Кристалы в Кондрове

===============

_______________

Наши контакты (Telegram):

>>>НАПИСАТЬ ОПЕРАТОРУ В ТЕЛЕГРАМ (ЖМИ СЮДА)<<<

_______________

ВНИМАНИЕ !!! ВАЖНО !!!

В Телеграм переходить только по ССЫЛКАМ что выше, в поиске НАС НЕТ там только фейки !!!

Чтобы телеграм открылся он у вас должен быть установлен!

_______________

===============

Кристалы в Кондрове

Крафтинг кристаллов

Может использоваться для выращивания кристаллов химических элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния и монокристаллического германия. За время промышленного использования начиная с х годов были разработаны различные модификации метода Чохральского. Так, для выращивания профилированных кристаллов используется модификация метода Чохральского, называемая методом Степанова. Модификация наиболее известна применительно к выращиванию монокристаллов сапфира и кремния. Например: англ. Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским и первоначально использовался им для измерения степени кристаллизации металлов таких как олово , цинк , свинец. По некоторым непроверенным сведениям, Чохральский открыл свой знаменитый метод в году, когда случайно уронил свою ручку в тигель с расплавленным оловом. Вынимая ручку из тигля, он обнаружил, что вслед за металлическим её пером тянется тонкая нить твёрдого олова. Заменив перо ручки микроскопическим кусочком металла, Чохральский убедился, что образующаяся таким образом металлическая нить имеет монокристаллическую структуру. Teal и Литтл J. Little использовали метод Чохральского для выращивания монокристаллов германия высокой чистоты, положив тем самым начало использованию метода Чохральского для промышленного производства монокристаллических полупроводниковых кристаллов, который в то время использовался главным образом для производства транзисторов. Метод относят к тигельным , поскольку при выращивании используются контейнеры из материалов, устойчивых к расплаву и защитной атмосфере установки. При выращивании кристаллов из тигля происходит загрязнение расплава материалом тигля так для кремния, выращиваемого из кварцевого тигля, главными загрязняющими элементами являются содержащиеся в кварцевом стекле кислород , бор , фосфор , алюминий , железо. Метод характеризуется наличием большой открытой площади расплава, поэтому летучие компоненты и примеси активно испаряются с поверхности расплава. Концентрация кислорода и равномерность её распределения в готовом слитке являются важными параметрами, поэтому давление и скорость протока над расплавом аргоновой защитной атмосферы, в которой слитки кремния выращивают с х годов ХХ века, обычно подбирают экспериментально и регулируют в течение всего процесса. Для обеспечения более равномерного распределения температуры и примесей по объёму расплава затравочный кристалл и нарастающий на нём монокристалл и тигель с расплавом вращают, причём обычно в противоположных направлениях. Несмотря на это, вращения в заведомо неоднородном тепловом поле всегда приводят к появлению на поверхности слитка неглубокой винтовой нарезки. Более того, в случае неблагоприятных условий роста, помимо винтовой нарезки, на поверхности сам слиток может расти в форме штопора коленвала. Аналогичная картина и с распределением примесей: несмотря на вращения, вдоль фронта кристаллизации всегда остаётся неподвижная область расплава переменной толщины, в которой внедрение компонентов расплава в выращиваемый монокристалл например, примесей осуществляется медленно, исключительно за счёт диффузии. Это обусловливает неравномерность распределения компонентов расплава по диаметру слитка по сечению. Дополнительным фактором, оказывающим влияние на распределение примесей по сечению, являются устойчивые и не устойчивые турбулентные вихри в расплаве при выращивании слитков большого диаметра. Для реализации метода необходим большой объём расплава, который по мере роста слитка постепенно уменьшается, за счёт формирования тела кристалла. При росте кристалла на фронте кристаллизации постоянно происходит оттеснение части компонентов в расплав. Расплав постепенно обедняется компонентами, имеющими большее сродство к кристаллической структуре выращиваемого кристалла, и обогащается компонентами, имеющими меньшее сродство при росте кристалла. По мере роста концентрации компонента в расплаве его концентрация повышается и в кристалле, поэтому распределение компонентов по длине слитка неравномерно для кристаллов кремния характерно повышение концентраций углерода и легирующих примесей к концу слитка. Кроме того, при уменьшении объёма расплава уменьшается площадь контакта расплава с материалом тигля, что уменьшает поступление загрязнений из тигля в расплав в случае кремния кислород из тигля непрерывно поступает в расплав и затем испаряется с поверхности в виде монооксида кремния; в результате из-за уменьшения площади контакта расплава и тигля концентрация кислорода в слитке уменьшается от начала слитка к его концу. Выращивание кристалла идёт со свободной поверхности расплава, не ограничивается стенками контейнера тигля , поэтому кристаллы, полученные методом Чохральского, менее напряжены , чем кристаллы, полученные другими тигельными методами. Форма кристалла близка к цилиндрической, но при этом проявляются искажения, определяемые тепловыми условиями выращивания, скоростью вытягивания, кристаллической структурой и кристаллографической ориентацией выращиваемого слитка. Бездислокационные слитки кремния, выращиваемые в направлении \\\\\\\\\\\\[\\\\\\\\\\\\], при значительном переохлаждении стремятся приобрести выраженную квадратную огранку, причём снижение скорости вытягивания способствует проявлению огранки. Инициация процесса выращивания производится путём введения в расплав затравочного кристалла необходимой структуры и кристаллографической ориентации. При смачивании затравки расплавом из-за поверхностного натяжения в жидкости на поверхности затравочного кристалла сначала образуется тонкий слой неподвижного расплава. Атомы в этом слое выстраиваются в упорядоченную квазикристаллическую решётку, продолжающую кристаллическую решётку затравочного кристалла. Таким образом, выращиваемый слиток получает ту же кристаллическую структуру, что и исходный затравочный кристалл. Все режимные параметры каждого из этапов процесса являются, как правило, ноу-хау конкретного производителя. Кристаллы некоторых материалов, производимых с помощью метода Чохральского, не могут быть получены методом бестигельной зонной плавки , и наоборот. Некоторые материалы могут быть получены обоими способами. В случае кремния, слиток, полученный методом зонной плавки , по чистоте обычно существенно превосходит аналогичный, полученный методом Чохральского, но кристаллы, получаемые зонной плавкой, имеют меньшие диаметры, более высокую себестоимость в изготовлении, другое распределение и содержание легирующих и иных примесей, существенных для последующих технологических циклов. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Категории : Глубокая очистка веществ Технология полупроводников. Скрытые категории: Википедия:Неавторитетный источник с января Википедия:Статьи с утверждениями, основанными на неавторитетном источнике. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править код История. В других проектах Викисклад. Эта страница в последний раз была отредактирована 11 января в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Подробнее см. Условия использования.

Кристалы в Кондрове

Метод горизонтально направленной кристаллизации

Амфетамин купить Майкоп

Закладки метадон в Подольске

Марихуана в архангельске

Дятьково купить закладку Мефедрон (миф)

Купить гашиш закладкой Степногор

Закладки мефедрона Куала-Лумпур

Закладки гашиша Москва Покровское-Стрешнево

Купить ганджубас закладкой Турция

Кристалы в Кондрове

Крафтинг кристаллов

Метод горизонтально направленной кристаллизации

Report Page