Биполярный транзистор схема с общим эмиттером

Скачать файл - Биполярный транзистор схема с общим эмиттером

Транзистор, в схему включают так, что один из его выводов является входным, второй — выходным, а третий — общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК. При любой схеме включения транзистора, полярность включения источников питания должна быть выбрана такой, чтоб эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Статическими характеристиками транзисторов называют графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи входные ВАХ и выходной цепи выходные ВАХ. Вид характеристик зависит от способа включения транзистора. Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ. Выходные ВАХ имеют три характерные области: Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное. Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода оба р-n- перехода закрыты. Если же на обоих переходах напряжение прямое оба р-n- перехода открыты , то транзистор работает в режиме насыщения. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы - усиление, генерация. Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Эти элементы образуют выходную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Другие элементы схемы выполняют вспомогательную роль. Конденсатор Ср является разделительным. При отсутствии этого конденсатора в цепи источника входного сигнала создавался бы постоянный ток от источника питания Ек. Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы. Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния:. Объясните принцип его работы. Нарисуйте его вольт-амперные характеристики. Это свойство широко используется при создании специальных устройств — стабилизаторов напряжения. Поэтому существует определенная зависимость пробивного напряжения т. Низковольтные стабилитроны выполняют на основе сильно легированного кремния. Вольт-амперная характеристика стабилитрона представлена на рис. Конструкция корпуса а , вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона. Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры. В сильно легированных полупроводниках вероятность туннельного пробоя с увеличением температуры возрастает. Поэтому напряжение стабилизации у таких стабилитронов при нагревании уменьшается, т. В слабо легированных полупроводниках при увеличении температуры уменьшается длина свободного пробега носителей, что приводит к увеличению порогового значения напряжения, при котором начинается лавинный пробой. Такие стабилитроны имеют положительный ТКН. Температурная зависимость вольт-амперной характеристика стабилитрона. Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении. И если последовательно со стабилитроном рис. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Магнитогорский государственный технический университет им. Приведите его вольт-амперную характеристику. Какие схемы выпрямления переменного тока вы знаете? Нарисовать и объяснить принцип работы. Схемы включения биполярных транзисторов Транзистор, в схему включают так, что один из его выводов является входным, второй — выходным, а третий — общим для входной и выходной цепей. Статические характеристики биполярных транзисторов Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Характеристики транзистора, включенного по схеме об Входной характеристикой является зависимость: Выходной характеристикой является зависимость: Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ: Входной характеристикой является зависимость: Режим работы биполярного транзистора Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. Усилительный каскад на биполярном транзисторе Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния: Полевой транзистор ПТ — полупроводниковый прибор, в котором ре- гулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполяр- ного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. Электроды полевого транзистора называют истоком И , стоком С и затвором З. Управляющее напряжение прикладывается между затвором и ис- током. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость кана- ла, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. Ес- ли амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротив- ление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае поле- вой транзистор можно использовать в качестве электронного ключа. По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы: Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами металл — диэлектрик — полупроводник. В большинстве случаев диэлектриком является двуокись кремния SiO2, поэтому обычно используется название МОП- транзисторы металл — окисел — полупроводник. В современных МОП- транзисторах для изготовления затвора часто используется поликристаллический кремний. Однако название МОП-транзистор используют и для таких приборов. Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную про- водимость, называют p-канальными. В МОП- транзисторах канал может быть обеднён носителями или обогащён ими. МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электро- нике. В ряде областей, в том числе в цифровой электронике, они почти полно- стью вытеснили биполярные транзисторы. Это объясняется следующими при чинами. Во-первых, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивле- ние и обеспечивают малое потребление энергии. Во-вторых, МОП-транзисторы занимают на кристалле интегральной схемы значительно меньшую площадь, чем биполярные. Поэтому плотность компоновки элементов в МОП- интегральных схемах значительно выше. В-третьих, технологии производства интегральных схем на МОП-транзисторах требуют меньшего числа операций, чем технологии изготовления ИС на биполярных транзисторах. Конструкция корпуса а , вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры. Температурная зависимость вольт-амперной характеристика стабилитрона Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении. Термокомпенсация стабилитрона Основные параметры стабилитронов: