Характеристики cmos памяти
Характеристики cmos памятиСкачать файл - Характеристики cmos памяти
Память — функциональная часть ЭВМ, предназначенная для хранения и выдачи информации. СМОS — Complement metal Oxide Semiconductor — комплементарные пары металл — оксид — полупроводник, отечественная аббревиатура КМОП. Видеопамять — электронная память, размещенная на видеокарте графическом адаптере. Используется в качестве буфера для хранения кадров динамического изображения. Оперативная память — наибольшая часть памяти, предназначена для хранения переменной текущей, быстро изменяющейся информации и допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором вычислений. Процессор выбирает — режим считывания команд или данных из ОЗУ, и режим записи в ОЗУ. Хранится информация до выключения питания. Данные, адреса и команды, которыми процессор обменивается с памятью, называют операндами. Основная составная часть ОЗУ — массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя. Элемент памяти может хранить один бит информации запоминать два состояния 0 или 1. Каждый элемент памяти имеет свой адрес порядковый номер. Для обращения к элементам памяти его необходимо выбрать с помощью кода адреса. В одноразрядных микросхемах — код адреса чаще говорят адрес выбирает один элемент памяти из множества элементов, расположенных в матрице накопителя. После его выбора можно считать или записать один бит информации. Специальный управляющий сигнал указывает микросхеме, что она должна делать: В одноразрядных микросхемах памяти имеются один вход для записи информации и один выход для считывания. Разрядность кода адреса m в одноразрядных микросхемах памяти, определяет информационную емкость, т. Емкость рассчитывается по формуле 2 m. Многоразрядные микросхемы имеют так называемую словарную структуру. У этих микросхем имеется несколько информационных входов и столько же выходов. Поэтому они допускают одновременно запись или считывание многоразрядного кода, которое принять называть словом. Один адрес позволяет считывать сразу информацию из нескольких элементов памяти. Группа элементов памяти, одновременно считываемая при подаче информации на адресные входы микросхемы, называется ячейкой памяти. С физической точки зрения оперативная память RAM — Random Access Memory - память с произвольным доступом — это массив кристаллических ячеек, способных хранить данные. Существуют много различных типов оперативной памяти, но с точки зрения физического принципа действия различают динамическую память DRAM — Dynamic RAM и статическую память SRAM — Static RAM. Быстродействие памяти характеризуется двумя параметрами: Длительность цикла — определяется минимально допустимым временем между двумя последовательными обращениями к памяти. Ячейки динамической памяти DRAM можно представить в виде полупроводниковых конденсаторов, способных накапливать заряд на своих обкладках. Это наиболее распространенный и экономически доступный тип памяти. Для построения динамического элемента памяти требуется всего 1- 2 транзистора. Недостатки этого типа связаны, во — первых, с тем, что как при заряде, так и при разряде конденсаторов неизбежны переходные процессы, то есть запись данных происходит сравнительно медленно; во — вторых конденсаторы разряжаются, что делает невозможным хранить долго записанную информацию. Для борьбы с этим явлением приходится периодически подзаряжать конденсаторы. Этот процесс называется регенерацией заряда подзарядка ячеек оперативной памяти, осуществляемая несколько десятков раз в секунду, что вызывает непроизводительный расход ресурсов вычислительной системы. Постоянная времени разряда происходит одну миллисекунду и, значит, регенерация заряда происходит примерно тысяча раз в секунду. Необходимость частой подзарядки приводит к снижению быстродействия динамической памяти. Однако благодаря малым размерам конденсатора и малому числу дополнительных элементов, удельная плотность хранения информации динамической памяти выше, чем у статической памяти. Емкость микросхем динамической памяти составляет десятки Мбитов на один корпус. Возможность размещения на одном кристалле большого числа ЭП вызывает конструкторскую проблему - необходимо использовать большое число адресных входов. Для снижения остроты этой проблемы используется мультиплексирование — технический прием временного уплотнения информации, по одним и тем же электрическим цепям передается разная информация для различных приемников потребителей информации. Ячейки статической памяти SRAM можно представить как электронные элементы триггеры, состоящие из нескольких транзисторов транзисторов. Конструктивно микросхема памяти выполняется в виде прямоугольной матрицы, причем ЭП располагаются на пересечении строк и столбцов. При обращении к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который разбивается на две части. Одна часть адреса используется для выбора строк матрицы накопителя, а вторая — для выбора столбцов. Микросхемы динамической памяти используются в качестве основной оперативной памяти компьютера. Микросхемы статической памяти используются в качестве вспомогательной памяти так называемой кэш - памяти , предназначенной для оптимизации работы процессора. Каждая ячейка памяти имеет свой адрес, выражаемый числом. В настоящее время принята так называемая 32 — разрядная адресация, а это означает, что всего независимых адресов может быть 2 Одна адресуемая ячейка содержит восемь двоичных ячеек, в которых можно сохранить 8 бит, то есть один байт данных. Оперативная память в компьютере располагается на стандартных панелях, называемых модулями. Модули оперативной памяти вставляются в соответствующие разъемы на материнской плате. Конструктивно имеют два исполнения — однорядные SIMM — модули и двухрядные DIMM — модули. На Pentium ах однорядные модули можно применять только парами, а DIMM — модули можно устанавливать и по одному. SIMM — модули поставляются объемами 4,8,16,32 Мбайт, время доступа 50 — 70 нс, а DIMM — модули 16,32,64, Мбайт и более время доступа 7- 10 нс. FPM DRAM Fast Page Mode Dram — динамическая память с быстрым страничным доступом. EDO extended data out — микросхемы характеризуются увеличенным временем удержания данных на выходе. На выходе установлены регистры — защелки данных. SDRAM Synchronous DRAM — синхронная динамическая память — память с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной памяти. В момент включения компьютера в его оперативной памяти нет ничего — ни данных, ни программ, так как оперативная память не может ничего хранить без подзарядки ячеек более сотых долей секунды. Но процессору нужны команды даже в первый момент работы компьютера. Поэтому сразу после включения на адресной шине процессора выставляется стартовый адрес. Это происходит аппаратно, без участия программ. Процессор обращается по выставленному адресу за своей первой командой и далее начинает работать по программам. Этот исходный адрес не может указывать на оперативную память, в которой пока ничего нет. Он указывает на другой тип памяти — постоянное запоминающее устройство ПЗУ. Микросхема ПЗУ способна длительное время хранить информацию, даже когда компьютер выключен. Комплект программ, находящихся в ПЗУ, образует базовую систему ввода- вывода BIOS — Basic Input Output System. Проверить состав и работоспособность компьютерной системы и обеспечить взаимодействие с клавиатурой, монитором, жестким диском и дисководом гибких дисков. Программы, входящие в BIOS, позволяют нам наблюдать на экране диагностические сообщения, сопровождающие запуск компьютера, а также вмешиваться в ход запуска с помощью клавиатуры. Изготовители BIOS ничего не знают о параметрах наших жестких и гибких дисков, им не известны параметры и свойства нашей вычислительной системы. То есть программы, входящие в состав BIOS должны знать, где можно найти нужные параметры. Их нельзя хранить ни в оперативной памяти, ни в постоянном запоминающем устройстве. Ее содержимое не стирается во время выключения компьютера, а от ПЗУ отличается тем, что данные в нее можно заносить и изменять самостоятельно, в соответствии с тем, какое оборудование входит в состав системы. Эта микросхема подпитывается от небольшой батарейки, расположенной на материнской плате. Заряда этой батарейки хватает на то, чтобы микросхема не теряла данные, даже если компьютер не будут включать несколько лет. В микросхеме CMOS хранятся данные о гибких и жестких дисках, о процессоре, о некоторых других устройствах материнской платы. Программы, записанные в BIOS, считывают данные о составе оборудования компьютера из микросхемы, после чего они могут выполнить обращение к жесткому диску, а в случае необходимости к гибкому и передать управление тем программам, которые там записаны. ВЗУ — это электромеханическое запоминающее устройство, которое характеризуется большим объемом хранимой информации и низкой по сравнению с электронной памятью быстродействием. Основной принцип магнитной записи — с помощью записывающей головки происходит изменение магнитной индукции носителя. Носитель изготавливают из ферромагнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса. Располагается носитель на подложке, в качестве которой может выступать пластмассовая пленка, металлические или стеклянные диски. Ток, протекающий по обмотке записывающей головки, создает в сердечнике магнитный поток. Через узкий зазор в сердечнике магнитный поток намагничивает носитель в одном из двух направлений, что зависит от направления протекающего по обмотке тока. Разные направления намагниченности носителя соответствуют логическому нулю и логической единице. Таким образом, записывающая головка — это маленькие электромагниты, которые своим электромагнитным полем изменяют ориентацию магнитных доменов в носителе, в зависимости от полярности протекающего по обмотке тока. При считывании информации с диска движущийся намагниченный носитель индуцирует в считывающей головке электродвижущую силу. Полярность возникающего на обмотке напряжения зависит от направления намагниченности носителя. Жесткий диск — основное устройство для долговременного хранения больших объемов данных и программ. На самом деле это не один диск, а группа соосных дисков, соединенные между собой при помощи шпинделя вала, оси имеющих магнитное покрытие и вращающихся с высокой скоростью. Таким образом, этот диск имеет не две поверхности, как должно быть у обычного плоского диска, а 2n поверхностей, где n-число отдельных дисков в группе. Над каждой поверхностью располагается головка, предназначенная для чтения записи данных. При изменении силы тока, протекающего через головку, происходит изменение напряженности динамического магнитного поля в зазоре, что вызывает изменения в стационарном магнитном поле ферромагнитных частиц, образующих покрытие диска. Так осуществляется запись данных на магнитный диск. Операция считывания происходит в обратном порядке. Намагниченные частицы покрытия, проносящиеся на высокой скорости вблизи головки, наводят в ней ЭДС самоиндукции. Электромагнитные сигналы, возникающие при этом, усиливаются и передаются на обработку. Управление работой жесткого диска выполняет специальное аппаратно — логическое устройство — контроллер жесткого диска. Расположено в микропроцессорном комплекте чипсете , хотя некоторые виды высокопроизводительных контроллеров жестких дисков по — прежнему поставляются на отдельной плате. Жесткие диски изготавливаются из алюминия, латуни, керамики или стекла толщина примерно 2 мм. Покрыты магнитным материалом гамма — феррит-оксид, феррит бария, окись хрома и. Для записи используются обе поверхности дисков. В современных НЖМД используется от 4 до 9 пластин. Емкость зависит от технологии изготовления. В настоящее время широко используется технология с использованием гигантского магниторезистивного эффекта GMR- Giant Magnetic Resistance. Теоретический предел емкости пластины, исполненной по этой технологии — 20 г байт. В настоящее время достигнут уровень 6,4 Гбайт на пластину, но развитие продолжается. В зависимости от интерфейса:. Для оперативного переноса небольших объемов информации используют так называемые гибкие магнитные диски дискеты , которые вставляются в специальный дисковод. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Системы, расположенные на материнской плате. Память Общая характеристика Оперативная память Микросхема ПЗУ и система BIOS Энергонезависимая память CMOS Память на жестком диске Дисковод гибких магнитных дисков Дисковод СД — дисков Память — функциональная часть ЭВМ, предназначенная для хранения и выдачи информации. В ЭВМ запоминание происходит в: ОЗУ оперативное запоминающее устройство , ПЗУ постоянное запоминающее устройство , ВЗУ внешнее запоминающее устройство , Кэш — память недоступный для пользователя буфер , СМО S — память хранение системных данных , РОН — внутренние регистры процессора используются при вычислениях. ОЗУ, ПЗУ, РОН, кэш-память, СМОS — память относятся к электронной памяти. ВЗУ — электромеханическая память. Микросхемы памяти бывают одноразрядные и многоразрядные. Основные характеристики модулей памяти — объем памяти и время доступа. Разработаны различные модификации статической и динамической памяти. Микросхема ПЗУ и система BIOS. Энергонезависимая память C MOS Изготовители BIOS ничего не знают о параметрах наших жестких и гибких дисков, им не известны параметры и свойства нашей вычислительной системы. Жесткий диск ВЗУ — это электромеханическое запоминающее устройство, которое характеризуется большим объемом хранимой информации и низкой по сравнению с электронной памятью быстродействием. В зависимости от интерфейса: Возможно время доступа — мкс. Емкость Кбайт 1,4 Мбайт. Гибкие диски считаются ненадежными носителями информации.
Энергонезависимая память CMOS
Лекарства при остром бронхите у взрослых
Поздравления с днем рождения сестру с 40
Память CMOS
Огэ русский язык сколько баллов на 3
Лего naval ships 0280 инструкция
Разновидность ПЗУ — CMOS RAM.
Сколько разлагается тело кошки
Можно ли накачать мышцы электростимуляцией