Исследование биполярного транзистора

🛑🛑🛑 ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻

его устройство и принцип действия.
Основные параметры и характеристики, их нормирование.
Методика расчета параметров транзистора в режиме усиления.
Расчет схемы включения с общим эмиттером, ее описание и анализ
Исследование работы биполярных транзисторов в инверсном и прямом режимах.
Характеристика основных параметров полевых транзисторов.
Изучение принципа работы усилителей.
Описание схемы устройства и его назначение.
Расчёт основных параметров схемы.
курсовая работа, добавлен 23.02.2016
проводилось на двух экспериментальных стендах.
Первый стенд представлял собой экспериментальный макет, выполненный на основе макетной платы.
Для проведения экспериментов в макетную плату были установлены выводы, соответствующие выводам корпуса прибора, и подключены к ним выводы от схем.
На стендовом стенде проводились работы по исследованию работы биполярных транзисторов с изолированным затвором.
Второй стенд выполнен в виде лабораторной установки.
В состав стенда входит:
- макетная плата;
с изолированным затвором
Автор работы: Пользователь скрыл имя, 12 Декабря 2011 в 16:42, курсовая работа
Описание работы
Цель работы – исследование биполярных транзисторов с изолированными затворами.
Для достижения этой цели необходимо решить следующие задачи: - изучить физические процессы, происходящие в транзисторе; - определить основные характеристики биполярного бистабильного транзистора; - исследовать параметры биполярного транзисторного ключа с изолированной...
Содержание работы
его структурная схема, принцип работы и принцип действия, а также устройство и назначение элементов схемы.
Описание функционирования биполярного и полевого транзисторов, их характеристики и особенности применения.
Рубрика
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид
курсовая работа
Язык
русский
Дата добавления
28.08.2012
Размер файла
283,6 K
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях.
с изолированным затвором показало, что при превышении тока через затвор более 50 мА в нем возникает дугообразный переход, который может привести к выходу транзистора из строя.
При этом ток через базу падает до нуля, а напряжение между эмиттером и коллектором достигает напряжения пробоя, которое равно примерно 2 В. При этом транзистор остается без изменения, если в него подать отрицательное напряжение смещения, равное примерно 0,3 В.
Приведенная в табл. 1 зависимость коэффициента усиления от частоты для разных типов транзисторов дает возможность определить частоту среза по кривой fc (рис. 1.15).
Рис. 1.15.
Зависимость коэффициента усиления биполярных транзисторов от частоты
Таблица 1
Коэффициенты усиления и частоты среза для биполярных транзис- торов
Тип бипо-лярного транзи-стора fc, Гц
k
f1
k1
Коэффициент усиления по напряжению
0,25
0,75
0,10
Коэффициент передачи тока
0,15
0,50
0,05
Частота среза
2
5
2,5
содержащего стабилитрон.
Характеристика параметров транзистора в режиме насыщения.
Расчет сопротивлений резисторов и напряжений на транзисторе.
Выбор конструкции транзистора и материала его электродов
Исследование работы биполярных и полевых транзисторов.
Изучение их структуры, параметров, принципа работы, конструкции и условий эксплуатации.
Особенности транзистора как устройства.
Устройство и работа биполярного и полевого транзистора.
контрольная работа, добавлен 15.10.2010
с изолированным затвором.
Изучение принципа работы биполярных транзисторов с изолированным и общим затвором, их основные параметры и характеристики.
Определение основных параметров транзистора в режиме насыщения и отсечки
Характеристика основных типов силовых транзисторов, их устройство и принцип работы.
Анализ структуры и параметров полевых транзисторов типа МДП-транзистор.
Исследование характеристик и свойств биполярных и полевых транзисторов при питании от источника тока.
в режиме отсечки / Е. В. Белов, В. А. Белоусов, Д. В. Ватолин // Успехи современной радиоэлектроники.
– 2012. – No 11.
– С. 47–58.
Исследование работы биполярных транзисторов в режиме ограничения тока / В. М. Бухтияров, П. Ю. Корчагин // Известия вузов.
Радиоэлектроника.
– 2011. – Т. 52, No 4. – С. 54–59.
Анализ работы импульсных биполярных и полевых транзисторов / А. П. Грищенко, И. Е. Григорьев // Электроника: наука, технология, бизнес.
– 2013. – No 2. – С. 26–29.
На рис. 3 показана схема измерения коэффициента передачи тока биполярного транзисторного ключа с использованием двухканального моста Уитстона.
Рис. 3. Схема измерения коэффициента усиления биполярных транзисторных ключей: а — схема измерения; б — эквивалентная схема биполярного ключа; 1 — источник напряжения смещения; 2 — резистор смещения; 3 — ключ; 4 — резистор нагрузки; 5 — источник тока; 6 — сопротивление нагрузки
Учет медицинского имущества
Математика 3 Класс Аттестационная Работа
Дипломные Работы По Педагогике Бесплатно