Классификация интегральных микросхем, области применения - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника реферат

Главная

Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Классификация интегральных микросхем, области применения

Полупроводниковые, пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Микросхема как современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры. Серии микросхем для телевизионной аппаратуры, для усилительных трактов аппаратуры радиосвязи и радиовещания.


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

1. Устройство интегральных микросхем
1.1 Полупроводниковые интегральные микросхемы
1.2 Пленочные интегральные микросхемы
1.3 Гибридные интегральные микросхемы
1.4 Микросхемы повышенного уровня интеграции
2. Интегральная микросхема - современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры
2.1 Функциональная классификация интегральных микросхем
Микроэлектроника - это одно из направлений электроники, которое призвано создать миниатюрную высоконадёжную аппаратуру с малой потребляемой мощностью, низкой стоимостью и прочим.
Интегральной микросхемой, или сокращённо ИМС, называют монолитное изделие, предназначенное для исполнения функций заданного каскада или целой системы, компоненты которого соединены между собой определённым образом, и которые нельзя отделить один от другого демонтажными операциями.
Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС, чипом) - ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).
1. Устройство интегральных микросхем
Создание и непрерывное совершенствование технологии интегральных микросхем связано с быстрым развитием информационной и вычислительной техники и значительным в связи с этим усложнением электрических и электронных схем приборов и устройств. Применение ИМС как самостоятельных функциональных узлов кардинальным образом решает проблемы уменьшения габаритов, снижения потребляемой энергии, повышения надежности и быстродействия приборов и устройств и в особенности электронных вычислительных машин.
Важными характеристиками интегральных микросхем в числе прочих являются степень интеграции и ппотность упаковки. Степень интеграции характеризует количество элементов в микросхеме. ИМС первой степени интеграции имеют до 10 элементов, второй - до 102 элементов и т. д. Под плотностью упаковки понимают количество элементов и компонентов в 1 см3 объема микросхемы. В современных полупроводниковых ИМС степень интеграции достигает шести, а плотность упаковки принципиально может быть доведена до 105 эл/см3 и выше, линейные размеры отдельных элементов могут быть менее 1 мкм. Площадь полупроводникового кристалла обычной микросхемы составляет в зависимости от сложности 0,3 - 6 мм2 Площадь кристалла микросхем, применяе-/л
Мых в ЭВМ, может достигать 40 мм~ и выше. Дальнейшее увеличение площади кристалла нецелесообразно в связи с возрастающей вероятностью наличия в кристаллической решетке дефектов, делающих непригодной всю микро-схему.
Различают аналоговые микросхемы, которые непрерывно отслеживают и воздействуют на сигнал, и цифровые микросхемы, которые дискретно преобразуют и обрабатывают информацию. Микросхемы классифицируют по степени интеграции, которая равна логарифму от числа деталей n, размещённых в одной ИМС: k = ln n. По методу получения различают три вида ИМС: плёночные, полупроводниковые и гибридные.
В плёночных ИМС детали и соединения осуществляют путём получения плёнок малой толщины с различными свойствами, выполненных на подложке из не проводящего электрический ток материала. Плёночные микросхемы разделяют на две группы: на тонкоплёночные с толщиной плёнки менее 1 мкм и толстоплёночные с большей толщиной, часто составляющей порядка 20 мкм. Различие тонкоплёночных и толстоплёночных ИМС заключено не только в количественной толщине плёнок, но прежде всего в технологии их нанесения.
В полупроводниковых ИМС детали и соединения образованы специальными технологическими методами в кристалле полупроводника. Совмещённой называют такую полупроводниковую ИМС, в которой одна часть деталей выполнена методом тонкоплёночной, а другая часть - методом полупроводниковой технологии.
В гибридных ИМС, сокращённо называемых ГИС, резисторы и некоторые другие пассивные компоненты получают на диэлектрической подложке методом тонкоплёночной технологии, а дискретные бескорпусные активные компоненты располагают рядом на подложке и соединяют проволокой с контактными площадками.
1.1 Полупроводниковые интегральные микросхемы
Наибольшее распространение получили ИС, у которых все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Их называют полупроводниковыми.
Для изготовления полупроводниковых микросхем используют кремниевые монокристаллические пластины диаметром не менее 30 - 60 мм и толщиной 0,25 - 0,4 мм. Элементы микросхемы - биполярные и полевые транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы - формируют в полупроводниковой пластине методами, известными из технологии дискретных полупроводниковых приборов (селективная диффузия, эпитаксия и др.). Межсоединения выполняют напылением узких проводящих дорожек алюминия на окисленную (т.е. электрически изолированную) поверхность кремния, имеющую окна в пленке окисла в тех местах, где должен осуществляться контакт дорожек с кремнием (в области эмиттера, базы, коллектора транзистора и т.д.). Для соединения элементов микросхемы с ее выводами на проводящих дорожках создаются расширенные участки - контактные площадки. Методом напыления иногда изготавливают также резисторы и конденсаторы.
Рис. 2 - Интегральный биполярный транзистор, изолированный электронно-дырочным переходом
Рис. 3 - Интегральный много-эмиттерный транзистор
Изготовление полупроводниковых микросхем осуществляют групповым методом, при котором на одной пластине 1 (рис. 3) одновременно создают большое число (до 300 - 500) одинаковых функциональных структур (наборов элементов и межсоединений). Одновременной обработке подвергается до 20 пластин. После выполнения всех операций по формированию элементов и межсоединений пластину разрезают на отдельные платы 2, называемые кристаллами. Каждый кристалл содержит одну функциональную структуру. Его закрепляют на основании корпуса 3, контактные площадки соединяют с выводами микросхемы с помощью тонких проводничков, затем на основание надевают крышку корпуса 4 и корпус герметизируют, чем обеспечивается защита кристалла от воздействий окружающей среды.
Рассмотрим теперь особенности устройства элементов полупроводниковых микросхем, которые обусловлены необходимостью изоляции элементов от тела кристалла, обладающего заметной электрической проводимостью. Изоляцию элементов осуществляют либо с помощью дополнительного электронно-дырочного перехода, находящегося под обратным напряжением, либо с помощью тонкого слоя диэлектрика, например двуокиси кремния. Первый способ более прост и дешев и поэтому наиболее распространен, но он не позволяет получить ток утечки на тело кристалла менее 10 нА и емкость элемента по отношению к телу кристалла менее 2пФ. Второй способ более сложен и дорог, но снижает ток утечки в тысячи раз, а емкость - в десятки раз.
Биполярные транзисторы. Структура транзистора, изолированного электронно-дырочным переходом, показана на рис. 1.4. Электрод коллектора К расположен в интегральных транзисторах на верхней поверхности кристалла, там же находятся электроды эмиттера Э и базы Б. Чтобы в этих условиях обеспечить низкоомный путь для коллекторного тока к электроду коллектора K, под n-областью коллектора создают скрытый слой n+, обладающий повышенной проводимостью. Изолирующий переход образуется вдоль линии, разделяющей «-область коллектора и «+-область его скрытого слоя от р+-областей и р-области тела кристалла.
Рис. 4 - Интегральные полупроводниковые диоды (схема соединения)
Рис. 5 - Интегральный МДП-транзистор
Транзисторы полупроводниковых микросхем могут иметь несколько отдельных эмиттеров при одной базе и одном коллекторе. Такие транзисторы называются многоэмиттерными. Их устройство показано на рис. 5, а способы использования рассмотрены в гл. 4. Если в полупроводниковой микросхеме применяют диэлектрическую изоляцию элементов, то транзисторы имеют такую же двухпереходную структуру, как и их дискретные аналоги.
Значения параметров интегрального биполярного транзистора определяются, как обычно, концентрационным профилем структуры, площадью переходов, электрофизическими параметрами материала. Максимальный коллекторный ток может достигать 50 мА, коэффициент передачи тока базы от 20 до 50, обратные токи переходов менее 10 нА, максимальное коллекторное напряжение до 40 В, предельная рабочая частота до 1000 МГц. Освоены способы изготовления транзисторных структур имеющих коэффициент передачи тока базы до нескольких тысяч.
Полупроводниковые диоды. Для упрощения технологического цикла диоды изготавливают на основе транзисторных структур. Для быстродействующих диодов используют эмиттерный переход при соединенном с базой коллекторе (рис. 6, а). Для диодов, которые должны иметь большое пробивное напряжение, используют коллекторный переход, а эмиттер соединяют с базой (рис. 6, б). Во втором случае скорость переключения получается в десятки раз ниже из-за большего значения неравновесного заряда, накапливающегося не только в области базы, но и в области коллектора, а также из-за большей емкости перехода.
МДП-транзисторы. Эти приборы не нужно специально изолировать от тела кристалла, так как у них область «сток - канал - исток» уже изолирована от тела кристалла электронно-дырочным переходом, образующимся вдоль линии, разделяющей р-область тела кристалла от л+-области истока, л-области канала и л+-области стока, и этот переход имеет обратное смещение в рабочем режиме (рис. 5). Площадь, занимаемая на подложке МДП-структурой оказывается при этом в сотни раз меньше, чем у биполярных структур, что позволяет получить значительно большую плотность размещения элементов на подложке.
Интегральные МДП-транзисторы имеют следующие значения параметров: ток стока до 10 мА, напряжение стока до 30 В, входное сопротивление - десятки МОм, предельная частота - сотни МГц. Таким образом, интегральные МДП-транзисторы являются сравнительно низкочастотными элементами, что обусловлено большими межэлектродными емкостями.
Конденсаторы. В полупроводниковых микросхемах применяют в основном р-n-конденсаторы, в качестве которых используют коллекторный переход 1 транзисторной структуры (рис. 6). Эмиттерную область в данном случае не формируют. Изолирующий р-n-переход 2 отделяет р-n-конденсатор от тела кристалла. Выводами конденсатора являются алюминиевые электроды 3, 4. Конденсаторы, один вывод которых должен быть соединен с телом кристалла, могут выполняться на основе изолирующего перехода.
Емкость р-n-конденсатора определяется площадью перехода и обычно не превышает 100 пФ. Добротность низкая - не более 10, отклонение от номинала большое - до 30%, температурный коэффициент емкости до 10~3 град-1.
Малый диапазон емкостей, низкая добротность, высокий температурный коэффициент и зависимость емкости от приложенного напряжения не позволяют в ряде случаев использовать р-n-конденсаторы. Тогда применяют пленочные конденсаторы типа «металл - диэлектрик - металл». Их выполняют последовательным напылением трех тонких слоев (проводящего, изолирующего и проводящего) на изолирующую пленку двуокиси кремния, находящуюся на поверхности полупроводниковой пластины. Емкость таких конденсаторов достигает 500 пФ при отклонении от номинала не более 5-10%, добротность - до 100, температурный коэффициент до 10~4 град-1, рабочее напряжение - до 60 В.
Применяют также конденсаторы типа МДП, у которых нижнюю обкладку образует эмиттерный слой транзисторной структуры, диэлектриком является пленка двуокиси кремния, а верхняя обкладка - металлическая. Вследствие большого сопротивления потерь нижней (полупроводниковой) обкладки такие конденсаторы несколько уступают конденсаторам с металлическими обкладками, но проще их в изготовлении. По сравнению с парамерами р-n-конденсаторов параметры МДП-конденсаторов значительно выше.
Резисторы. Для формирования в полупроводниковой пластине области, обладающей требуемым электрическим сопротивлением, обычно используют базовый слой транзисторной структуры (рис. 9) и, иногда, эмиттерный или коллекторный слои. Такие резисторы называются диффузионными. Алюминиевые межсоединения 1 имеют контакт с резистивным элементом 2 через окна в изолирующей пленке двуокиси кремния. Электронно-дырочный переход 3 изолирует резистивный элемент от тела кристалла.
Поскольку такие параметры диффузионных слоев, как толщина, концентрация и распределение примеси, задаются требованиями к транзисторным структурам, необходимое сопротивление резистивного элемента может быть получено лишь путем выбора слоя и его ширины и длины. Эмиттерный слой, имеющий более высокую концентрацию примесей, используют для получения резисторов с малым сопротивлением (от 2 до 30 Ом), а базовый слой - с большим сопротивлением (от 100 Ом до 20 кОм). Отклонение от номинала достигает 20%, предельная частота - до 100 МГц, максимальное рабочее напряжение 5 и 20 В соответственно и температурный коэффициент 1-10-4 град-1 и 1-10-3 град-1, соответственно.
В полупроводниковых микросхемах обычно применяют диффузионные резисторы, но если требуемый номинал сопротивления не может быть с их помощью реализован, то в качестве резистивного элемента используют дорожки из пленки высокоомного металла напыленные, как и межсоединения, на изолирующую пленку двуокиси кремния, покрывающую поверхность кристалла.
Рис. 8 - Кристалл полупроводниковой микросхемы
В качестве резисторов в полупроводниковых микросхемах используют также канал МДП-транзистора. Сопротивление при этом может регулироваться изменением напряжения, подаваемого на затвор (минимальное сопротивление около 10 Ом).
Размещение элементов, межсоединений и контактных площадок на поверхности и внутри кристалла полупроводниковой микросхемы иллюстрирует рис. 10. На рис. 10.а показана принципиальная схема функционального узла, выполненного в виде данной микросхемы. Это логический элемент ИЛИ-НЕ, состоящий из двух транзисторов Т1 и Т2 и трех резисторов R1, R2 и R3. На рис. 10.б показан кристалл полупроводниковой микросхемы, представляющий собой данный функциональный узел (вид сверху). Обозначения те же что и на принципиальной схеме. Области, занятые транзисторными структурами, отмечены буквами Т1 и Т2, выводы их эмиттеров - Э, коллекторов - K, баз - Б, пленочные резисторы R1, R2, R3 (отмечены точками). Межсоединения и контактные площадки 1, 2, 3, 4, 5 отмечены штриховкой. Область, занимаемая элементами на кристалле имеет размеры 1x1 мм. На рис l.l0.e показан разрез кристалла по А-А. Видны эмиттерная n+-область транзистора Т1 и вывод его эмиттера Э, базовая р-область и ее вывод Б, коллекторная n-область и ее вывод K, а также изолирующий слой двуокиси кремния на поверхности подложки (заштрихован) и пленочные резисторы R1 и R3 (отмечены точками).
Рассмотренная полупроводниковая микросхема имеет пять элементов: два транзистора и три резистора. В выпускаемых промышленностью микросхемах число элементов на кристалле значительно больше, иногда оно исчисляется десятками и даже сотнями тысяч.
1.2 Пленочные интегральные микросхемы
Второй разновидностью микросхем являются пленочные микросхемы, подразделяемые на тонкопленочные и толстопленочные. Более совершенны и шире распространены тонкопленочные микросхемы. Их выполняют на диэлектрической подложке (из стекла, ситалла, керамики), элементами их являются резисторы и конденсаторы. Иногда используют индуктивные элементы.
Резисторы изготавливают напылением на подложку 3 (рис. 9) через трафарет тонкой пленки высокоомного материала (нихром, тантал, сплав МЛТ) нужной конфигурации. Концы полученного ре-зистивного элемента 1 соединяют с пленочными контактными площадками 2, выполняемыми из металла, обладающего высокой электропроводностью (алюминий, медь, золото).
Электрическое сопротивление такого резистора может быть от 10 Ом до 1 МОм в зависимости от толщины, ширины и длины ре-зистивной полоски, а также удельного сопротивления материала. Отклонение от номинала 5 - 10 %; применяя подгонку, можно получить отклонение менее 0,1 %. Температурный коэффициент сопротивления (50-500)-10-6 град-1. Допустимая удельная мощность рассеяния составляет 1 - 3 Вт/см2. Благодаря малой собственной индуктивности тонкопленочные резисторы имеют частотный диапазон до 1000 МГц.
Рис. 9 - Интегральный пленочный резистор
Рис. 10 - Интегральный пленочный конденсатор
Конденсаторы выполняют на диэлектрической подложке 1 (рис. 12) последовательным напылением трех слоев: металл - диэлектрик - металл. Металлические слои 3, образующие обкладки конденсатора, изготовляют обычно из алюминия. В качестве диэлектрика 2 используют окись кремния, окись алюминия, боросиликатное стекло и др. Емкость такого конденсатора в зависимости от площади обкладок, толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрика составляет от 100 до 5000 пФ при рабочем напряжении до 60 В. Температурный коэффициент емкости (35 - 400)10~в град-1, частотный диапазон до 300 - 500 МГц.
Индуктивные элементы могут быть выполнены в виде однослойных многовитковых спиралей, однако индуктивность их не превышает 20 мкГн при добротности не более 50.
На базе пленочной технологии до сих пор не удалось создать достаточно надежные транзисторы или другие активные элементы, поэтому пленочные микросхемы имеют ограниченное самостоятельное применение и большей частью составляют основу гибридных микросхем.
1.3 Гибридные интегральные микросхемы
Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической подложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контактные площадки выполняют по пленочной технологии, т.е напылением. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 - 18 идентичных групп элементов и межсоединений, затем подложку разрезают на части - платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функционального узла.
Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдельно, в целях экономии объема в бескорпусном оформлении иногда в виде сборки. Их параметры имеют примерно те же численные значения, что и у дискретных аналогов. Бескорпусные транзисторы защищают от воздействий внешней среды специальным влагостойким покрытием.
Монтаж транзистора 1 (рис. 13) на плате осуществляют термокомпрессионной сваркой шариковых 3 или балочных 5 выводов с контактными площадками 2 либо с помощью проволочных выводов.
Общий вид платы гибридной микросхемы показан на рис 14 а, На диэлектрическую подложку наносят через трафарет резистивные полоски Ri, R2, Rз из высокоомного материала, затем через другой трафарет распылением металла, имеющего высокую электропроводность, наносят нижнюю обкладку О, конденсатора С, межсоединения и контактные площадки 1 - 5. Далее через третий трафарет наносят пленку диэлектрика конденсатора Д и, наконец, через четвертый трафарет наносят последний слой - верхнюю обкладку конденсатора 02. Транзистор Т приклеивают к подложке и проволочными выводами подсоединяют к соответствующим контактным площадкам.
На рис. 11,6 показана принципиальная схема рассмотренного устройства. Оно функционально незавершено, поскольку может быть использовано (в усилителе с общим эмиттером, в эмиттерном повторителе и т.п.) лишь при подключении к нему ряда внешних элементов. Такая функциональная незавершенность обычно возникает из-за трудностей выполнения некоторых элементов (например, катушек) в виде, пригодном для монтажа внутри микросхемы. Иногда микросхему специально оставляют функционально незавершенной, чтобы расширить сферу ее использования.
Рассмотренная микросхема имеет один транзистор, один конденсатор и три резистора.
Выпускаемые промышленностью гибридные микросхемы во многих случаях значительно сложнее, число их элементов может достигать нескольких сотен.
Рис. 11 - Монтаж бескорпусного транзистора в гибридной микросхеме
Рис. 12 - Плата гибридной микросхемы
Гибридные микросхемы могут выполняться и на основе толстопленочной технологии, более дешевой, но, как уже указывалось, менее совершенной. Подложка для толстопленочной микросхемы имеет размеры 16X10X1 или 10X10X1 мм и выполняется из высокоглиноземистой керамики, имеющей хорошую адгезию к наносимым материалам. Элементами толстопленочной микросхемы являются резисторы и конденсаторы, их выполняют так же, как и межсоединения, путем нанесения на поверхность подложки через сетчатый трафарет специальных проводящих, резистивных и диэлектрических паст, подвергаемых после нанесения термической обработке. Получаемые таким образом резисторы могут иметь сопротивление от 5 Ом до 70 кОм с разбросом (после подгонки) до 1 %, при удельной мощности рассеяния до 0,5 Вт/см2. Конденсаторы имеют емкость рт 60 до 350 пФ, добротность до 50, пробивное напряжение до 150 В. Температурный коэффициент у резисторов ±5-10~4 град-1, конденсаторов 4-10~4 град-1. Бескорпусные транзисторы и диоды монтируют в толстопленочных гибридных микросхемах обычным способом.
1.4 Микросхем ы повышенного уровня интеграции
По числу содержащихся в корпусе микросхем элементов различают шесть степеней интеграции: первая степень - от 1 до 101; вторая - от 10 до 102; третья - от 102 до 103; четвертая - от 103 до 104; пятая - от 104 до 105; шестая - от 105 до 106 элементов.
Интегральные микросхемы, содержащие более 100 элементов, принято называть микросхемами повышенного уровня интеграции, используется также термин «большие интегральные схемы» (БИС) он соответствует четвертой-пятой степеням интеграции
Микросхемы повышенного уровня интеграции имеют по сравнению с микросхемами малого уровня интеграции значительно лучшие габаритные характеристики, меньшую стоимость в расчете на один функциональный элемент, а также ряд других преимуществ благодаря которым удается существенно улучшить основные технико-экономические характеристики аппаратуры.
Во-первых, значительно уменьшается число соединений в аппаратуре из-за большей функциональной сложности самих микросхем. Усредненные расчеты показывают, что микросхема, например с пятью логическими элементами нуждается в пяти внешних выводах на один элемент для обеспечения необходимых функциональных связей в устройстве. При увеличении количества логических элементов в микросхеме до 50 число внешних выводов уменьшается до двух на элемент. Известно, что в микроэлектронной аппаратуре контактные соединения являются одной из основных причин ее отказов. Поэтому их уменьшение при использовании микросхем повышенной степени интеграции позволяет повысить надежность аппаратуры на один-два порядка по сравнению с аппаратурой на микросхемах малой степени интеграции.
Во-вторых, сокращается общая длина соединений между элементами, снижаются паразитные емкости нагрузок и, следовательно повышается быстродействие аппаратуры. При применении элементов со средней задержкой переключения 2 не реализовать их быстродействие можно только в том случае, если общая длина межсоединении не будет превышать 4 см, тогда задержка в межсоединениях будет примерно на порядок меньше, чем в элементе Отсюда следует, что создание устройств со сверхвысоким быстродействием принципиально возможно только на базе микросхем повышенного уровня интеграции, в которых длину соединений можно довести до 1 см, снизив тем самым задержку распространения сигнала между элементами до 0,05 - 0,1 не.
Вместе с отмеченными достоинствами микросхемы повышенного уровня интеграции имеют целый ряд особенностей, которые осложняют их разработку, изготовление и применение. Например возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует принятия специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 20 Вт/см2 - применения принудительного охлаждения. Важной задачей при этом становится разработка функциональных структур, применение функциональных элементов и режимов, которые давали бы возможность снизить затраты энергии, приходящейся на одну выполняемую функцию
Повышение степени интеграции в большинстве случаев приводит к увеличению сложности функций, выполняемых микросхемой, С одной стороны, это положительный фактор, так как при использовании более сложных микросхем упрощается проектирование и изготовление аппаратуры. В то же время стоимость ремонта может существенно возрасти. Меньшая универсальность микросхемы повышенной степени интеграции ограничивает необходимый объем их выпуска, а следовательно, увеличивает их стоимость. (Последнее не относится к программно-управляемым микросхемам, для которых повышение степени интеграции не уменьшает универсальности.)
При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами за счет близкого расположения межсоединений и самих элементов, что приводит к понижению помехоустойчивости микросхем. Появляются значительные трудности при изготовлении малых по размерам корпусов с большим количеством выводов, что существенно сдерживает увеличение степени интеграции.
Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем является прогрессивным направлением их развития, направлением, которое помогает существенно улучшить как функциональные, так и эксплуатационные показатели РЭЛ.
Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз и по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. Соединения наносят либо по тонкопленочной, либо по толстопленочной технологии. Гибридная технология получила широкое распространение для изготовления микросхем повышенной степени интеграции благодаря сравнительно низкой стоимости проектирования и изготовления микросхем малой степени интеграции, хорошо отработанному технологическому процессу и высокому проценту выхода годных изделий.
Другое направление в разработке и производстве микросхем повышенной степени интеграции использует полупроводниковую технологию. Все элементы изготавливают в объеме полупроводниковой пластины и затем соединяют в требуемую схему с помощью тонких проводящих пленочных полосок, нанесенных на поверхность окисленной пластины. Межсоединения выполняют обычно по методу избирательного монтажа, при котором предварительно осуществляют на каждой пластине проверку годности элементов, после чего с помощью ЭВМ составляют схему межсоединений и затем только осуществляют межсоединения.
Полупроводниковые микросхемы повышенной степени интеграции изготавливают главным образом на основе МДП-транзисторов. Это объясняется их преимуществами перед микросхемами на биполярных транзисторах: втрое меньшим числом технологических операций и на порядок большей плотностью размещения элементов на подложке.
Однако по быстродействию они уступают микросхемам на биполярных транзисторах. Поэтому основную область их применения составляет аппаратура сравнительно невысокого быстродействия.
2 . Интегральная микросхема - современный функциональный узел радиоэлектронной аппаратуры
Полевые и биполярные транзисторы, полупроводниковые диоды и резисторы, конденсаторы и прочие электронные приборы и радиодетали часто называют элементами радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), или электрорадиоэлементами, так как они составляют основу функциональных структур, реализующих обусловленные назначением аппаратуры алгоритмы формирования, преобразования хранения, обработки и воспроизведения сигналов.
Предприятия электронной промышленности выпускают типовые электрорадиоэлементы в широком ассортименте в качестве комплектующих изделий. Изготовление же аппаратуры заключается фактически в сборке ее из готовых электрорадиоэлементов с применением межсоединений и конструктивных элементов, обеспечивающих необходимое пространственное расположение частей аппаратуры, соединение их в единую функциональную структуру, защиту от воздействий окружающей среды и поддержание теплового режима. Отдельные группы электрорадиоэлементов, совместно выполняющие единую функцию, могут из технологических или эксплуатационных соображений объединяться при этом в конструктивно завершенные сборочные единицы, называемые функциональными узлами (рис. 15). Узлы в свою очередь могут объединяться в субблоки, субблоки - в блоки и т.д.
В последние 20 лет получила широкое распространение иная технология изготовления функциональных узлов, при которой процессы изготовления входящих в узел электрорадиоэлементов и процессы объединения их в функциональную конструктивно завершенную структуру совмещаются. Эта технология получила название интегральной (от латинского integre - целый, неразрывно связанный). Функциональные узлы РЭА, изготовляемые методом интегральной технологии, были названы интегральными микросхемами (ИС) (рис. 16). Приставка «микро» подчеркивает характерную особенность интегральной технологии - высокий уровень миниатюризации, достигаемый в ее изделиях.
Проблема миниатюризации традиционна для радиоэлектроники, но значение ее непрерывно растет по мере расширения областей применения РЭА, усложнения радиооборудования и повышения ответственности выполняемых им функций. Для функциональных узлов аппаратуры удобным показателем уровня миниатюризации является плотность упаковки, характеризуемая отношением числа элементов, содержащихся в узле, к объему, занимаемому узлом.
Опыт показал, что при сборке маломощных функциональных узлов из готовых электрорадиоэлементов не удается поднять плотность упаковки выше 2 эл/см3 даже при использовании самых миниатюрных полупроводниковых приборов и пассивных элементов. Интегральная же технология позволяет получить в тысячи раз большую плотность упаковки при невысокой стоимости и большой надежности. Эта замечательная черта интегральной технологии, открывшая широкие возможности миниатюризации радиоэлектронных изделий, и явилась причиной широкого и быстрого внедрения ИС в РЭА, где они в настоящее время стали основным типом функционального узла.
Переход от традиционных методов сборки функциональных узлов аппаратуры из готовых типовых электрорадиоэлементов к принципиально новой технологии, совмещающей процессы изготовления элементов и процессы объединения их в конструктивно за
Классификация интегральных микросхем, области применения реферат. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Сочинение: Трагедия Базарова
Отчет по практике по теме Анализ деятельности унитарного муниципального предприятия 'Нижнеудинский хлебозавод'
Разработка Продуктовой Стратегии Предприятия Курсовая
Вступительная Контрольная Работа По Математике 8 Класс
Реферат: Педагогика Яна Амоса Коменского
Реферат по теме Электроснабжение аэропортов
Курсовая работа по теме Расчет двух ректификационных установок непрерывного действия для разделения смеси этилацетат – толуол
Как Составлять Эссе Пример
Новые Направления Сочинений 2022 2022
Короткое Сочинение Про Аметхана Султана Летчика
Острый Панкреонекроз Реферат
Отчет По Практике В Строительной Компании
Сочинение: Русский символизм как литературное течение
Реферат по теме Фактори конкурентоспроможності американських готелів
Курсовая работа по теме Лизинговые операции коммерческих банков на территории Республики Беларусь
Реферат На Тему Степени И Грифы Секретности
Одиночество Лермонтов Сочинение
Тема Предпринимательство Эссе
Схема Сочинения Егэ 2022
Сочинение Что Такое Дружба Крапивин
Правовой статус безработного. Пособие по безработице - Государство и право курсовая работа
Антенна РЛС – параболоид вращения - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника курсовая работа
Защита конфиденциальной информации - Государство и право курсовая работа