Полупроводниковые пластины

Полупроводниковые пластины




🛑🛑🛑 ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻

































состоящие из диэлектрика и двух проводящих слоев из полупроводниковых материалов, называют полупроводниковыми диодами.
Если в полупроводниковом диоде (рис. 1.1) между двумя металлическими выводами 1 и 2 помещен диэлектрик 3, то он может быть выполнен из одного или нескольких материалов.
В полупроводниковом диода, выполненном из полупроводника p-типа, р-n переход расположен между двумя слоями полупроводника, в котором находятся электроны.
Рис. 1.1.
Полупроводниковый диод
из кремния размером 15 на 15 микрометров (микрон) и толщиной в десятую долю ангстрема (нанометр) были получены в лаборатории.
Они содержат миллион атомов кремния, что в 10 раз больше, чем у кремния в кремниевых интегральных схемах.
В то же время, они в 1000 раз тоньше.
Такие пластины имеют гораздо более высокую плотность упаковки - порядка 150 миллионов атомов на кубический миллиметр.
Это в 1000 раз больше плотности упаковки в кремнии.
выполненные из кремния, обладают малым размером элементов и имеют малый вес.
Они применяются в качестве элементов силовых полупроводниковых приборов.
Примером таких приборов являются диоды, транзисторы и стабилитроны.
По технологии изготовления они подразделяются на монолитные и пленочные.
Монолитные изготавливаются из монокристаллического кремния, а пленочные – из поликристаллического.

изготовленные на основе графена, могут использоваться для производства новых типов элементов памяти.
Графен обладает уникальными свойствами: он может быть использован для создания сверхбыстрых микропроцессоров, а также для изготовления новых видов элементов памяти, которые смогут хранить информацию на протяжении миллиардов лет.
По словам ученых, графен можно использовать для создания новых типов устройств хранения информации, которые могут храниться в течение сотен триллионов лет.
Полупроводниковая пластина — это пластина из полупроводникового материала, в котором одна сторона покрыта слоем диэлектрика, а другая — слоем проводящего материала.
Слой проводящего материала используется для размещения на нем электродов или полупроводниковых приборов — транзисторов, диодов, тиристоров.
Диэлектрический слой необходим для уменьшения электрического сопротивления между проводящим слоем и электродами.
из монокристаллов кремния
Полупроводниковые пластинки из монокристаллического кремния — это полупроводниковые полупроводники, полученные из монокристллического моноклинного кремния (кремния), которые содержат примеси, в основном, в виде кислорода. Полупроводники с примесью кислорода называются кремнием с примесями кислорода или "полупроводники кислорода" (англ. oxygen-doped silicon, ODS).
и их характеристики
Автор работы: Пользователь скрыл имя, 14 Июня 2012 в 18:42, курсовая работа
Описание
В настоящее время полупроводниковые приборы занимают ведущее место в современной электронике.
Они применяются во всех отраслях техники и промышленности, где необходимо преобразование энергии электрического тока в другие виды энергии, и наоборот.
для солнечных батарей
Полупроводниковая пластина для солнечной батареи является одним из ключевых компонентов в солнечных батареях.
В основном состоит из p-n-перехода, полупроводниковой подложки, проводящих слоев, изолирующих слоев и других функциональных слоев.
Основные функции полупроводниковых пластин для солнечных батарей:

являются одним из важнейших элементов современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Они используются в качестве базовых для транзисторов, диодов, стабилитронов, тиристоров и других полупроводниковых элементов.
В этой книге представлена информация о современных технологиях производства полупроводниковых пластин.
Изложены принципы построения и особенности работы современных лазеров, используемых при производстве полупроводниковых изделий.
из оксида алюминия и оксида кремния
В настоящее время в промышленности широко используются полупроводниковые материалы, в которых в качестве полупроводникового материала используются оксиды различных элементов.
Оксид алюминия (Al2O3) является полупроводником n-типа, а оксид кремния (SiO2) — полупроводником p-типа.
Из-за своей малой энергии связи электронов с атомами полупроводники n- и p-типов образуют двухэлектронные полупроводниковые системы.
Теория Управления Рефераты
Причинение Смерти По Неосторожности Реферат
Дипломные Работы Прокурорский Надзор

Report Page