Фотопроводимость хлопковых волокон, легированных йодом. Реферат. Физика.
💣 👉🏻👉🏻👉🏻 ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!
Похожие работы на - Фотопроводимость хлопковых волокон, легированных йодом
Нужна качественная работа без плагиата?
Не нашел материал для своей работы?
Поможем написать качественную работу Без плагиата!
Фотопроводимость хлопковых волокон, легированных йодом
Изучение фотоэлектрических свойств полупроводников позволяют выявить физические закономерности в различных структурах, включая наноструктуры и открывает новые возможности создания дискретных элементов на их основе. В последнее время установлено, что хлопковые волокна (ХВ) обладают полупроводниковыми свойствами. Структура ХВ представляет собой из элементарных микрофибрилл целлюлозы. Они состоят из мицеллярных пучков. ХВ имеют области с упорядоченным расположением молекул (кристаллы) и аморфные области, размеры которых порядка 5-60 нанометров.
Физические свойства различных сортов ХВ, легированных йодом исследованы в [1,2]. Из этих работ следует, что их полупроводниковые свойства зависят от сорта ХВ. Свойства ХВ сорта "Гульбахор", легированных йодом ("Гульбахор") практически не изучены. В связи с вышеизложенным в данной работе приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств ХВ сорта "Гульбахор".
Легирование ХВ йодом производилась при t=20-60 0 С, в течении 0,5 -10 часов. Образцы представляли собой параллельно уложенные друг к другу волокна в количестве 2000-8000 штук, размещенные в кварцевый корпус. В качестве омических контактов и герметизации были использованы электропроводящий клей на основе графита и лака Hц. Длина образца составляют 10мм.
Измерения показали, что ВАХ (V=0-400В) , ХВ сорта "Гульбахор" без освещения и при освещении УФ светом с h υ=5 эВ имеет линейный характер. При освещении образца УФ светом, отношение J ф /J т = 3-12, где J ф J т - фото и темновой ток, соответственно. Измерения кинетики фотопроводимости (ФП) при освещении УФ светом с hυ=5 эВ показали, что нарастания фототока происходит по экспоненциальному закону. Сопоставления кинетики ФП ХВ сортов "Гульбахор" и Ф -175, легированных йодом показывает, что спад ФП в ХВ сорта "Гульбахор" присходит в 10 раз быстрее, чем Ф -175 . Это показывает преимущество ХВ сорта "Гульбахор" в создании фотоприемников работающие с УФ области спектра.
Для того, чтобы выяснить особенности сорта электрических свойств ХВ "Гульбахор" были изучены спектры ФП без и при постоянной подсветке УФ светом с hυ= 5 эВ. Измерения показали, что даже после длительной выдержки (в течении 4-х часов) образцы в темноте, спектр ФП начинается с h υ=0,67 эВ. При увеличении энергии квантов наблюдается резкий излом при h υ= 0,8 эВ и h υ= 2,4 эВ. При постоянной подсветке, начиная с h υ=0,67 эВ видно рост ФП выше, чем фонового значения и с h υ=0,8 эВ происходит уменьшение ФП ниже фонового до h υ=2,4 эВ , т.е наблюдается ИК гашение ФП. Используя классическую зонную модель полупроводника, особенности ФП ХВ сорта "Гульбахор" можно объяснить следующим образом. фотоэлектрический полупроводник хлопковый волокно
Начало спектра ФП (h υ=0,67), по - видимому, обусловлено тем, что йод в ХВ сорта "Гульбахор" создаёт глубокий уровень с энергией ионизации Е tp =0,67 эВ. Отметим, что ширина запрещённой зоны ХВ E g = 3,2 эВ[3]. Если учесть, что ХВ после легирование йодом имеет n-тип проводимости, то можно считать, что уровень расположен в верхней половине запрещённой зоны с Е t1 =Е с -0,67 эВ и имеет донорный характер. Рост ФП начиная с hυ= 0,67 эВ обусловлен оптическим переходом электронов с уровня Е t1 в зону проводимости. Спад ФП начиная с h υ=0,8 эВ и рост ФП с h υ=2,4 эВ, обусловлены оптическими переходами электронов из валентной зоны на уровень Е t2 =Е υ =0,8 эВ и с уровня в зону проводимости, с последующей рекомбинацией свободных электронов с дырками валентной зоны через неконтролируемые рекомбинационные центры N r .
ИК гашение ФП связано с оптическим переходом электронов с уровня Е t1 =Е с -0,67 эВ в зону проводимости и из валентной зоны на акцепторные уровни Е t2 =Е υ +0,8 эВ, с последующей рекомбинацией электронно - дырочных пар через рекомбинационные центры N r. В качестве этих центров могут выступать различные загрязнения в ХВ, кутикулы или границы между аморфными и кристаллическими состояниями.
Похожие работы на - Фотопроводимость хлопковых волокон, легированных йодом Реферат. Физика.
Реферат: Математические модели ГТД
Курсовая работа по теме Сучасний стан та тенденції розвитку легкої промисловості в Україні
Основные Категории Педагогики Реферат
Курсовая работа по теме Решение проблемы взаимодействия общества и природы
Доклад: Из истории возникновения христианства в Анапе. Древнейший христианский храм на анапской земле
Реферат: Building A Computer Essay Research Paper Theodore
Реферат: Дворец Лихтенштейнов Вена
Анализ Требований Практическая Работа
Курсовая работа по теме Разработка укрупненного технологического процесса
Реферат: Сила и как сделаться сильным
Синоніми та пароніми
Реферат по теме Хрущев и десталинизация на Украине
Контрольная работа по теме Управление знаниями
Реферат: Первые промышленные выставки в России. Участие России в международных промышленных выставках
Школа Моей Мечты Сочинение 6 Класс
Курсовая работа по теме Методы управления белорусским предприятием
Курсовая работа по теме Управление внеоборотными активами организации
Дипломная работа по теме Оценка эффективности разработки месторождения угля
Реферат по теме Развитие американского кинематографа
Контрольная работа: Социализация личности. Теория социальной стратификации и социальной мобильности
Похожие работы на - Синергетика как концепция развития в современном естествознании
Реферат: Опекунское право по советскому законодательству
Реферат: Основы буддистского учения