Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках - Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника контрольная работа

Главная

Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках

Определение напряжения открывания (переключения) транзисторов. Статические характеристики схемы при вариации напряжения питания. Длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки в сети для различных приборов.


посмотреть текст работы


скачать работу можно здесь


полная информация о работе


весь список подобных работ


Нужна помощь с учёбой? Наши эксперты готовы помочь!
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с
политикой обработки персональных данных

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
«Изучение характеристик логических элементов КМОП»
1) Получим ПХ и определим по ним значения входного напряжения, при которых открываются транзисторы Т1, Т2 и защитные диоды.
Определим напряжения открывания (переключения) транзисторов: , то (по графику 2.497 В)
Определим напряжение открывания защитных диодов: т. к. , то входное напряжение открытия диодов D1,2,3,4 (напряжение открытия диодов равно 0.6 В) равно
2) Получить статические характеристики схемы при вариации напряжения питания
При уменьшении напряжения питания происходит уменьшение напряжения открытия транзисторов в соответствии с формулой Еп/2.
3) Получить переходные характеристики
Определим длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки:
- при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий
- при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий
4) Получить переходные характеристики при вариации напряжения питания
Время задержки при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий () с уменьшением напряжения питания уменьшается, а время при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий () при уменьшении напряжения питания растет.
1) Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа
При подаче на х 1 напряжения меньшего 2.5 В (логический ноль), в то время как на два других входа подано напряжение 0 В, что соответствует уровню логического нуля, транзисторы Т1, Т3 и Т5 закрыты, а Т6, Т4 и Т2 открыты, на выходе фиксируется сигнал высокого уровня соответствующий логической единице. При подаче же на х 1 напряжения высокого уровня соответствующего логической единице транзисторы Т3, Т2 и Т6 открыты, а Т1, Т5 и Т4 закрыты. На выходе схемы напряжение низкого уровня, что соответствует логическому нулю.
Заменим постоянные источники напряжения Х2,1,0 на импульсные источники, тем самым задав входные уровни (0В - лог. нуль, 5В - лог. единица). Тогда получим след. График анализа. По нему составим таблицу истинности:
Таким образом, таблица истинности соответствует стандартному ЛЭ ИЛИ-НЕ, т.е. если на одном из входов есть хотя бы одна логическая единица, то на выходе Y находится логический нуль, значит можно утверждать, что единица это активное значение логической переменной, при этом один из транзисторов Т2, Т4, Т6 заперт, а один из транзисторов Т1, Т3, Т5 открыт. Если на всех входах лог. нули, то транзисторы Т1, Т3, Т5 заперты, а Т2, Т4, Т6 - открыты.
1) Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа
Когда напряжение на входе х 0 соответствует уровню логического нуля, а напряжения на двух других входах при этом соответствуют уровню логической единицы, можно отметить. Транзисторы Т1, Т4 и Т6 закрыты, а Т2, Т3 и Т5 открыты, причем сигнал с транзисторов Т3 и Т5 идет на корпус, а с Т2 на выход, и уровень этого выходного сигнала соответствует логической единице.
Когда напряжение на входе х 0 соответствует уровню логической единицы, а напряжения на двух других входах при этом тоже соответствуют уровню логической единицы, можно отметить. Транзисторы Т2, Т4 и Т6 закрыты, а Т1, Т3 и Т5 открыты, причем сигнал с транзисторов Т1, Т3 и Т5 идет на корпус, а на выход поступает сигнал очень малого уровня, соответствующего логическому нулю.
Заменим постоянные источники напряжения Х2,1,0 на импульсные источники, тем самым задав входные уровни (0В - лог. ноль, 5В - лог. единица). Тогда получим след. график анализа. По нему составим таблицу истинности:
Таким образом, таблица истинности соответствует стандартному ЛЭ И-НЕ, т.е. если на одном из входов есть хотя бы один логический нуль, то на выходе Y находится логическая единица, значит можно утверждать, что нуль это активное значение логической переменной. Если на всех входах лог. единицы, то транзисторы Т1, Т3, Т5 открыты, а Т2, Т4, Т6 - заперты - на выходе лог. нуль.
Формирователь коротких импульсов (КМОП)
1) Получить статические передаточные характеристики
Согласно передаточной характеристики при любом изменении сигнала Х напряжение на выходе Y равно 5В (лог. единица), а на выходе Y1 0 В (логический нуль).
Пусть на Х=0, тогда на А4=1, А5=0, А6=1, А2=1, А3=0 Y=1, Y1=0
Пусть на Х=1, тогда на А4=0, А5=1, А6=0, А2=1, А3=0 Y=1, Y1=0
Таким образом на нижнем входе А2 всегда подается сигнал .
2) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1
По временной диаграмме видно, что значения напряжения на нижнем входе А2 всегда инверсно напряжению в точке Х, однакоY1 не всегда равно 0, что казалось бы не соответствует полученным ранее выводам. Но это не так, поскольку ЛЭ А4, А5 и А6 содержат в себе инерционные элементы, такие как транзистор, сигналы идущие на вход ЛЭ А2 придут на него с разной задержкой, таким образом возможен подбор ЛЭ, так что бы на выходе Y1 мы получили импульсы с необходимым периодом и длительностью.
Найдем длительность импульсов Y1: . Время задержки относительно входного сигнала , время задержки сигнала Y меньше чем, время задержки сигнала Y1, что сказывается наличием дополнительного элемента И-НЕ, вносящего дополнительную задержку.
Формирователь коротких импульсов (интегрирующая RC - ц епь)
1) Получить статические передаточные характеристики
Согласно передаточной характеристики при любом изменении сигнала Х напряжение на выходе Y равно 5В (лог. единица), а на выходе Y1 0 В (логический нуль).
Пусть Х=0, тогда А4=1, А2=1, А3=0 Y=1, Y1=0
Пусть Х=1, тогда А4=0, А2=1, А3=0 Y=1, Y1=0
2) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1
Поскольку в схеме 5 присутствует RC цепь интегрирующего типа с постоянной времени , то увеличивается длительность импульсов. Следовательно появляется возможность регулировать длительностью импульсов изменяя постоянную времени ?.
3) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1 при различных значениях резистора R1
При изменении величины резистора R1 происходит изменение постоянной времени цепи. При увеличении величины сопротивления согласно формуле постоянная времени растет, следовательно, увеличивается время импульса.
Изучение особенностей функционирования ключевого элемента и его основных параметров в режимах "включено" и "выключено". Динамика процессов переключения ключа с учетом переходных процессов (задержек переключения), имеющих место в МДП транзисторе. лабораторная работа [880,7 K], добавлен 26.11.2011
Возможности программы схемотехнического моделирования и проектирования MC8DEMO из семейства Micro-Cap. Характеристики ключевых схем на биполярных транзисторах и базовых схем логических элементов ТТЛ с использованием возможностей программы MC8DEMO. лабораторная работа [265,0 K], добавлен 24.12.2010
Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий. реферат [1,5 M], добавлен 12.06.2009
Изучение работы усилителей постоянного тока на транзисторах и интегральных микросхемах. Определение коэффициента усиления по напряжению. Амплитудная характеристика усилителя. Зависимость выходного напряжения от напряжения питания сети для усилителя тока. лабораторная работа [3,3 M], добавлен 31.08.2013
Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец. реферат [447,3 K], добавлен 22.02.2009
Характеристики ключевых схем на дополняющих МОП-транзисторах (КМОП), базовых схем логических элементов на основе программы MC8DEMO. Содержание процессов в формирователях коротких импульсов на базе ЛЭ КМОП и проявления гонок (состязаний) в цифровых схемах. лабораторная работа [2,6 M], добавлен 24.12.2010
Рассмотрение принципиальной схемы ARC-цепи. Расчет нулей и полюсов коэффициента передачи по напряжению, построение графиков его амплитудно-частотной и фазово-частотной характеристик. Определение частотных и переходных характеристик выходного напряжения. курсовая работа [310,2 K], добавлен 18.12.2011
Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Рекомендуем скачать работу .

© 2000 — 2021



Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках контрольная работа. Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.
Курсовая Работа По Экономике Таможенного Дела
Сочинение От Лица Фараона 5 Класс
Оценка Инвестиционной Привлекательности Предприятия Курсовая Работа
Реферат: Прибыль, понятие и виды
Реферат На Тему Формы Представления Моделей
Реферат На Тему Этические Аспекты Деятельности Таможенника
Коммуникативное Поведение Реферат
Слив Тем Декабрьского Сочинения 2022
Курсовая Работа Административная Школа Менеджмента
Контрольная Работа По Математике 13
Реферат по теме Автостоп как способ путешествия
Дипломная работа по теме Анализ деятельности предприятия по управлению конкурентоспособностью на примере компании ООО 'Три Окна'
Курсовая работа по теме Бизнес-план фирмы "Миллениум"
Реферат: Виды финансовых рисков и управление ими. Скачать бесплатно и без регистрации
Методика Расследования Мошенничества Курсовая
Сочинение Про Осень Страдательного Времени Настоящего Времени
Контрольная Работа К2 По Алгебре 8 Класс
Дипломная работа по теме Организация системы риск-менеджмента на предприятии
Реферат: Профилактика (предупреждение) юридического конфликта в правовой сфере. Скачать бесплатно и без регистрации
Реферат: Физические и химические основы наследственности. Скачать бесплатно и без регистрации
Правовое регулирования рынка земли в Республике Беларусь - Государство и право контрольная работа
История государственного управления в России: опыт и проблемы - Государство и право дипломная работа
Битва за Ленинград - История и исторические личности реферат