Ein elektrisches Feld kann die Kristallstruktur von Graphen verändern
@GrapheneAgenda
Forscher der Universität von Arizona haben herausgefunden, wie sich die Kristallstruktur von Graphen durch ein elektrisches Feld verändern lässt.
Diese einzigartige Technik könnte Graphen-Transistoren - und Anwendungen in der Elektronik und Mikroprozessoren - ermöglichen.
Die Forscher verwendeten dreischichtiges Graphen, bei dem die obere Schicht auf zwei verschiedene Arten angeordnet werden kann - entweder werden die Atome auf den Atomen der unteren Schicht platziert oder mit einem leichten Versatz (so dass die Atome auf dem Raum zwischen den Atomen der unteren Schicht platziert werden).
In einem dreischichtigen Graphenblatt geschieht dies auf natürliche Weise, und tatsächlich existieren die beiden Stapelkonfigurationen zusammen mit einer scharfen Grenze zwischen ihnen.
Wenn es eine solche Grenze gibt, verhält sich eine Seite wie ein Metall, während sich die andere Seite wie ein Halbleiter verhält. Mit Hilfe eines elektrischen Feldes (angelegt durch eine extrem scharfe Metall-Rastertunnelmikroskopie-Spitze) konnten die Forscher die Position der Domänen-"Wand" verschieben. Dadurch wurde die Kristallstruktur des dreischichtigen Graphens verändert.
Durch Anlegen eines elektrischen Feldes zur Verschiebung der Grenze ist es nun zum ersten Mal möglich, die Kristallstruktur von Graphen kontrolliert zu verändern - und das Material im Grunde von einem Metall zu einem Halbleiter und umgekehrt zu machen - und dies kann zur Steuerung des Flusses von Elektronik oder als einfacher An/Aus-Schalter verwendet werden. Das Graphen könnte sowohl als p-Typ- als auch als n-Typ-Transistor arbeiten.
Quelle:
https://www.graphene-info.com/electric-field-can-change-crystal-structure-graphene