Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет — В. Н. Мурашев, 2001г. Скачать книгу / читать онлайн

Внимание! Здесь вы можете ознакомиться с книгой Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет 2001 года от Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

Описание книги:
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления

Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет — В. Н. Мурашев, 2001г. Скачать книгу / читать онлайн

Report Page