода приравняем суммарную концентрацию нулю и учтем, что Св во много раз меньше концентраций диффундирующих доноров и акцепторов. Воспользовавшись формулами, приведенными выше, рассчитаем глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов. Где - коэффициент диффузии, - энергия активации, - постоянная Больцмана , - температура. Затем найдем из графика и из формулы:. В начале х годов на стыке физики полупроводников и физики атомных столкновений возникло новое научно-техническое направление — ионное легирование полупроводников, имеющее большое значение для полупроводниковой электроники. Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования. Часто приходится проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои тяжелых металлов например, Та или TaSi 2 , так и диэлектриков. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие 'осколочные эффекты' способны вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов. Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в мишени. При этом имплантация проводится с малой энергией ионов. Общая траектория движения иона называется длиной пробега R, а расстояние, проходимое внедряемым ионом до остановки в направлении, перпендикулярном к поверхности мишени, проецированной длиной пробега Rp. При интенсивной бомбардировке на ионную имплантацию влияет катодное распыление разрушение поверхности твердого тела при бомбардировке его ионами мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени. Ионная имплантация наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле , а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. Ионная имплантация позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. Ионная имплантация позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов. Используя пучки ускоренных ионов в установках типа обычного масс-спектрометра, можно вводить любую примесь если необходимо — изотопно чистую в любой кристалл. Вопрос о радиационных дефектах имеет принципиальное значение для ионного легирования полупроводников. Расчет профилей распределения концентрации внедренных примесей в структурах с двойной имплантацией. Суммарное распределение примеси описывается выражением. Откуда , где , ,. Физико-химические основы технологии электронных средств: Как выглядит распределение концентрации примеси по глубине при диффузии из источника бесконечной мощности? Как выглядит распределение концентрации примеси по глубине при диффузии из источника ограниченной мощности. Какой вид имеет кривая распределения ионов примеси по глубине с учетом и без учета каналирования? Последнее изменение этой страницы: Все права принадлежать их авторам. Обратная связь - Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления. Влияние общества на человека Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления. Профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.
Диаграммы состояния кремний – примесь, кривые растворимости
Предельная растворимость примесей в кремнии
Закладки скорость a-PVP в Щекине
Растворимость примесей – основы материаловедения
Максимальная растворимость некоторых примесей в кремнии
ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ
Где Заказать Взять Купить Спайс В Гомеле
Профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры
Максимальная растворимость некоторых примесей в кремнии
Предельная растворимость примесей в кремнии
Диаграммы состояния кремний – примесь, кривые растворимости
Стиральный порошок phoenix professional automat 15 кг