Основные характеристики биполярного транзистора

Биполярный транзистор.

=== Скачать файл ===

Биполярный транзистор

Биполярные транзисторы

Для дальнейшего продвижения в изучении биполярника, нам надо разобрать его основные параметры, которые приводятся в справочниках на транзисторы. Не зная этих параметров, можно накосячить при конструировании своих радиоэлектронных безделушек. Следовательно, по материалу, из которых их производят, все биполярники делятся на кремниевые и германиевые. Почему же идет такая классификация? Как вы помните из предыдущих статей, для того, чтобы транзистор 'открылся' на германиевый транзистор надо подать 0,,3 Вольта, а на кремниевый 0,,7 Вольт. Кремниевый транзистор выдерживает температуру эксплуатации до градусов по Цельсию, тогда как германиевый только до 70 градусов. Обратный коллекторный ток у кремниевого транзистора намного меньше, чем у германиевого, что кстати, тоже немаловажный параметр. С этим, думаю, уже все понятно. Откуда вообще берутся эти обозначения индексов? Снизу синим маркером я пометил эти индексы: Оказывается, все до боли просто. Первая буква индекса - первый вывод транзистора , вторая буква - второй вывод транзистора , ну а третья буква обозначает оставшийся вывод и его условие , при котором производится этот замер. Самая распространенная третья буква - это 'О'. Но скорее всего это даже и не буква, а цифра 'ноль'. Она говорит о том, что на третьем выводе напряжение равняется нулю. Это достигается тем, что оставшийся третий вывод никуда не подключен и висит в воздухе. Например, I КБО говорит нам о том, что это ток сила тока , между коллектором и базой, при условии, что напряжение на эмиттере равняется нулю. То есть эмиттер отключен. Есть также более интересные условия, но они встречаются редко. Например, буква 'К' от слова 'короткий' в англ. Здесь последняя буква говорит нам об оставшемся выводе и условии, которое происходит между этим выводом и буковкой-выводом которая рядом. Также иногда встречается буква 'R', которая обозначает, как ни странно, сопротивление. Например U КЭR говорит о том, что это напряжение между коллектором и эмиттером при условии что база и эмиттер соединены сопротивлением. И рядышком в справочнике приводится номинал этого сопротивления. Также часто встречается вместо третьей буквы индекса обозначение 'нас' или на буржуйский манер 'sat'. Например, U КЭ нас V CEsat - это напряжение насыщения коллектор-эмиттер. И еще один нюанс Например, U КЭ напряжение между коллектором и эмиттером. Значит ток движется от коллектора к эмиттеру. Но если мы поменяем индексы вот так U ЭК у нас это будет уже обозначать, что электрический ток движется от эмиттера к коллектору. Справедливы также следующие выражения: Для NPN транзистора это будет выглядеть так: Для NPN транзистора этот параметр показан с плюсом. Вот, например, этот параметр для транзистора BC структуры NPN: Как вы видите, параметр V CBO показан с плюсом. Чтобы не мудрить с индексами, для PNP транзистора ставят просто тупо минус перед циферками в даташите, которое говорит нам о том, что напряжение подаем в обратной полярности. В некоторых даташитах знак 'минус' не указан, но все равно имейте ввиду, что это обратное напряжение на P-N переходе. Например как в этом даташите на транзистор S PNP структуры. Видите перед цифрой '30' знак минус? Знак 'минус' тогда бы исчез, но в то же время у нас индексы поменялись я их даже выделил жирным шрифтом. То есть тут мы видим, что это напряжение тоже обратное. Для NPN транзистора это выглядит вот так и напряжение в даташите указывается с плюсом: Для PNP этот параметр также идет с минусом, чтобы не переставлять индексы: Для PNP транзистора этот параметр также идет с минусом. Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеять на себе в окружающее пространство. Например, для транзистора S это значение равняется 1 Ватту. Чтобы его не превысить, нужно рассчитать какую мощность будет рассеивать ваш транзистор по формуле: P - это мощность, которая рассеивается на транзисторе. Рассеивание мощности транзистором означает, что на нем будет выделяться тепло, которое рассеивается в окружающее пространство. Поэтому, чтобы отвести это тепло от транзистора, применяют радиаторы: Особенно это касается мощных транзисторов, через которые текут большие токи и напряжения. Как я уже говорил, для кремниевых транзисторов критическая температура нагрева это градусов по Цельсию, для германиевых Так что следите за температурой, если не хотите получить в результате уголек с дымом. Иными словами если Р превысит P К макс , то вашему транзистору придет жопа. Превышение этого номинала приводит к пробою переходов, выгоранию тонких токоведущих проводов, которые соединяют ножку транзистора с кристаллом полупроводника. Так что отсюда вывод, что не каждый транзистор будет усиливать высокочастотные колебания. Поэтому в радиоприемной и радиопередающей аппаратуре используются транзисторы с высокой граничной частотой. Различных других параметров транзистора туева куча. Здесь же я привел те параметры, на которые следует обращать внимание при проектировании своих электронных безделушек. Некоторые параметры в одной книге обозначают так, в другой эдак, в третьей совсем по-другому. Не могу сказать, что мои названия и обозначение параметров образцовые, но все-таки старался обозначить как в большинстве учебной литературы, чтобы было понятно каждому начинающему электронщику. А для PNP как-то так: Главная ТОП Статьи КМБ Мысли вслух Схемы для начинающих Инструменты и приборы Микроконтроллеры AVR Ремонтируем сами Наши друзья Программки Форум О нас и о сайте Обратная связь. Главная страница Карта сайта RSS Печать. Копирование контента разрешается только с указанием активной ссылки на сайт.

Камера установлена в унитазе

3 значение воды для климата на планете

Должностная инструкция инженера инспектора

Прижигать эрозию отзывы

Что делать с заброшенными дачными участками

Клен шумит текст

Как правильно соблазнять парня

Сонник роликовые коньки

Открытка с днем рождения принцессе своими руками

Схема предохранителей на лада гранта лифтбек

Свадьба под ключ тюмень

Голубая глина лечение суставов