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由于蓝绿光的LED是由铟氮化镓基材料为主，因为晶体结构的关系，是一种压电材料，本身具有很强的内建电场，会影响主动区的发光波长与载子复合效率，这个现象称为量子史侷限塔克效应(quantumconfinedStarkeffect;QCSE)，是困扰LED发光效率的主要原因之一，因此该研究团队利用QCSE的特性，在绿光磊芯片上通过环型奈米结构的制作，释放LED主动区的应力来实现波长调变的效果，并将发光波长由绿光调变至蓝光；由于奈米结构会牺牲掉部分发光面积而降低发光强度，且Micro-LED随着尺寸的减小，侧壁缺陷对芯片的影响程度则会变大，进而导致芯片发光效率的降低，因此郭教授研究团队导入了原子层沉积(ALD)薄膜钝化保护技术取代传统的电浆辅助化学气相沉积(PECVD)的方式，藉由ALD钝化保护层具有高致密度、高阶梯覆盖能力及有效的缺陷修复等特性，避免载子在芯片表面被缺陷捕捉，大幅提高了元件的发光强度，进而提升效率。
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