Книга: Физика полупроводников

🛑 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻

Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных явлений.
В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих дается количественный анализ, но при этом везде делается упор на физическую сущность явлений; необходимые для понимания этого материала сведения из теоретической физики (квантовой механики, статистики и термодинамики) приводятся в тексте попутно с основным материалом. Вторая глава посвящена описанию основных свойств кристаллов: симметрии, характера химической связи, дефектов, тепловых колебаний и теплоемкости. В третьей главе дается представление об электронной теории кристаллов (предпосылки введения адиабатического и одноэлектронного приближения, методы анализа и особенности зонной структуры полупроводников). Статистике электронов в полупроводниках посвящена четвертая глава, в которой также приведены некоторые положения термодинамики.
В пятой, шестой и седьмой главах излагаются основы теории явлений переноса (анализ кинетического уравнения, электро- и теплопроводности полупроводников, термоэлектрических, гальвано- и термомагнитных явлений). Восьмая глава посвящена теориям выпрямления на контакте металл — полупроводник и р-п
переходе, и девятая — оптическим явлениям (поглощению света, фотопроводимости, фотовольтаическим эффектам и стимулированному излучению).
Книга рассчитана на широкий круг читателей — инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических вузов.
Глава первая. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 6
1. 1. Некоторые сведения о строении атома 6
1. 2. Энергия и движение электрона в твердом теле 10
1. 3. Электропроводность полупроводников 36
1. 4. Теплопроводность полупроводников 43
1. 6. Термоэлектрические явления 75
1. 7. Гальваномагнитные и термомагнитные явления 83
Глава вторая. СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ 113
2. 1. Некоторые вопросы квантовой теории 113
2. 2. Геометрия кристаллической решетки 147
2. 4. Тепловые колебания кристаллов 174
Глава третья. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ 190 КРИСТАЛЛОВ
3. 1. Адиабатическое приближение 190
3. 2. Одноэлектронное приближение 194
3. 3. Приближение почти свободных электронов 198
3. 4. Приближение сильно связанных электронов 207
3. 5. Основные особенности структуры энергетических зон 209 полупроводников
Глава четвертая. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 217
4. 1. Некоторые понятия статистики и термодинамики 217
4. 3. Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках 226
4. 4. Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение 235
Глава пятая. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА 244
5. 1. Элементарный расчет электропроводности и подвижности 245
5. 2. Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени 260 релаксации)
5. 3. Феноменологический анализ явлений переноса 270
5. 4. Вычисление времени релаксации 271
5. 5. Явления в сильных электрических полях 278
Глава шестая. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И 292 ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ
6. 1. Термоэлектродвижущая сила 294
6. 2. Вывод коэффициента термо- э.д.с. из кинетического уравнения 296
6. 3. Увлечение электронов фононами 299
6. 4. Зависимость термо- э.д.с. от температуры и концентрации носителей 304
6. 5. Электронная теплопроводность 311
6. 6. Теплопроводность кристаллической решетки
Глава седьмая. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
7. 2. Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле
7. 4. Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях
8. 1. Особенности контактных явлений
8. 2. Контакт полупроводника и металла
8. 3. Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный 368 слой на границе металла с полупроводником)
8. 5. Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) 375
Глава девятая. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 400
Адиабатическое приближение 190—194, 196
Альфа-подход (в теории термоэлектричества) 302
Ангармоничность (колебаний) 48, 54, 55, 186, 319 Антизапорный слой 64, 65 Атомные кристаллы 170
Базисный вектор (решетки) 152, 155, 157, 160, 198, 210 Бозе — Эйнштейна распределение 322, 324, 328
Бриллюэна зоны 204, 205, 211, 213, 216
Валентная зона 13, 14, 16, 18, 36, 109, 203, 434, 435
Вероятность нахождения частицы 122, 134 — перехода 130, 131, 138, 141
«Вертикальные» переходы — см. Переходы
Видемана и Франца закон 45, 256, 311, 315, 316
Волна электрона 121, 122, 128, 158, 249
Волновая функция 122, 123, 130, 190, 192, 196—200, 274, 275, 285
Волновой вектор 47, 53, 117, 122, 159-161, 176, 179, 181, 202, 320, 322
Вольтамперная характеристика контакта двух металлов 61
— — — полупроводника и металла в диодной теории 66—68, 373—376
— — — — — — в диффузионной теории 66, 68, 69, 368—373, 376—378
Время жизни 72, 106, 392, 409, 416, 420
Время релаксации 41, 218—220, 256, 258—261, 267—278, 355, 404, 415
— —, энергетическая зависимость 256, 260, 261, 271, 343, 357
— — —, дисперсионные зависимости 325—326
Время свободного пробега 37, 100, 247, 249, 257, 259—261, 279, 429
Выпрямление на контакте двух металлов 60, 61
— — — полупроводника и металла 66—70
Вырождение (см. также «масса эффективная», «невырожденное», «электронный газ», «дырочный газ», «состояния», «полупроводники»31, 78,235,282, 339,413
Гальвано-магнитные явления 83, 85—98, 99, 244, 331, 334, 341, 351
— — поперечные, продольные 92, 99, 351
Гамильтона оператор (гамильтониан) 131—134, 139, 142, 190, 207
Генерация носителей 101, 104, 378, 379, 418 Групповая скорость 117, 179, 180
— — распространения тепловых колебаний 49
Дебаевский радиус экранирования 288, 363
Дебая температура 41, 51, 52, 54, 55, 89, 96, 97, 187, 255, 276, 277, 283, 327
Дефекты решетки 34, 36, 37, 39, 48, 163—174, 319, 324
Диффузии коэффициент 69, 72, 364, 422
Диффузионная длина 72, 365, 381—383, 392, 394, 423 Диффузионная теория — см. выпрямление
— носителей 68, 72, 74, 78, 363, 397, 421, 422
Диффузия электронно-дырочных пар 45
Длина свободного пробега 37, 39, 40, 42, 44, 48, 49, 54, 66, 68, 81, 94, 96, 97, 247, 249, 257, 261, 275— 276, 279, 317, 324, 337, 343, 368, 373, 374
Емкость р-п
перехода 280, 301, 364, 366, 376, 389—392
Запорный слой 63, 64, 66, 72, 290, 363, 368—378, 423
Заселенность инверсная 433, 434, 436, 437, 440
Зеркального изображения силы 371, 372
Зона (энергетическая) 11—15, 56, 100, 209—216
— запрещенная 16, 18, 20, 32, 46, 108, 166, 202, 235, 286, 289, 306, 399, 416, 434, 435, 440
Импульс фонона 53, 54, 118, 254, 258
— электрона (см. также квазиимпульс) 27, 121, 190 254, 259, 405—406 Импульса закон сохранения 54, 104, 108, 110, 111, 251, 253, 405, 435
Инжекция 74, 75, 362, 380—385, 394—395, 440 Интеграл перекрытия 207, 208
— ударная 285, 289—291,362, 365, 384, 392
— электростатическая 285, 362, 375, 384
Кикоина — Носкова фотомагнитный эффект 422—423
Кинетическое уравнение (Больцмана) 260—270, 340, 341
Ковалентные кристаллы 89, 144, 147, 176, 196, 197 Когерентного излучения генераторы 142
Колебания атомов решетки, акустические 89, 181—183, 188, 317, 318
— — — оптические 41, 89, 112, 181—183, 189, 255, 276, 283, 314, 316, 317
— — — поперечные, продольные 176, 317, 318
— — — тепловые 14, 15, 29, 36, 37, 39, 40, 146, 148, 166, 174—184, 237, 238, 274—278, 409
Контактная разность потенциалов 58, 59, 63, 78, 367, 368, 381, 395
Концентрация носителей тока 19, 22, 24, 30, 35, 44, 68, 77, 88, 100, 226, 229—234, 241, 278, 304—306, 418
— — — неравновесная 102— 103, 380, 382, 384
— электронов в металлах и полуметаллах 19, 30, 31, 43, 242
Кристаллическая решетка 36, 147-163, 171, 208, 211,281
Ловушки (см. также прилипание) 416—417, 420
Лоренца сила 84, 85, 264, 331, 333, 423
Магнитная сила 84, 85, 86, 90, 91, 95, 97, 332, 334, 335 Магнитное поле сильное 94, 95, 338, 339, 341, 351—355
— — —, классический и квантовый критерии 340, 351
— — слабое 93, 94, 95, 337, 338, 341, 347 Маджи — Риги — Ледюка эффект 100
Максвелла — Больцмана распределение 35, 227, 239, 328, 347
— закон распределения для скоростей 15
Масса эффективная 24, 27, 35, 42, 120, 212, 213, 214, 277, 331, 392, 427 Мелкие уровни 120
Металлы 13, 16, 18, 58—62, 78, 176, 237, 242, 298
Невырожденное состояние электронного газа 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 277
Неопределенностей соотношения Гейзенберга 124, 162 Неопределенности принцип 123—128, 175, 249 Непрерывности уравнение 378—379, 389
Нернста — Этингсгаузена эффекты 98—100, 356—358, 423
Обратная решетка 158, 203, 205, 210
— —, вектор 161, 200, 203, 321, 322
Обратное пространство 159, 161, 162, 198, 210
— —, основная (или приведенная) область 160, 161
Одноэлектронное приближение 194—198, 209 Паули принцип 13, 56, 126, 175, 196, 199
Пельтье явление 63, 75, 76, 79, 292, 293, 300, 303
Переноса явления 244—292, 413 — —, феноменологический анализ 270—271 Переход p-i-n
393—396
— электронно-дырочный 70, 71, 280, 362, 363, 366, 378—399, 423, 437, 440
— — на границе полупроводник — металл 65, 66
Переходы (носителей) — см. также «рекомбинация»
— межзонные (прямые) 107, 108, 404—407, 435
— при столкновениях горизонтальные, вертикальные 313—314
Пи-подход (в теории термоэлектричества) 294, 302
Плотность состояний (электронных) 28, 32, 33, 42, 227— 229, 308, 339, 382, 417, 418
Поглощение (излучения, света) 107, 400—409
— свободными носителями 106, 112, 402—404, 435
— собственное (фундаментальное) 107, 109, 409
— экситонное 111, 407—410 Подвижность ионов 173, 174
Подвижность носителей тока 19, 36, 245, 256, 257, 260, 403, 410
— — —, температурная зависимость 19, 256, 261
— — —, экспериментальное определение 88, 97, 356
— —, зависимость от электрического поля 279—284
— вырожденные (см. также вырождение) 35, 89, 227, 357, 407
— невырожденные 40, 41, 92, 237, 418
Потенциал ионизации (ионизационный) 11, 55, 56, 145—147, 166
— решетки периодический— 195—198, 200—206, 210, 214, 412
— химический (см. также уровень Ферми) 222, 223
— —, уровень 33, 35, 57, 58, 71, 78, 80, 166, 227, 241, 294, 309, 381, 396, 431
Поток тепла 46, 98, 245, 318, 321, 326, 355
Преломления показатель (коэффициент) 112, 400, 401
Приближение почти свободных электронов 198—206
— сильно связанных электронов 206—209
Процессы нормальные («N» при фонон-фононных взаимодействиях) 321, 323, 326
— переброса (umclapp) 321— 324, 326
Работа выхода 55—58, 62, 64, 70, 78, 373
— — неравновесное 322, 323, 325, 329
— электронов по волновым векторам 266
— — — — —, неравновесная добавка 269—270, 296
— — — скоростям 262, 263, 344 — — — —, изменение под
действием градиента температуры 313, 314
— — — —, — — — электрического поля 262, 263, 312, 313, 344
— — — —, неравновесное 263—265, 312, 313, 345
— — на дефектах решетки 39, 245, 247, 314
— —на тепловых колебаниях решетки 40, 54, 81, 89, 261. 263, 274—278, 281, 282, 316
— — примесное 40, 81, 89, 97, 248, 251, 258, 261, 263, 271—274, 277, 281, 282, 394 Рекомбинация 18, 45, 72, 74, 101, 104, 363,378,392,397, 413—421, 426
Риги — Ледюка эффект 98, 355—356 Симметрия кристалла 198
— трансляционная 111, 157, 158, 192, 193, 198, 209—211 Скорость дрейфа электронов 37, 38, 69
— теплового движения электронов 37, 39, 40, 78 — — — — средняя 43, 68, 254, 279
Скрещенные электрическое и магнитное поля 334, 335
— — — на контакте металл — полупроводник 64
— межэлектронные, неупругие, упругие, почти упругие 251, 252, 254—258, 268, 269,283, 284, 314—316
Столкновения фононов с дефектами, с фононами 54, 219, 320
— электронов сфононами 54, 251, 253, 254, 258
Тепловое возбуждение электрона 15, 20
Теплоемкость решетки 43, 49, 50, 52, 184—189, 317 — фотонная 329
Теплопроводность 244, 256, 270, 271
— решеточная 14, 43, 46— 49, 219, 317—329, 351
— электронная 43—44, 46, 257,264,311—316, 351, 356
— —, отношение к электропроводности 44, 45
Термомагнитные коэффициенты 257, 270
Термомагнитные явления 83, 85, 98—100, 244, 331, 334, 355—357 Термоэлектрические явления 75, 76, 78, 82, 100,244, 264 292—311,315, 351,422— 423
Туннельный диод 165, 280, 286, 364, 396—399
— эффект 11, 59, 62, 66, 193, 285, 363, 368, 373, 392, 396
Увлечение электронов фононами 299—304
Уровень (энергетический) см. энергетический
Уровень Ферми (см. также потенциал химический) 33, 34, 59, 71, 80, 81, 105, 433
— — в невырожденном полупроводнике 82, 229—232, 234
— — в невырожденном полупроводнике, температурная зависимость 35, 36,232, 233
— —, температурная зависимость 35, 36 Фазовая скорость 177, 179, 180, 253
— распределение 32—34, 224—226, 328, 417, 431
Фонона энергия 53, 104, 118, 253—255
Фононы 49, 54, 104, 118, 186, 187, 255, 299—303, 317, 318, 324, 405—407 —, групповая скорость 317
Фотопроводимость 100—103, 108, 409—421
Фоточувствительность 107, 109, 110, 409, 410
Фундаментальное поглощение, см. поглощение Химическая связь 143—147
Холла постоянная 87—91, 347, 349—352
Холловское поле 87, 90, 91, 346, 351, 354
Центр рекомбинации примесный 101, 105, 110
Шокли — Рида статистика рекомбинации 416—421 Шредингера уравнение 128—134, 190, 274
— — для нестационарных процессов 131—138
— — для электронов в адиабатическом приближении 192
— — — — в одноэлектронном приближении 195
Электрическое поле сильное 278-291, 362
Электронный газ, вырожденное состояние 30—32, 34, 237—239, 256, 262, 406, 407, 435
— —, невырожденное состояние 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 238, 239, 256, 262, 299 — — невырожденный, статистика (для полупроводников) 226—231 — —, плотность 36
Электронный газ, сохранение теплового равновесия с кристаллом 257
Электрон-фононное взаимодействие 255
Электрохимический потенциал 79, 224, 293 Элементарная ячейка — см. ячейка
Энергетический спектр электронов в кристалле 10—13, 20, 209, 236, 244, 249
Энергия активации 11, 19, 27, 31, 172, 339, 341, 407
— — примесных электронов 22, 35, 120, 166, 233, 287, 368, 373
— тепловых колебаний атомов кинетическая средняя 49, 52
— электронов в направленном потоке средняя 40, 80, 81, 293
— — тепловая (кинетическая) средняя 40, 242—243
Эттингсгаузена эффект 91, 92, 349—351
Ячейка (решетки кристаллической) элементарная 111, 152—155, 157, 160, 183

Название: Физика полупроводников
Раздел: Рефераты по физике
Тип: книга
Добавлен 01:24:04 26 декабря 2010 Похожие работы
Просмотров: 68
Комментариев: 8
Оценило: 1 человек
Средний балл: 5
Оценка: неизвестно   Скачать

Срочная помощь учащимся в написании различных работ. Бесплатные корректировки! Круглосуточная поддержка! Узнай стоимость твоей работы на сайте 64362.ru
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Да, но только в случае крайней необходимости.

Книга: Физика полупроводников
Реферат: Robert Frost Anaylsis Essay Research Paper Five
Доклад: Гомилетика
Дневник Производственной Практики Детская Поликлиника
Курсовая работа по теме Трудовая мотивация работников
Как Написать Сочинение 9.1
Дипломная работа: Функции менеджмента 2
Семейная Медицина Реферат
Сочинение: Неология
Обж 6 Класс Итоговая Контрольная Работа
Реферат На Тему Информационно-Справочные Документы
Курсовая работа по теме Анализ производственно-хозяйственной деятельности автотранспортного предприятия
Реферат по теме Банаховы пространства. Метрические и нормированные пространства
Алексеев Игорь Борисович Диссертация
Курсовая работа по теме Факторы, влияющие на формирование системы политического участия
Как Писать Введение И Заключение В Реферате
Любовь Сочинение Огэ Аргумент Из Жизни
Готовое Сочинение 9.3 Огэ 2022
Организация Проведения Аттестационных Работ
Практическое задание по теме Результаты анкетирования преподавателей ВУЗа и оценка необходимости проведения исследования системы управления Московского государственного университета печати имени Ивана Федорова
Реферат: Эсхатологические ожидания в Киевской Руси в конце XI - начале XII в.
Контрольная работа: Правовое регулирование налоговых отношений
Контрольная работа: Политическая система общества 14
Реферат: Вальтер Беньямин