Полупроводниковые пластины и их параметры. Подготовка, разрезание полупроводникового слитка на пластины и обработка - Производство и технологии реферат

Главная

Производство и технологии
Полупроводниковые пластины и их параметры. Подготовка, разрезание полупроводникового слитка на пластины и обработка

В работе рассмотрены четыре вида интегральных микросхем: тонкопленочные микросхемы, гибридные, твердые (монтажные) и совмещенные, основанием которых служит подложка выполненная из диэлектрического или полупроводникового материала. Технология изготовления.


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
"Полупроводниковые пластины и их параметры. Подготовка, разрезание полупроводникового слитка на пластины и обработка"
· Подготовка торцов слитка к ориентации;
· Ориентация базового среза на слитки и проверка ориентации торца;
· Ориентированное наклеивание слитка;
Перед шлифовкой к торцу слитка (4) наклеечной мастикой (3) приклеивают центры (2). При этом необходимо выдерживать соосность слитка и лини центров, чтобы припуск на обработку был равномерно распределен по окружности сечения слитка.
Режимы обработки слитка: частота вращения шлифовального круга (2500±500) об/мин, частота вращения шпинделя передней бабки (350±50) об/мин, скорость перемещения стола 2-4 м/мин, радиальная подача шлифовального круга 0,005 - 0,02 мм/дв. ход.
При шлифовке по диаметру слиток охлаждают водой или специальной жидкостью для отвода тепла из зон шлифования.
После калибрования слитка центры отклеивают и подшлифовывают торцы слитка, подготавливая его для ориентации.
Для определения кристаллографического направления, вдоль которого должен быть расположен базовый срез, а также значения и направления отклонения плоскости торца слитка от заданной кристаллографической плоскости используют рентгеновские дифрактометрический метод. Он основан на особенности отражения падающих рентгеновских лучей плоскостями кристаллической решетки.
Рис.5. Определение кристаллографического направления: 1 - слиток; 2 - счетчик Гейгера; 3,5 - отраженный и падающий луч; 4 - торец слитка; 6 - рентгеновская трубка.
Для каждой кристаллографической плоскости существует свой угол и, значение которой приводится в справочниках, интенсивность отраженного излучения при котором будет максимальна.
Угол д указывают в сопроводительном листе на слиток. Плоскость базового среза определяют аналогично, только рентгеновский пучок направляют в плоскости оси слитка на его цилиндрическую поверхность. При вращении слитка вокруг оси регистрируют счетчиком Гейгера максимальную интенсивность отраженного пучка (рентгеновские ус-ки УРС-50И, ДРОН-2, ДРОН-3).
Изготовление базового и дополнительного срезов осуществляют путем шлифовки по всей длине слитка на плоскошлифовальных станках алмазным шлифовальным кругом зернистостью АСМ50/40. Слиток закрепляют в специальном зажимном приспособлении, чтобы отметка ориентации среза располагалась параллельно базовой плоскости приспособления. Приспособление устанавливают на металлическом столе станка (тип 9927 или 3Г71). При шлифовке дополнительного среза слиток разворачивают на угол между этим срезом и базовым. В зону шлифований подают охлаждающую жидкость. Контролируют ширину среза миллиметровой линейкой.
Перед разрезанием слитка на пластины производят его ориентированное наклеивание. Монокристаллический слиток приклеивают наклеечной мастикой торцевой или цилиндрической поверхностью к основанию или подложке в специальной оправке и вместе с ней устанавливают на держатель, расположенный на станке.
При резке слитков больших диаметров их наклеивают торцовой и цилиндрической поверхностями одновременно.
Для ориентированной резки позволяют повернуть оправу со слитком в горизонтальной и вертикальной плоскостях на угол разориентации.
Для разрезания полупроводниковых слитков на пластины ранее использовались такие методы, как резка диском с наружной режущей кромкой, проволокой или полотнами, шаржированнными алмазами.
В последнее время наибольшее распространение получил метод резки, при котором в качестве режущего инструмента используют диск с внутренней алмазной режущей кромкой.
Инструмент представляет собой тонкий (от 0,1 до 0,15 мм) металлический диск (основа) с центральным отверстием, на кромку которого гальваническим способом нанесен алмазный слой с никелевой связкой.
Алмазные зерна имеют размеры 40 - 60 мкм при резке кремния и 20-40 мкм при резке арсенида галлия.
Рис.6. Диск для резки слитков на пластины.
Наружный диаметр диска и диаметр его центрального отверстия зависит т диаметра разрезаемого слитка и для слитков диаметром 200 мм могут быть соответственно 685 и 254 мм.
Рис.7. Установка для резки слитка на пластины: 1 - шпиндель; 2 - диск; 3 - слиток; 4 - держатель слитка.
Слиток (3), закрепленный в держателе (4), разрезается алмазной кромкой вращающегося диска при перемещении слитка или диска в направлении, перпендикулярном оси барабана.
Отрезанные пластины попадают в сборник, заполненный водой, остаются на оправке или удаляются вакуумным съемником. При резке разрезаемый материал деформируется, алмазные зерна трутся об него и выделяется большое количество теплоты. Поэтому алмазный диск непременно охлаждают водой или специальной охлаждающей жидкостью.
После резки контролируют геометрические параметры пластин: толщину, разброс толщины в партии пластин и в пределах площади пластин - разнотолщинность.
Рис.8. Примеры дефектов пластин: Дh = h2-h1 - разнотолщинность;
Качество поверхности характеризуется шероховатостью и глубиной нарушенного слоя.
Шероховатость: среднее арифметическое отклонение профиля Ra, высота микронеровностей Rz.
После резки параметры шероховатости должны находится в пределах Rz=1-1,5 мкм, Ra=0,2-0,3 мкм.
Нарушенный слой после резки состоит из трех зон.
Рис.9. Структура поверхности пластины после резки.
I - зона рельефа с поликристаллической структурой, толщина которой 0,2-0,5 высоты микронеровностей.
II - зона трещин и дислокационных скоплений, которые являются главным дефектом резки. Второй слой в 3-6 раз толще первого.
III - зона с остаточным упругими направлениями.
Знать глубину нарушенного слоя необходимо для того, чтобы правильно назначить припуск на последующую сборку, при которой должна быть полностью удалена зона трещин и дислокаций.
Оперативно контролировать глубину нарушенного слоя можно селективно протравливая поверхность косого или сферического шлифа и анализируя его с помощью оптического микроскопа.
Глубина зоны трещин после резки обычно не превышает 15-20 мкм.
· Контроль пластин после травления.
Пластины больших диаметров (?100 мкм), полученные после разрезания слитка, подвергают термообработке при температуре t=600єС. Термообработку проводят для получения заданного удельного сопротивления кремния.
Затем выполняют шлифовку плоских поверхностей пластин, и химическую очистку, скругление краев и травление наружного слоя. Оно выполняется для уменьшения припуска на последующую окончательную обработку рабочей стороны и снятия остаточных механических напряжений от шлифовки. Иногда нарушенный слой стравливают не полностью для создания механического геттера на нерабочей стороне пластины - области стока для дефектов и вредных примесей. При такой обработке нерабочая сторона пластины остается матовой.
Технология производства ЭВМ / А.П. Достанко, М.И. Пикуль, А.А. Хмыль: Учеб. - Мн. Выш. Школа, 2004 - 347с.
Технология деталей радиоэлектронной аппаратуры. Учеб. пособие для ВУЗов / С.Е. Ушакова, В.С. Сергеев, А.В. Ключников, В.П. Привалов; Под ред. С.Е. Ушаковой. - М.: Радио и связь, 2002. - 256с.
Тявловский М.Д., Хмыль А.А., Станишевский В.К. Технология деталей и периферийных устройств ЭВА: Учеб. пособие для ВУЗов. Мн.: Выш. школа, 2001. - 256с.
Технология конструкционных материалов: Учебник для машиностроительных специальностей ВУЗов / А.М. Дольский, И.А. Арутюнова, Т.М. Барсукова и др.; Под ред.А.М. Дольского. - М.: Машиностроение, 2005. - 448с.
Зайцев И.В. Технология электроаппаратостроения: Учеб. пособие для ВУЗов. - М.: Высш. Школа, 2002. - 215с.
Основы технологии важнейших отраслей промышленности: В 2 ч. Ч.1: Учеб. пособие для вузов / И.В. Ченцов.
Дифференциальное уравнение изгиба абсолютно жестких пластин судового корпуса. Перемещения пластины и значения изгибающих моментов. Цилиндрическая жесткость пластины. Влияние цепных напряжений на изгиб пластин. Определение напряжений изгиба пластины. курсовая работа [502,8 K], добавлен 28.11.2009
Технология изготовления офсетных печатных форм. Технология Computer-to-Plate. Формные пластины для данной технологии. Основные способы изготовления печатных форм. Сущность косвенного и комбинированного способов изготовления трафаретных печатных форм. курсовая работа [2,9 M], добавлен 24.01.2015
Конструкция полупроводникового лазера на твердом теле. Достоинства полупроводникового лазера. Применение твердотельных лазеров для резания швейных материалов и двухъярусных цепных горизонтально-замкнутых конвейеров для хранения готовых изделий на складах. контрольная работа [3,7 M], добавлен 17.11.2010
Понятие офсетной печати. Основные виды формных пластин для офсетной печати. Способы получения печатных форм. Формные материалы для изготовления печатных форм контактным копированием. Электростатические формные материалы. Пластины для "сухого" офсета. дипломная работа [3,0 M], добавлен 05.08.2010
Разработка технологического процесса изготовления крепежной панели, входящей в состав стенда по испытанию интегральных микросхем при пониженном атмосферном давлении. Оценка эффективности процесса изготовления детали по технологической себестоимости. курсовая работа [1,4 M], добавлен 07.01.2015
Эпитаксия - процесс наращивания слоев полупроводникового материала с упорядоченной кристаллической структурой на ориентированной пластине. Эпитаксию можно подразделить на три вида: авто-, гетеро- и хемоэпитаксию. Эпитаксиальные структуры со скрытым слоем. реферат [124,2 K], добавлен 03.01.2009
Дифференциальное уравнение нейтрального равновесия прямоугольной пластины судового корпуса, одинаково сжатой в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Расчёт эйлеровых значений сжимающих усилий прямоугольной свободно опёртой по контуру пластины. курсовая работа [497,8 K], добавлен 28.11.2009
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .

© 2000 — 2021



Полупроводниковые пластины и их параметры. Подготовка, разрезание полупроводникового слитка на пластины и обработка реферат. Производство и технологии.
Курсовая работа по теме Государственно-служебные отношения, возникающие в процессе прохождения государственной гражданской службы
Курсовая работа по теме Изучение безработицы и форм ее проявления на рынке труда
Реферат: Совершенствование процесса принятия управленческих решений 2
Реферат: Oliver Twist Summary Essay Research Paper Oliver
Контрольная работа: Женская преступность
Курсовая работа по теме Учет товаров в розничной, оптовой и комиссионной торговле
Курсовая работа по теме Оледенения и причины их возникновения
Контрольная работа: Гражданское право и гражданско-процессуальное законодательство
Учебное пособие: Методические указания по лабораторным работам Факультет: электроэнергетический
Сочинение: Наташа Ростова - пылкая мечтательница
Курсовая работа по теме Общая характеристика следственных действий
Реферат: Основные характеристики Интернета
Отчет по практике по теме Психология менеджмента
Налоговый Контроль Контрольная Работа
Реферат Ярославцы Участники Олимпийских Игр
Контрольная работа по теме Маркетинговые исследования: теория, методика, результаты
Консервация инструмента. Гарантийный срок хранения и эксплуатации
Контрольные Работы По Астрономии 10 Класс
Контрольная Работа 15 Итоговая Ответы
Реферат: Квалификационная характеристика экономиста. Скачать бесплатно и без регистрации
Понятие и виды средств массовой информации - Журналистика, издательское дело и СМИ контрольная работа
Государственная регистрация юридических лиц - Государство и право реферат
Разработка системы управления маркетингом фирмы - Маркетинг, реклама и торговля дипломная работа