Физические основы полупроводниковых приборов
![](/file/036dfbe351440929844b0.gif)
🛑🛑🛑 ПОДРОБНЕЕ ЖМИТЕ ЗДЕСЬ 👈🏻👈🏻👈🏻
Физические основы работы полупроводникового диода.
Основные параметры и характеристики диодов.
Принцип работы, область применения и схемы включения.
Классификация и характеристика полупроводниковых диодов, их устройство и применение.
Для более экономного использования дискового пространства на сервере работы запакованы в zip-архивы.
Чтобы их распаковать и посмотреть, необходимо иметь установленный на вашем компьютере архиватор, например, WinZip или WinRAR или другой, распаковывающий zip-архивы
К основным физическим принципам, лежащим в основе работы полупроводникового прибора, относятся:
1. Принцип работы полупроводника и полупроводниковый принцип действия.
2. Законы Ома в полупроводниках.
3. Электронно-дырочный переход.
4. Принцип работы туннельного диода.
5. Принцип работы полевого транзистора.
6. Принцип работы биполярного транзистора
7. Принцип работы инвертора.
8. Принцип работы усилителя.
9. Принцип работы операционного усилителя.
10. Принцип работы генератора.
Основные типы полупроводниковых диодов.
Диод Шоттки.
Характеристики диодов, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.
Расчет параметров полупроводникового диода.
Выпрямительные диоды и их основные параметры
Понятие и разновидности полупроводниковых диода, их типы и особенности.
Принципы и способы определения параметров диодов и их характеристики.
Применение диодов на практике, области их применения.
Способы защиты диодов от перенапряжений и перегрева.
реферат, добавлен 13.04.2010
Основы технологии изготовления и сборки полупроводниковых пластин.
Методы измерения параметров полупроводниковых диодов и транзисторов.
Особенности производства и применения полупроводниковых материалов
Основные физические свойства полупроводникового диода.
Виды полупроводниковых структур.
Влияние примесей на работу полупроводникового прибора.
Принцип действия и классификация полупроводниковых светодиодов.
Методика измерений параметров диодов.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018
В полупроводниковой технике, как и в любой другой науке, существует своя терминология.
К ней относятся такие термины, как полупроводник, диэлектрик, металл, полупроводниковый прибор, электрон, дырка, канальная структура, р-п-переход, p-n-переход.
Рассмотрим некоторые из них.
Часть 2. Полупроводниковые диоды
Дата публикации: 28 марта 2015
Физические основы работы полупроводникового диода.
Основные параметры, характеристики и классификация полупроводниковых диодов.
Полупроводниковый диод - полупроводниковый прибор, который изменяет электрическое состояние в полупроводнике, где имеется р-n переход.
Диоды находят широкое применение в технике, так как они имеют высокие электрические параметры и высокую надежность.
(на примере диодов).
Диэлектрические материалы и методы их получения.
Основные типы диэлектриков и их свойства.
Электрофизические свойства полупроводников.
Физические механизмы проводимости полупроводников
Применение в производстве полупроводниковых материалов.
Свойства кремниевых полупроводников, их использование в полупроводниковом производстве.
Методы получения полупроводниковых структур.
Применение полупроводников в технике, их преимущества и недостатки.
реферат, добавлен 26.05.2010
Диоды.
Транзисторы.
Полупроводниковые приборы.
Физические процессы, протекающие в них.
Основные параметры, устройство, назначение, область применения, работа полупроводникового диода, транзистора.
Электрические характеристики полупроводниковых диодов и транзисторов.
Применение полупроводниковых материалов и устройств на их основе.
Схемы включения полупроводниковых устройств и особенности работы в различных режимах.
Микроэлектроника.
М., "Наука", 1983.
128 с. с ил.
(Сер.
"Физика и техника полупроводников").
В книге рассмотрены основные физические процессы, происходящие в полупроводниках, и их влияние на работу полупроводникового прибора.
Особое внимание уделено вопросам термодинамики полупроводников, полупроводниковым диодам и триодам, транзисторным схемам.
Для того чтобы понять, почему полупроводниковые приборы имеют такие высокие показатели, рассмотрим основные физические закономерности, определяющие работу полупроводникового прибора.
Приборы на основе кремния, германия и арсенида галлия обладают следующими свойствами:
- большая ширина запрещенной зоны — от 4 до 7 эВ;
- высокий показатель преломления — от 3,5 до 4,0;
- большие индуктивность и емкость;
- низкий температурный коэффициент сопротивления;
- высокая теплопроводность;
Образец Характеристики По Прохождению Практики
Дневник Практика Медсестры Процедурного Кабинета
Реферат Основные Методы Исследования