Samsung начала массовое производство GDDR6-памяти

Южнокорейский гигант официально анонсировал начало массового производства чипов памяти GDDR6. Samsung не только обогнала SK Hynix и Micron по периодам начала производства, но и похвасталась улучшенными параметрами памяти.

Согласно заявлениям Samsung в своем официальном блоге, GDDR6-память будет производиться на 10 нм техпроцессе (GDDR5 производится на 20 нм), а для питания понадобится 1.35 В. Чипы памяти будут достигать скорости в 18 Гбит/сек (ранее Samsung говорила о 16 Гбит/сек) при уменьшенном энергопотреблении на 35%. Это больше чем в два раза быстрее, чем GDDR5 с её 8 Гбит/секу. Таким образом память Samsung обеспечит пользователя скоростью в 72 Гб/сек. SK Hynix сообщила, что их чип сможет разгоняться до 16 Гбит/сек, а Micron смогла достичь 12 Гбит/сек, хотя обещает выйти на уровень 16 Гбит/сек.

Видеокарта с 384-битной шиной и 12 чипами памяти Samsung GDDR6 может оснащаться до 24 Гб видеопамяти, а 256-битная шина предложит до 16 Гб VRAM, что в два раза больше, чем в текущем поколении видеокарт. Максимальная пропускная способность 384-битной карты достигнет 864 Гб/сек, а 256-битной 576 Гб/сек. Это значит, что 256-битная GDDR6-карта будет быстрее любой 384-битной GDDR5-карты, доступной сейчас на рынке, а 384-битные GDDR6-решения выйдут на уровень текущих карт с памятью HBM2 (NVIDIA Tesla с HBM2-памятью достигает скорости в 901 Гб/сек).

Samsung не так давно анонсировала второе поколение своей памяти HBM2 под названием “Aquabolt”. Эти чипы ориентируются на суперкомпьтеры и запредельно дорогие видеокарты. Поэтому GDDR6 хорошо зарекомендует себя в потребительском сегменте и сможет предложить обычным покупателям видеокарты, способные выдавать максимально высокие FPS в разрешениях 4К и выше за сравнительно доступные деньги.

Источник: Samsung.