Диссоциативы Махачкала

__________________________

Проверенный магазин!

Гарантии и Отзывы!

__________________________

Наши контакты (Telegram):

НАПИСАТЬ НАШЕМУ ОПЕРАТОРУ ▼

>>>🔥✅(ЖМИ СЮДА)✅🔥<<<

__________________________

ВНИМАНИЕ!

⛔ В телеграм переходить по ссылке что выше! В поиске фейки!

__________________________

ВАЖНО!

⛔ Используйте ВПН, если ссылка не открывается или получите сообщение от оператора о блокировке страницы, то это лечится просто - используйте VPN.

__________________________

Микроэлектроника. T. 48, Номер 1,

Благодаря уникальной комбинации диэлектрических, оптических и термических свойств оксид иттрия и его сплавы в течение уже многих лет являются предметом исследований. Оксид иттрия имеет высокое значение диэлектрической проницаемости равное 10 \\\\\\\\\\\\\\\[ 1 \\\\\\\\\\\\\\\], широкий диапазон оптической передачи 0. В связи с близостью параметров кристаллической решетки и высокой химической совместимостью с кремнием, Y 2 O 3 рассматривался как материал, способный потенциально заменить оксид кремния в качестве диэлектрического затвора в транзисторах \\\\\\\\\\\\\\\[ 4 , 5 \\\\\\\\\\\\\\\]. Была продемонстрирована перспективность применения данного материала в качестве диэлектрика в электронных устройствах на основе графена и карбоновых нанотрубок \\\\\\\\\\\\\\\[ 8 \\\\\\\\\\\\\\\]. Он также использовался в качестве волновода в оптических устройствах \\\\\\\\\\\\\\\[ 9 , 10 \\\\\\\\\\\\\\\], как буферный слой для сверхпроводников \\\\\\\\\\\\\\\[ 11 , 12 \\\\\\\\\\\\\\\] и как высокотемпературное защитное покрытие \\\\\\\\\\\\\\\[ 13 , 14 \\\\\\\\\\\\\\\]. Пленки Y 2 O 3 осаждаются как газофазными, так и жидкофазными методами. Как правило процессы нанесения пленок из паровой фазы включают в себя различные модификаци методов физического осаждения из газовой фазы ФОГФ \\\\\\\\\\\\\\\[ 15 , 16 \\\\\\\\\\\\\\\] или химического осаждения из газовой фазы \\\\\\\\\\\\\\\[ 17 , 18 \\\\\\\\\\\\\\\]. Несмотря на то, что этими методами можно получать высококачественные пленки, низкий уровень контроля толщины покрытий и высокие температуры осаждения являются их существенными недостатками. С относительно недавних пор стало возможным осаждать оксид иттрия методом атомно-слоевого осаждения. Эта особенность позволяет равномерно покрывать наноструктурированные подложки и дисперсные материалы с контролем толщины на уровне Ангстрема \\\\\\\\\\\\\\\[ 20 \\\\\\\\\\\\\\\]. В этих экспериментах О 2 , озон О 3 , радикалы кислорода или H 2 O использовались в качестве прекурсоров кислорода. В последнее время значительное внимание уделялось прекурсору с гетеролитическими лигандами i PrCp 2 Y i Pr-amd , так как этот реагент находится в жидком состоянии при комнатной температуре и при нагревании обладает высоким давлением паров \\\\\\\\\\\\\\\[ 29 , 30 , 32 \\\\\\\\\\\\\\\]. Однако при схожих режимах осаждения, используя i PrCp 2 Y i Pr-amd и H 2 O, исследователями были получены не согласующиеся данные по содержанию примесей углерода. Так, в одном случае сообщалось о содержании примесей углерода ниже чувствительности РФС 0. Присутствие углерода указывает на неидеальность протекающих на поверхности химических реакций. В целом, циклопентадиениловые Cp реагенты демонстрируют более подходящую химию поверхности. Процессы АСО Y 2 O 3 с использованием Cp прекурсоров иттрия оставляют за собой минимальное количество примесей углерода и показывают относительно высокие темпы роста в пределах 1. Y CpBut 3 является привлекательным, коммерчески доступным реагентом поскольку находится в жидком состоянии при комнатной температуре. Жидкие прекурсоры обладают более высокой летучестью и реакционной способностью по сравнению с другими прекурсорами иттрия, находящимися в твердом состоянии \\\\\\\\\\\\\\\[ 29 \\\\\\\\\\\\\\\]. Это позволило детально изучить механизм роста пленки Y 2 O 3. Данные мониторинга роста пленки позволили оптимизировать процесс осаждения для минимизации негативных последствий данного эффекта. На основании полученных экспериментальных данных был предложен примерный механизм осаждения пленки. Махачкала, Россия. Установка снабжена вакуумной камерой с горячими стенками, куда натекает вязкий поток инертного газа. В качестве газа-носителя использовался азот ультравысокой чистоты УВЧ, Вода использовалась хроматографического класса чистоты. Из-за чувствительности прекурсора иттрия к кислороду и влаге его загружали в контейнер для напуска в перчаточном пакете в атмосфере УВЧ N 2. Прекурсор дозировался путем перенаправления части потока газа-носителя через барботер. Контейнер с водой находился при комнатной температуре. Перед началом процесса реагенты подвергались дегазации. Оборудование, использованное для КПМ-мониторинга, было схоже с тем, что использовалось в других работах \\\\\\\\\\\\\\\[ 34 \\\\\\\\\\\\\\\]. Разрешение КПМ по массе составляет примерно 0. Осаждение Al 2 O 3 проводилось для получения однородной, чистой поверхности. Погрешности для каждой из точек кривых насыщения прекурсора иттрия рассчитывались по стандартным отклонениям значений для 10—15 АСО-циклов. Для определения толщины и показателя преломления полученных пленок использовали спектроскопический эллипсометр. Данные показателя преломления света определяли для диапазона длин волн от Представленные значения погрешности толщины АСО-пленок рассчитывались из значений толщины для трех образцов, напыляемых одновременно и расположенных по направлению потока газа на расстоянии примерно 1 см друг от друга. Показатель преломления определяли фиксацией в модели точных данных по толщине пленки АСО Y 2 O 3 и подслоев, полученных методом отражения рентгеновских лучей ОРЛ. ОРЛ анализ использовался для определения плотности, поверхностной среднеквадратичной шероховатости и толщины полученных Y 2 O 3 пленок. ДРЛ измерения проводились для определения кристаллической структуры и размера зерен пленок Y 2 O 3. Энергия ионов аргона при травлении составляла примерно 1. Фотоэлектроны собирали с помощью полусферического анализатора. Данные РФС позволили определить состав и уровень примесей углерода в пленках. Метод спектроскопии резерфордовского обратного рассеивания использовался для определения отношения концентрации атомов кислорода и иттрия в полученных пленках. На рис. Как видно из рис. На третьем цикле система проходит через первый локальный минимум. Период роста от первого локального минимума до максимума характеризуется ростом островков оксида и их разрастанием в сплошную пленку \\\\\\\\\\\\\\\[ 38 \\\\\\\\\\\\\\\]. Чем выше плотность нуклеационных зародышей, тем меньше АСО циклов требуется для достижения локального максимума \\\\\\\\\\\\\\\[ 39 \\\\\\\\\\\\\\\]. Появление второго локального минимума ранее объясняли разницей в темпах роста различных кристаллографических плоскостей зародышей \\\\\\\\\\\\\\\[ 37 \\\\\\\\\\\\\\\]. После прохождения второго минимума выход на линейный рост потребовал значительного количества циклов. После стабилизации прироста массы за цикл были проведены эксперименты по определению самоограничиваемости реакции Y CpBut 3 с поверхностными гидроксильными группами реакции А. Из рис. Данный результат мотивировал к более детальному изучению процессов, происходящих при осаждении пленки. Данные были получены на начальном этапе первые 15 циклов роста пленки. Как видно из рисунка, напуск Y CpBut 3 ведет к приросту массы, а напуск воды к ее потере. Это происходит в соответствии с предложенным выше механизмом осаждения АСО Y 2 O 3 , где напуск Y CpBut 3 приводит к росту массы реакция А , а замена поверхностных CpBut лигандов на гидроксильные группы реакция Б — к ее снижению. При этом, на шаге продувки Y CpBut 3 происходит значительное снижение массы, что связано с потерей лигандов в результате поверхностной рекомбинации, причем эти процессы возможно проходят в два этапа. Если напуск воды на начальном этапе осаждения Y 2 O 3 приводил к потере массы рис. Данное поведение объясняется абсорбцией воды в толщу осаждаемой пленки, что выражается резким скачком массы во время напуска и последующей диффузией воды из пленки на этапе продувки. Как видно из рисунка, на стадии продувки вода удаляется не полностью масса не стабилизировалась. В результате каждый последующий напуск Y CpBut 3 реагирует в газовой фазе с диффундирующей из пленки водой, что приводит к эффекту химического осаждения из газовой фазы, а значит и к неконтролируемому росту пленки. Процесс абсорбции воды постепенно начинался уже на стадии нуклеации пленки и усиливался с увеличением толщины пленки. Однако никаких подтверждающих данный эффект экспериментальных результатов авторами предоставлено не было. При этом авторами отмечалась необходимость продолжительной продувки после напуска воды для ее полной десорбции до напуска прекурсора иттрия \\\\\\\\\\\\\\\[ 27 \\\\\\\\\\\\\\\]. Отсюда следует, что абсорбция воды происходит вне зависимости от типа прекурсора иттрия и связана со свойствами самой пленки. Это связывают прежде всего с тем, что оксид иттрия химически активен и обладает основными свойствами \\\\\\\\\\\\\\\[ 40 , 41 \\\\\\\\\\\\\\\]. В кристаллической решетке Y 2 O 3 имеются присущие ему дефекты в виде кислородных вакансий и дислокаций \\\\\\\\\\\\\\\[ 42 \\\\\\\\\\\\\\\]. Эти дефекты могут служить центрами разложения H 2 O. При этом протонирование оксида иттрия ведет к модификации его электрических свойств \\\\\\\\\\\\\\\[ 44 \\\\\\\\\\\\\\\]. Другие оксиды редкоземельных металлов также обладают основными свойствами \\\\\\\\\\\\\\\[ 46 \\\\\\\\\\\\\\\]. Один из таких примеров — реакция пленки оксида лантана La 2 O 3 с H 2 O с образованием гидроксида лантана в процессе термического АСО с использованием воды \\\\\\\\\\\\\\\[ 47 , 48 \\\\\\\\\\\\\\\]. Оксид иттрия обладает менее выраженными основными свойствами, чем оксид лантана \\\\\\\\\\\\\\\[ 46 \\\\\\\\\\\\\\\], поэтому можно предположить, что удаление воды на стадии ее продувки в случае АСО Y 2 O 3 будет более эффективным, чем для La 2 O 3. Во избежание осложнений, связанных с абсорбцией воды, дальнейший процесс АСО Y 2 O 3 проводили с меньшей дозой напускаемой воды и большим временем ее продувки. Этот объем более чем в 40 раз ниже объема воды, использованного в предыдущих экспериментах. Время продувки после напуска воды было продлено с 60 с до с. Как видно из графика, с увеличением времени напуска Y CpBut 3 происходит плавное насыщение поверхности. КПМ-данные характера насыщения прекурсора иттрия после снижения объема напускаемой воды. Длительный напуск реагента иттрия необходим для достижения полного насыщения поверхности реакцией гидроксильных групп и Y CpBut 3. Данные демонстрируют линейность роста пленки и высокую воспроизводимость процесса от цикла к циклу. Приближенный вид КПМ данных показан на рис. Пик абсорбции воды на данном этапе не наблюдали, однако, он было заметным после примерно АСО-циклов. Используя данные рис. Получается, что доля CpBut лигандов, оставшихся после реакции А , равна примерно Различие в количестве остаточных лигандов после напуска Y CH 3 Cp 3 и Y CpBut 3 предположительно связано с разницей в размере лигандов и связанными с этим стерическими эффектами. Из приведенных данных можно предположить, что в результате реакции А на несколько атомов иттрия приходится один CpBut лиганд, то есть осаждение протекает с частичным разложением прекурсора иттрия. Толщина пленок измерялась спектроскопическим эллипсометром. Данные рис. Расчеты постоянной роста, полученные отношением толщины к количеству АСО-циклов для каждой точки рис. Выше циклов постоянная роста не меняется. Увеличение постоянной роста с количеством циклов часто наблюдается при АСО-кристаллических пленок. Причина такого поведения системы может быть в длительном нуклеационном периоде, увеличении размера зерен и шероховатости с увеличением толщины пленки \\\\\\\\\\\\\\\[ 50 \\\\\\\\\\\\\\\]. Разница по толщине между образцами, распложенными на расстоянии примерно 10 см друг от друга по направлению потока газа, после АСО-циклов, составляла примерно 7. Данные спектроскопического эллипсометра. Полученные результаты представлены на рис. Эти результаты говорят о том, что удлинение алкильной группы на Ср-лиганде не влияет заметным образом на реакционную способность прекусрсора иттрия, и соответственно, на постоянную роста. Шероховатость пленки может варьироваться в зависимости от ее толщины и температуры осаждения \\\\\\\\\\\\\\\[ 24 \\\\\\\\\\\\\\\]. Соответствие значений толщины пленок, полученных эллипсометрией было подтверждено методом ОРЛ. Кристаллическую структуру полученных пленок Y 2 O 3 определяли методом дифракции рентгеновских лучей ДРЛ. Используя формулу Шеррер и данные полной ширины на уровне половинной амплитуды FWHM наиболее интенсивной дифракционной линии рассчитан размер зерна равный примерно Пики кристаллического Y OH 3 , которые могли бы сформироваться как продукты реакции Y 2 O 3 с водой, обнаружены не были. Кристаллическая структура полученной нами пленки совпадает с данными, представленными в других работах по термическому АСО Y 2 O 3. Как правило, Y 2 O 3 пленки полученные термическим АСО имеют кубическую структуру с преференциальными плоскостями роста , и При схожих температурных режимах осаждения, в отдельных случаях, пленки Y 2 O 3 , полученные с использованием О 3 , демонстрировали более низкую кристалличность в сравнении с АСО-системами, в которых использовалась вода \\\\\\\\\\\\\\\[ 31 \\\\\\\\\\\\\\\]. Кубическая пленка оксида иттрия может потенциально применяться в оптике, поскольку поликристаллические материалы с иной кристаллической структурой демонстрируют большее рассеивание света \\\\\\\\\\\\\\\[ 2 \\\\\\\\\\\\\\\]. В связи с тем, что влага и углерод могут быть адсорбированы на поверхности Y 2 O 3 пленки \\\\\\\\\\\\\\\[ 27 \\\\\\\\\\\\\\\], РФС сканирование проводили после травления ионами аргона. Полученный нами результат еще раз демонстрирует, что с использованием Ср прекурсоров иттрия в комбинации с H 2 O можно получить пленки без примесей углерода. В частности показанo раздвоение пика О1s, связанное с поверхностной гидроксилацией и присутствием поверхностных углеродных примесей \\\\\\\\\\\\\\\[ 27 \\\\\\\\\\\\\\\]. Модификация поверхности происходит в результате контакта пленки Y 2 O 3 с воздухом \\\\\\\\\\\\\\\[ 10 \\\\\\\\\\\\\\\]. В данной работе также наблюдали раздвоение пика кислорода данные не показаны. После примерно 4-х минут травления двойной пик кислорода постепенно перешел в остовый пик О1s с энергией связи соответствующей кислороду в Y 2 O 3. РФС анализ также позволил получить информацию о количественном содержании атомов иттрия и кислорода. После травления ионами аргона, концентрация атомов иттрия и кислорода была Данное отклонение, скорее всего, связано с преференциальным травлением легких элементов ионами аргона \\\\\\\\\\\\\\\[ 51 \\\\\\\\\\\\\\\]. Спектр СРОР представлен на рис. Данные зависимости показателя преломления света n от длины волны для полученной нами пленки АСО Y 2 O 3 представлены на рис. ОРЛ данные для толщины пленок использовались при моделировании их оптических свойств. При этом необходимо учитывать, что пленка Y 2 O 3 может реагировать с подложкой \\\\\\\\\\\\\\\[ 26 \\\\\\\\\\\\\\\]. Оптические свойства поликристаллического Y 2 O 3 во многом определяются отражением и рассеиванием света с его поверхности \\\\\\\\\\\\\\\[ 2 , 53 \\\\\\\\\\\\\\\]. Более того, абсорбция значительного количества воды на воздухе, или после обмакивания в воде, ведет к деградации оптических свойств Y 2 O 3 в инфракрасной области спектра \\\\\\\\\\\\\\\[ 53 , 54 \\\\\\\\\\\\\\\]. В данной работе пленка АСО Al 2 O 3 использовалась в качестве антиотражательного и защитного покрытия. Показатель поглощения света k пленки Y 2 O 3 как с покрытием Al 2 O 3 , так и без него, в измеренной области длины волны, равнялся нулю. АСО кристаллических Y 2 O 3 пленок с постоянной роста 1. Абсорбция воды усиливалась с увеличением толщины пленки, что приводило к неконтролируемому осаждению Y 2 O 3 по типу ХОГФ. Для достижения самоограничивающейся поверхностной реакции Y CpBut 3 потребовалось снижение объема напускаемой воды и ее длительная продувка. Необходимость контроля напуска воды говорит о затруднительности проведения процесса в самоограничивающемся режиме по воде. Возможно, что для осаждения относительно тонких пленок размер дозируемой воды не критичен. Полученные результаты указывают на важность in situ мониторинга АСО процессов, в особенности при осаждении оксидов редкоземельных металлов, проводимых с использованием H 2 O. Было также продемонстрировано, что осаждение пленки Al 2 O 3 является эффективным способом снижения влияния рассеивания и поверхностной адсорбции воды на оптические свойства АСО Y 2 O 3. ВВЕДЕНИЕ Благодаря уникальной комбинации диэлектрических, оптических и термических свойств оксид иттрия и его сплавы в течение уже многих лет являются предметом исследований.

Диссоциативы Махачкала

Мяу-мяу купить через закладки Чебоксары

Барбітурати — Вікіпедія

Диссоциативы Махачкала

Купить Айс Ладушкин

Бесплатные пробы Гашек, твердый, гарик Омск