Flash память . Реферат. Информационное обеспечение, программирование.
⚡ 👉🏻👉🏻👉🏻 ИНФОРМАЦИЯ ДОСТУПНА ЗДЕСЬ ЖМИТЕ 👈🏻👈🏻👈🏻
Информационное обеспечение, программирование
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Скачать Скачать документ
Информация о работе Информация о работе
Нужна качественная работа без плагиата?
Не нашел материал для своей работы?
Поможем написать качественную работу Без плагиата!
Санкт-Петербургский Государственный Университет
Информационных Технологий Механики и Оптики
Флэш-память была
открыта Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в Toshiba в 1984 году.
Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Шойи Ариизуми (Shoji
Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил
фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984
International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско,
Калифорния. Intel увидела большой потенциал в изобретении и в 1988 году
выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR типа.
NAND тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше
площадь чипа.
Стандартизацией чипов
флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group
(ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0, выпущенная в
28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается крупнейшими производителями
NAND чипов: Intel, Micron Technology и Sony.
В настоящее время на
рынке существует огромное множество флэш-дисков: SD, MMC, CompactFlash Type I и
II, Memory Stick, Memory Stick Duo, TransFlash, miniSD, microSD, RS-MMC,
SmartMedia, MiniDisk и др. Многообразие форматов объясняется тем, что все
мобильные устройства предъявляют «свои» особенные требования к возможностям
накопителя. Ниже описаны основные типы флэш-памяти, их характеристики и
особенности восстановления данных с этих носителей.
CompactFlash — выпущен еще в 1994 году компанией SanDisk и
является одними из самых популярных флэш-накопителей. Недостатком являются
«большие» размеры (42,8 x 36,4 x 3,3 мм). Всего существует два типа карт
CompactFlash: CF Type I, CF Type II, причем отличаются они лишь толщиной
корпуса: 3,3 против 5мм соответственно. Скоро планируется выпуск CompactFlash
3.0.
SD (Secure
Digital) — разработан компаниями
SanDisk, Panasonic и Toshiba. Главное отличие SD заключается в использовании
шифрования данных, что обеспечивает защиту данных от несанкционированного
копирования или перезаписи, но создает дополнительные проблемы при
восстановлении данных. Размер 32x24x2,1 мм.
MMC
(MultiMediaCard) — разработан
компаниями SanDisk и Siemens. Имеют полную совместимость с картами формата SD.
В каждой MMC есть собственный контроллер памяти. Размер 32x24x1,4 мм.
RS-MMС (Reduced
Size MMC) — также известны
как MMCmobile. Они отличаются от MMC лишь уменьшенными размерами и используются
в основном в мобильных телефонах. Размер 24х18х1,4 мм.
MicroSD, MiniSD — отличаются от SD card уменьшенными
габаритами, соответственно, меньшей емкостью, и сниженным напряжением питания.
Сфера применения та же, что и у RS-MMC. Между собой MiniSD и MicroSD отличаются
только размерами - 21х20х1,8мм и 11х15х1 мм.
Memory Stick — раработка корпорации Sony. Карта имеет
фирменную технологию MagicGate для защиты информации от несанкционированного доступа.
Размер 50x21,5x2,8 мм.
Memory Stick Duo — следующий этап развития Memory Stick. Уменьшились размеры (31х20х1,6 мм) и энергопотребление. В остальном
полностью аналогична обычной MS.
SmartMedia – разработка компании Toshiba. Особенностями
данного стандарта можно считать очень низкое энергопотребление и отсутствие
собственного контроллера. Размер 45,1х37х0,76 мм.
xD Picture
(Extreme Digital) —
разработка компаний FujiFilm и Olympus для замены устаревшего формата
SmartMedia. Применяться данные карты будут преимущественно в цифровых
фотоаппаратах этих компаний. Размер 25х20х1,7мм.
USB-брелки — представляют собой самый распространенный
флэш-накопитель. Из-за большого разброса по емкости, габариты накопителей
значительно отличаются. Потеря данных обычно возникает при включении в USB порт
работающего компьютера. Наиболее простой стандарт с точки зрения восстановления
данных.
Флеш-память хранит
информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками
(англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ.
single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые
новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут
хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на
плавающем затворе транзистора.
В основе этого типа флеш-памяти
лежит НЕ‑ИЛИ элемент (англ. NOR), потому что в
транзисторе с плавающим затвором низкий уровень электронов обозначает единицу.
Транзистор имеет два
изолированных затвора: управляющийся и плавающий. Последний способен удерживать
электроны в течении нескольких лет. В ячейке имеются так же сток и исток. При
программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на
управляющем затворе, появляется поток электронов. Некоторые из электронов,
благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на
плавающий затвор, где и будут храниться. При чтении низкий уровень заряда на
плавающем затворе соответствует единице, а заряд выше порогового значения —
нулю.
Скорость некоторых
устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с. В основном флеш-карты
имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного
CD-привода (150 Кб/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150
Кб/с = 15 000 Кб/с= 14.65 Мб/с.
В основном объём чипа
флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.
В 2005 году Toshiba и
SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 Гб, выполненных по технологии
многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя
разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.
Компания Samsung в
сентябре 2006 года представила 8 Гб чип, выполненный по 40-нм технологическому
процессу. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC
(multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм
технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 Гб. Ожидается, что в
массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.
Для увеличения объёма
в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. В основном на
середину 2007 года USB устройства и карты памяти имеют объём от 512 Мб до 15
Гб. Самый большой объём USB устройств составляет 128 Гб.
Основное слабое место
флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с
тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто
обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют
свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить
срок работы памяти.
Флеш-память наиболее
известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном
применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB
mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС
современных версий.
Благодаря большой
скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с
рынка дискеты. Например, компания Dell с 2003 года перестала выпускать
компьютеры с дисководом гибких дисков.
В данный момент
выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На
рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них
данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды.
Похожие работы на - Flash память Реферат. Информационное обеспечение, программирование.
Методика Подбора Средств Ппфп Студентов Курсовая Работа
Скачать Пазин Егэ Историческое Сочинение
Реферат: Международный туризм состояние и перспективы развития
Реферат: Общая характеристика экономики Италии
Реферат: Apollo 13 Essay Research Paper Apollo 13
Реферат: Песнь о старом кенгуру
Контрольная работа по теме Налично-денежный оборот, денежные системы
Курсовая работа: Расчет цеховой себестоимости изготовления детали
Реферат по теме На каких инвесторов может рассчитывать фармрынок
Эссе Класс Клиник
Реферат: Выносливость. Удары, применяемые в настольном теннисе. Скачать бесплатно и без регистрации
Реферат: Освоение работы с электронными образовательными ресурсами в педагогическом вузе
Контрольная работа: Этапы планирования экономического развития
Сочинение По Произведению Садко
Дипломная работа по теме Языковое выражение категории времени в романе Михаила Булгакова "Мастер и Маргарита"
Курсовая работа по теме Основы конфигурирования сетевых файловых систем (на примере NFS)
Реферат по теме Основные сведения о материалах
Организация Проектной Деятельности Курсовая Работа
Сочинение: Народ и власть (По трагедии А. С. Пушкина "Борис Годунов")
Контрольная работа: Рівні роботи в розвитку мовлення молодшого школяра
Реферат: Методические рекомендации по подготовке и защите дипломных работ Для студентов специальности
Реферат: Women In Combat Essay Research Paper The
Реферат: Наполеон Банопарт