А9 кристаллы состав

Рады представить вашему вниманию магазин, который уже удивил своим качеством!

И продолжаем радовать всех!

Мы - это надежное качество клада, это товар высшей пробы, это дружелюбный оператор!

Такого как у нас не найдете нигде!

Наш оператор всегда на связи, заходите к нам и убедитесь в этом сами!

Наши контакты:

https://t.me/StufferMan

ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много фейков!

А9 кристаллы состав

Кристаллиз а ция, образование кристаллов из паров , растворов , расплавов , вещества в твёрдом состоянии аморфном или другом кристаллическом , в процессе электролиза и при химических реакциях. Кристаллизация приводит к образованию минералов. Кристаллизация воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. Кристаллизация лежит в основе металлургии , получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растет, то он находится в термодинамическом равновесии с маточной средой расплавом , раствором или паром. Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при температуре плавления Т пл , а равновесие с раствором и паром — если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды — необходимое условие для роста погруженного в неё кристалла , причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия. Кристаллизация — фазовый переход вещества из состояния переохлажденной пересыщенной маточной среды в кристаллическое соединение с меньшей энергией. Избыточная энергия выделяется при кристаллизации в виде скрытой теплоты кристаллизации. В частности, кристаллы солей , образующиеся в порах бетонных плотин в морской воде , могут вызывать разрушение бетона. Выделение скрытой теплоты кристаллизации ведёт к нагреванию расплава , уменьшению переохлаждения и замедлению кристаллизации , которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений температуры , концентрации и давления. Однако при достижении некоторого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов зародышей. Возникшие кристаллики растут и, т. Критическое переохлаждение зависит от температуры , концентрации , состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц например, пылинок, на которых образуются зародыши, кристалликов др. При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллические агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности — увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера r агрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает рис. Агрегат, для которого работа образования максимальна, называется критическим зародышем r кр. Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах в особенности заряженных , на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение называется гетерогенным. При кристаллизации на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преимущественно на неоднородностях поверхности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением температуры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости , а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллическим агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от температуры имеет максимум рис. При низких температурах подвижность частиц жидкости столь мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным, — возникает стекло. Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метастабильных растворов и расплавов , вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургических процессах стремятся иметь максимальное число зародышей. Кристаллы , возникающие на поверхностях др. Например, при кристаллизации Au из атомарного пучка на поверхности кристалла NaCl кристаллики Au ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания называется эпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если температура подложки выше некоторой критической если температура ниже, то кристаллики ориентированы хаотично и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды , а также от предварительного облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Эпитаксия используется для получения монокристаллических плёнок, применяемых, в частности, в микроэлектронике. При этом на монокристальной подложке образуются отдельные, одинаково ориентированные кристаллики, которые затем срастаются в сплошную плёнку. Чистота и совершенство подложки сильно влияют на качество плёнки и её структуру. Дефекты плёнки возникают на примесях, а также в местах срастания отдельных кристалликов. Из слабо переохлажденных паров , растворов и реже расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиболее развитые грани обычно имеют простые кристаллографические индексы см. Миллеровские индексы , например для алмаза это грани куба и октаэдра. Взаимная ориентация граней, как правило, такова, что размер каждой из них тем больше, чем меньше её скорость роста. Рост простых кристаллографических граней идёт послойно, так что края незавершённых слоев — ступени — движутся при росте вдоль грани. На тонких двупреломляющих кристаллических пластинках ступени наблюдаются в поляризованном свете как границы областей различной окраски рис. Тонкие ступени наблюдают методом декорирования, а высокие ступени — непосредственно, с помощью оптического или электронного микроскопов. Тонкие ступени движутся при росте быстрее толстых, догоняют их и сливаются с ними. В свою очередь, высокие ступени расщепляются на более низкие. Например, появление на кристаллах сахарозы высоких ступеней ведёт к захвату капелек маточного раствора и растрескиванию кристаллов. Если кристалл содержит винтовую дислокацию , то его атомные слои подобны этажам гаража с винтовым выездом в середине. Надстройка такого кристалла происходит присоединением атомов к торцу последней ступени рис. В результате кристаллический слой растет, непрерывно накручиваясь сам на себя, надстраивая дислокацию , а ступень в процессе роста принимает форму спирали рис. Дислокация обеспечивает при малых переохлаждениях квадратичную зависимость скорости роста грани от переохлаждения пересыщения , т. В случае бездислокационного кристалла отложению каждого нового слоя должно предшествовать его зарождение. При малых пересыщениях новые слои зарождаются лишь около дефектов поверхности, а при больших отклонениях от равновесия и на совершенных кристаллах зарождение слоев возможно в любых точках поверхности. При больших отклонениях от равновесия как зародышевый, так и дислокационный механизмы создают высокую плотность ступеней, а скорость роста увеличивается с переохлаждением линейно. Ступени, расходящиеся по грани от уколов, царапин, а при больших пересыщениях от вершин кристалла , образуют холмики роста. Поверхность растущей грани целиком состоит из них. Склоны холмиков отклонены от грани на углы порядка нескольких градусов, причём тем меньше, чем меньше пересыщение. Из расплава кристаллы например, для большинства металлов часто растут не огранёнными, а округлыми. Округлые поверхности растут не послойно тангенциально , а нормально, когда присоединение новых частиц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности. Поверхности кристаллов , растущих послойно, являются атомно гладкими. Это означает, что основная масса возможных атомных положений в слое занята рис. Поверхности, растущие нормально, в атомном масштабе являются шероховатыми. В них количество вакансии и атомов , адсорбированных на поверхности и занимающих отдельные места, подлежащие заполнению в следующем слое, соизмеримо с полным числом возможных атомных положений рис. Атомно шероховатые поверхности, а часто и торцы ступеней на атомно гладких поверхностях содержат множество изломов. На изломах атомы могут переходить в кристаллическую фазу поодиночке, не объединяясь в агрегаты и потому не преодолевая связанных с этой коллективностью потенциальных барьеров. Поэтому рост шероховатой поверхности и ступеней обусловлен главным образом присоединением отдельных частиц к изломам. В результате скорости роста шероховатых поверхностей почти одинаковы во всех направлениях и форма растущего кристалла — округлая, а атомно гладкие поверхности растут послойно. Вероятность появления дефектов при кристаллизации падает с ростом числа попыток, т. Частицы кристаллизующегося вещества поступают к изломам из раствора за счёт диффузии , а при послойном росте из паров — также из адсорбционного слоя благодаря диффузии по поверхности. Скорость роста кристалла из растворов определяется степенью лёгкости отделения строительной частицы от молекул или ионов растворителя и пристройки их к изломам. Скорость роста из расплавов обусловлена лёгкостью изменения относительных положений соседних частиц жидкости , т. Простейшая форма роста — многогранник, причём размеры граней сильно зависят от условий роста. Отсюда пластинчатые, игольчатые и др. При росте больших огранённых кристаллов из неподвижного раствора пересыщение выше у вершин и рёбер кристалла и меньше в центральных частях грани. Поэтому вершины становятся ведущими источниками слоев роста. Если пересыщение над центральными участками граней достаточно мало, то грань уже не может больше расти , и вершины обгоняют центры граней. В результате возникают скелетные формы кристаллов рис. Поэтому совершенные кристаллы выращивают из хорошо перемешиваемых растворов и расплавов. Примесь, содержащаяся в маточной среде, входит в состав кристалла. Отношение концентрации примеси в кристалле и в среде называется коэффициентом распределения примеси. Захват примеси зависит от скорости роста. Разные грани захватывают при кристаллизации разные количества примесей. Поэтому кристалл оказывается как бы сложенным из пирамид, имеющих своими основаниями грани кристалла и сходящимися своими вершинами к его центру рис. Такой секториальный захват примеси вызван различным строением разных граней. Если кристалл плохо захватывает примесь, то избыток её скапливается перед фронтом роста и растёт. Обогащенный примесью пограничный слой, из которого идёт кристаллизация , не успевает перестраиваться, в результате чего возникает зонарная структура полосы на рис. Аналогичная картина возникает, если кристалл обогащается примесью, а пограничный слой обедняется. При росте кристаллов в достаточно больших объёмах десятки, сотни см 3 и более перемешивание растворов и расплавов возникает самопроизвольно. В случае раствора слой жидкости вблизи скоро растущих граней обедняется веществом , его плотность уменьшается, что приводит к перемещению вещества вверх концентрационные потоки. По-разному омывая различные грани, концентрационные потоки изменяют скорости роста граней и облик кристалла. В расплаве из-за нагревания примыкающей к растущему кристаллу жидкости скрытой теплотой кристаллизации возникают конвекционные потоки. Скорость, температура и концентрация примесей в конвекционных потоках хаотически колеблются около средних значений. Образуется зонарная структура кристалла. В металлических расплавах магнитное поле останавливает конвекцию и уничтожает зонарность. В результате плоский фронт роста разбивается на округлые купола, имеющие в плоскости фронта форму полос или шестиугольников,— возникает ячеистая структура рис. Линии сопряжения ячеек канавки оставляют в теле растущего кристалла дефектные и обогащенные примесью слои, так что весь кристалл оказывается как бы сложенным из гексагональных палочек или пластинок карандашная структура; рис. Если в переохлажденном расплаве растворе оказывается не плоская поверхность, а маленький кристалл , то выступы на нём развиваются в различных кристаллографических направлениях, отвечающих максимальной скорости роста, и образуют многолучевую звезду. Затем на этих главных отростках появляются боковые ветви, на них — ветви следующего порядка, — возникает дендритная форма кристаллов рис. Несмотря на причудливую древовидную форму, кристаллографическая ориентация дендритного кристалла одинакова для всех его ветвей. Необходимые условия для развития дендритов у кристаллов , растущих послойно, — большое переохлаждение и плохое перемешивание. При очень малых скоростях роста кристалла из расплава коэффициент распределения вещества перестаёт зависеть от направления и скорости роста и приближаются к равновесному значению, определяемому диаграммой состояния. Образование дефектов при кристаллизации. Реальные кристаллы всегда имеют неоднородное распределение примеси секториальная, зонарная, карандашная структуры. Примесь меняет параметр решётки, и на границах областей разного состава возникают внутренние напряжения. Это приводит к образованию дислокаций и трещин. Дислокации при кристаллизации из расплава возникают и как результат упругих напряжений в неравномерно нагретом кристалле , а также при нарастании более горячих новых слоев на более холодную поверхность. Посторонние газы , хорошо растворимые в маточной среде, но плохо захватываемые растущим кристаллом , образуют на фронте роста пузырьки, которые захватываются кристаллом , если скорость роста превосходит некоторую критическую. Так же захватываются и посторонние твёрдые частицы из маточной среды, становящиеся затем в кристалле источниками внутренних напряжений. Массовая кристаллизация — одновременный рост множества кристаллов — широко используется в промышленности. Спонтанное массовое появление зародышей и их рост происходят при затвердевании отливок металлов. Кристаллы зарождаются прежде всего на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливается перегретый металл. В результате у поверхности возникает столбчатая зона, состоящая из почти параллельных узких кристаллов , вытянутых вдоль нормали к поверхности. Конвекционные потоки в расплаве могут обламывать ветви дендритов , поставляя новые затравки. Аналогично действует ультразвук , а также добавление порошков , частицы которых служат центрами кристаллизации , и поверхностно-активных веществ , облегчающих образование зародышей. Образование кристаллов , М. Сплошная кривая — зависимость числа зародышей кристаллов глицерина , возникающих в 1 см 3 расплава в единицу времени, от температуры ; пунктирная кривая — то же для 1,2 см 3 расплава пиперина. Зонарное и секториальное строение кристалла алюмокалиевых квасцов. Зависимость работы А, требующейся для образования кристаллического агрегата, от размера r зародыша. Характерные положения атома на атомно гладкой поверхности кристалла со ступенями: Начальная стадия дендритного роста кристалла иодоформа. Пластинчатый кристалл паратолуидина в поляризованном свете; каждая линия — ступень на поверхности кристалла. По разные стороны от ступени толщина кристалла , а следовательно, и интенсивность прошедшего света и окраска в скрещенных николях различны. Лекарства Фармацевтика Термины биохимии Коды загрязняющих веществ Стандартизация Каталог предприятий. Кристаллизация Кристаллиз а ция, образование кристаллов из паров , растворов , расплавов , вещества в твёрдом состоянии аморфном или другом кристаллическом , в процессе электролиза и при химических реакциях.

А9 кристаллы состав

Айяуаска купить цена

Купить Ганджа Заволжск

А9 кристаллы состав

Киев купить экстази

Купить бошки в КерчьОспаривается

Купить морфин Глазов

А9 кристаллы состав

Спайс владивосток закладки

Амфетамин закладки купить

А9 кристаллы состав

Купи клад саратов