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残余奥氏体主要在第二步临界退火过程中形成,主要通过临界退火过程中和临界回火过程中,C、Mn、Ni和Cu等合金元素在逆转奥氏体中的富集来提高奥氏体稳定性,其中第一步临界退火后,C、Mn和Ni在逆转奥氏体中富集,但不足以将其稳定至室温,临界回火过程中,Mn、Ni和Cu继续在逆转奥氏体中富集,获得稳定的残余奥氏体。
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