Кристалы в Аргуне

__________________________

Проверенный магазин!

Гарантии и Отзывы!

Кристалы в Аргуне

__________________________

Наши контакты (Telegram):

НАПИСАТЬ НАШЕМУ ОПЕРАТОРУ ▼

>>>🔥✅(ЖМИ СЮДА)✅🔥<<<

__________________________

ВНИМАНИЕ!

⛔ В телеграм переходить по ссылке что выше! В поиске фейки!

__________________________

ВАЖНО!

⛔ Используйте ВПН, если ссылка не открывается или получите сообщение от оператора о блокировке страницы, то это лечится просто - используйте VPN.

__________________________

Google Kitaplar

Может использоваться для выращивания кристаллов химических элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния и монокристаллического германия. За время промышленного использования начиная с х годов были разработаны различные модификации метода Чохральского. Так, для выращивания профилированных кристаллов используется модификация метода Чохральского, называемая методом Степанова. Модификация наиболее известна применительно к выращиванию монокристаллов сапфира и кремния. В иностранной литературе для обозначения материалов, полученных методом Чохральского, а также для самого технологического процесса и оборудования, используемого для выращивания слитков этим методом, используется аббревиатура «CZ» от англ. CZochralski Zone — ср. Например: англ. Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским и первоначально использовался им для измерения степени кристаллизации металлов таких как олово , цинк , свинец. По некоторым непроверенным сведениям, Чохральский открыл свой знаменитый метод в году, когда случайно уронил свою ручку в тигель с расплавленным оловом. Вынимая ручку из тигля, он обнаружил, что вслед за металлическим её пером тянется тонкая нить твёрдого олова. Заменив перо ручки микроскопическим кусочком металла, Чохральский убедился, что образующаяся таким образом металлическая нить имеет монокристаллическую структуру. В экспериментах, проведённых Чохральским, были получены монокристаллы размером около одного миллиметра в диаметре и до см длиной. Teal и Литтл J. Little использовали метод Чохральского для выращивания монокристаллов германия высокой чистоты, положив тем самым начало использованию метода Чохральского для промышленного производства монокристаллических полупроводниковых кристаллов, который в то время использовался главным образом для производства транзисторов. Метод относят к тигельным , поскольку при выращивании используются контейнеры из материалов, устойчивых к расплаву и защитной атмосфере установки. При выращивании кристаллов из тигля происходит загрязнение расплава материалом тигля так для кремния, выращиваемого из кварцевого тигля, главными загрязняющими элементами являются содержащиеся в кварцевом стекле кислород , бор , фосфор , алюминий , железо. Метод характеризуется наличием большой открытой площади расплава, поэтому летучие компоненты и примеси активно испаряются с поверхности расплава. Так, к примеру, с поверхности расплава кремния, выращиваемого из кварцевого тигля, активно испаряется монооксид кремния — SiO, образующийся при растворении материала тигля. Концентрация кислорода и равномерность её распределения в готовом слитке являются важными параметрами, поэтому давление и скорость протока над расплавом аргоновой защитной атмосферы, в которой слитки кремния выращивают с х годов ХХ века, обычно подбирают экспериментально и регулируют в течение всего процесса. Для обеспечения более равномерного распределения температуры и примесей по объёму расплава затравочный кристалл и нарастающий на нём монокристалл и тигель с расплавом вращают, причём обычно в противоположных направлениях. Несмотря на это, вращения в заведомо неоднородном тепловом поле всегда приводят к появлению на поверхности слитка неглубокой винтовой нарезки. Более того, в случае неблагоприятных условий роста, помимо винтовой нарезки, на поверхности сам слиток может расти в форме штопора коленвала. Аналогичная картина и с распределением примесей: несмотря на вращения, вдоль фронта кристаллизации всегда остаётся неподвижная область расплава переменной толщины, в которой внедрение компонентов расплава в выращиваемый монокристалл например, примесей осуществляется медленно, исключительно за счёт диффузии. Это обусловливает неравномерность распределения компонентов расплава по диаметру слитка по сечению. Дополнительным фактором, оказывающим влияние на распределение примесей по сечению, являются устойчивые и не устойчивые турбулентные вихри в расплаве при выращивании слитков большого диаметра. Для реализации метода необходим большой объём расплава, который по мере роста слитка постепенно уменьшается за счёт формирования тела кристалла. При росте кристалла на фронте кристаллизации постоянно происходит оттеснение части компонентов в расплав. Расплав постепенно обедняется компонентами, имеющими большее сродство к кристаллической структуре выращиваемого кристалла, и обогащается компонентами, имеющими меньшее сродство при росте кристалла. По мере роста концентрации компонента в расплаве его концентрация повышается и в кристалле, поэтому распределение компонентов по длине слитка неравномерно для кристаллов кремния характерно повышение концентраций углерода и легирующих примесей к концу слитка. Кроме того, при уменьшении объёма расплава уменьшается площадь контакта расплава с материалом тигля, что уменьшает поступление загрязнений из тигля в расплав в случае кремния кислород из тигля непрерывно поступает в расплав и затем испаряется с поверхности в виде монооксида кремния; в результате из-за уменьшения площади контакта расплава и тигля концентрация кислорода в слитке уменьшается от начала слитка к его концу. Выращивание кристалла идёт со свободной поверхности расплава, не ограничивается стенками контейнера тигля , поэтому кристаллы, полученные методом Чохральского, менее напряжены , чем кристаллы, полученные другими тигельными методами. Форма кристалла близка к цилиндрической, но при этом проявляются искажения, определяемые тепловыми условиями выращивания, скоростью вытягивания, кристаллической структурой и кристаллографической ориентацией выращиваемого слитка. Бездислокационные слитки кремния, выращиваемые в направлении \\\\\\\\\\\\\\\[\\\\\\\\\\\\\\\], при значительном переохлаждении стремятся приобрести выраженную квадратную огранку, причём снижение скорости вытягивания способствует проявлению огранки. Инициация процесса выращивания производится путём введения в расплав затравочного кристалла необходимой структуры и кристаллографической ориентации. При смачивании затравки расплавом из-за поверхностного натяжения в жидкости на поверхности затравочного кристалла сначала образуется тонкий слой неподвижного расплава. Атомы в этом слое выстраиваются в упорядоченную квазикристаллическую решётку, продолжающую кристаллическую решётку затравочного кристалла. Таким образом, выращиваемый слиток получает ту же кристаллическую структуру, что и исходный затравочный кристалл. Все режимные параметры каждого из этапов процесса являются, как правило, ноу-хау конкретного производителя. Кристаллы некоторых материалов, производимых с помощью метода Чохральского, не могут быть получены методом бестигельной зонной плавки , и наоборот. Некоторые материалы могут быть получены обоими способами. В случае кремния, слиток, полученный методом зонной плавки , по чистоте обычно существенно превосходит аналогичный, полученный методом Чохральского, но кристаллы, получаемые зонной плавкой, имеют меньшие диаметры, более высокую себестоимость в изготовлении, другое распределение и содержание легирующих и иных примесей, существенных для последующих технологических циклов. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии , проверенной 11 января ; проверки требует 1 правка. Категории : Глубокая очистка веществ Технология полупроводников. Скрытые категории: Википедия:Неавторитетный источник с января Википедия:Статьи с утверждениями, основанными на неавторитетном источнике. Пространства имён Статья Обсуждение.

Кристалы в Аргуне

Невьянск купить закладку LSD

Hydra герыч Нукус

Кристалы в Аргуне

Спайс россыпь в Лабытнанги

Гашек, твердый, гарик без кидалова Великий Новгород