Полупроводниковые стабилитроны - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника лабораторная работа
Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
посмотреть текст работы
скачать работу можно здесь
полная информация о работе
весь список подобных работ
Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
1. Цель работ ы и краткая программа измерений
Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
стабилитрон схема полупроводниковый
G1 - источник питания 1-15 В; R1 - потенциометр 0-100 Ом;
R2 - балластный резистор 0-1 кОм; PA - цифровой амперметр;
VD - исследуемый стабилитрон; PV - цифровые вольтметры.
3. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цеп ях отдельных электродов прибора
Измерения при комнатной температуре (18 С 0 )
Изменение дифференциального сопротивления лавинного стабилитрона данного типа
Измерения при комнатной температуре (18 С 0 )
Из полученных данных и проведенных измерений можно сделать вывод либо о несоответствии заявленных рабочих диапазонов стабилитрона Д814А действительности, либо о нехватке данных о температурном режиме этих данных.
Температурный коэффициент принимает более или менее линейный горизонтальный вид лишь на участке от [-10; -25] мА, в то время как диапазон стабилизации [-3; -40] мА.
В остальном стабилитрон является диодом с проводимостью лавинного типа и имеет достаточно типичную ВАХ для данного типа приборов.
Изменение дифференциального сопротивления лавинного стабилитрона данного типа
Измерения при комнатной температуре (18 С 0 )
Как и в случае со стабилитроном лавинной проводимости, паспортные характеристики расходятся с практическими. Однако можно наблюдать изменение знака температурного коэффициента по сравнению с лавинным диодом. Это означает что напряжение на нем при повышении температуры будет падать а ток расти. В наиболее линейном диапазоне [-25; -55] мА наблюдается незначительная величина температурного коэффициента 0,64 мВ/С 0 .
Изменение дифференциального сопротивления лавинного стабилитрона данного типа
Измерения при комнатной температуре (18 С 0 )
Наблюдается аналогичная ситуация с паспортными данными. Однако следует обратить внимание на температурную зависимость в области стабилизации [-5; -23] мА: температурный коэффициент в которой наиболее стабилен. Он имеет здесь значение отрицательное, но меньше чем у лавинного стабилитрона, да и и его флуктуация несколько меньше чем у других.
Отрицательность коэффициента объясняется тем что зависимость от температуры лавинного процесса генерации носителей имеет более выраженный характер нежели при туннельном размножении, и, как следствие превалирует по своей величине, однако противоположность знаков туннельного и лавинного температурных коэффициентов компенсируют друг-друга.
В результате этого мы наблюдаем гораздо более устойчивую и относительно небольшую картину смещения напряжения и тока на диоде Д818Г от изменения температуры.
Рабочая прямая и расчет балластного сопротивления.
Рабочая характеристика строится по двум данным точкам:
Напряжение питания (без падения на сопротивлении), а следовательно ток - нулевой:
И рабочей точке, определенной из графика при значении тока как
Границы стабилизации взяты не паспортные, а исходя из графика. Диапазон стабилизации выбран [-25; -55] мА.
Полученное сопротивление сравнимо с известным установленным в исследуемой цепи балластным сопротивлением 100 Ом.
Рассчитанное значение меньше реального на 2 Ома, что, как мне кажется, может являться причиной того, что не учтено последовательно включенное сопротивление самого диода (сопротивления его открытого перехода и материала).
Так, как в качестве нагрузки в схеме выступает разве что вольтметр с теоретически бесконечным сопротивлением, а следовательно нулевым током через него, мощность балластного резистора получилась 3,9 Вт, однако не следует забывать, что номинал мощности резистора следует увеличить, в случае включения в цепь нагрузки на R Б *I Н .
Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов. реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010
Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода. контрольная работа [1,2 M], добавлен 12.02.2016
Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия. курсовая работа [2,3 M], добавлен 19.02.2013
Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции. реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003
Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода. реферат [515,0 K], добавлен 14.11.2008
Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений. контрольная работа [202,7 K], добавлен 02.12.2010
Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов. дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .
© 2000 — 2021
Полупроводниковые стабилитроны лабораторная работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Реферат: Основные тенденции мирового развития в 30-е годы 20 века в условиях наростания мирового кризиса
Реферат по теме Деньги, банковское дело и денежная политика
Реферат: Боливия - гоударство в Центральной части Южной Америки. Скачать бесплатно и без регистрации
Реферат: Гайана 2
Реферат: Обоснование целесообразности замены медных кабельных систем на воло-конно-оптические кабели
Выбор и анализ бизнес идеи
Контрольная работа: Особенности креативного обучения
Реферат по теме Таможенная политика Московского централизованного государства
Реферат На Тему Типичные Ошибки Планирования, Детальное И Сетевое Планирование
Реферат: Notiunea de putere de stat si putere political. Скачать бесплатно и без регистрации
Мой Любимый Поэт Бальмонт Сочинение
Реферат по теме Анна Иоанновна в записках иностранцев
Доклад по теме Цели и задачи аудита
Практическое задание по теме Расчет параметров укрупненного грузового места
Реферат На Тему Как Человек Использует Свойства Воды
Техника Нападающего В Волейболе Реферат
Как Я Выбираю Книги Сочинение 6
Воздействие Музыки На Организм Человека Реферат
Доклады На Тему Вербальная Коммуникация У Эгоцентричных Личностей
Курсовая работа по теме Проблеми сучасної сім'ї
Уголовное судопроизводство в современной России - Государство и право контрольная работа
Особенности производства следственных действий при расследовании бандитизма - Государство и право дипломная работа
Организация и тактика следственного эксперимента - Государство и право курсовая работа